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AO4485 Canal P Montaje en superficie 40V 10 A (Ta) 1.7W (Ta) 8-SOIC
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.85000 $0.85
10 0.75300 $7.53
100 0.59250 $59.25
500 0.45192 $225.96
1,000 0.37157 $371.57
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 785-1551-1-ND
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Cantidad disponible 87,378
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

AO4485

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Descripción MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 10 A (Ta) 1.7W (Ta) 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos AO4485 Datasheet
SO8 Pkg Drawing
Otros documentos relacionados AOS Green Policy
Información de RoHS Environmental Compliance Statement
Ensamble/origen de PCN MOSFET Wafer Supplier 29/Oct/2013
Mult Devices Assembly 24/Apr/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.7W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 785-1551-1
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21:33:45 4/23/2019