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AO4752 Canal N Montaje en superficie 30V 15 A (Ta) 3.1 W (Ta) 8-SOIC
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10 0.44500 $4.45
100 0.34000 $34.00
500 0.25576 $127.88
1,000 0.20308 $203.08
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1597-1-ND
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Cantidad disponible 29,824
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AO4752

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Descripción MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 15 A (Ta) 3.1 W (Ta) 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos AO4752
SO8 Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS RoHS Cert
Ensamble/origen de PCN Mult Devices Assembly 24/Apr/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie AlphaMOS
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.8 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 605pF @ 15V
Característica de FET Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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02:55:58 10/19/2018