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AOB2500L Canal N Montaje en superficie 150V 11.5 A (Ta), 152 A (Tc) 2.1 W (Ta), 375 W (Tc) TO-263 (D²Pak)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1659-1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AOB2500L

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Descripción MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 11.5 A (Ta), 152 A (Tc) 2.1 W (Ta), 375 W (Tc) TO-263 (D²Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos AOT/B2500L
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS Environmental Compliance Statement
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.5 A (Ta), 152 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 6.2 mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 136nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6460pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.1 W (Ta), 375 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1659-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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03:04:36 3/21/2019