• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1362-1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

AOB298L

Descripción MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 9 A (Ta), 58 A (Tc) 2.1 W (Ta), 100 W (Tc) TO-263 (D²Pak)

Documentos y medios
Hojas de datos AO(T,B,TF)298L
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Obsolescencia PCN/ EOL EOL Notice 19/Apr/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Ta), 58 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1670pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 100 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14.5 mOhm a 20 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1362-1

08:04:30 2/25/2018

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