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AOB12N65L Canal N Montaje en superficie 650V 12 A (Tc) 278 W (Tc) TO-263 (D²Pak)
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100 1.51570 $151.57
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1717-1-ND
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Cantidad disponible 800
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AOB12N65L

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Descripción MOSFET NCH 650V 12A TO263
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 12 A (Tc) 278 W (Tc) TO-263 (D²Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos AOT(F)12N65(L), AOB12N65(L)
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 720 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2150pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1717-1
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : 785-1717-2-ND
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  • Cantidad disponible: 800 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.07353
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  • Cantidad disponible: 800 - Inmediata
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20:49:17 10/16/2018