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ALD111933SAL Arreglo de MOSFET Par combinado de 2 canales N (dobles) 10.6 V 500 mW Montaje en superficie 8-SOIC
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Cantidad
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1 3.36000 $3.36
50 2.69780 $134.89
100 2.45800 $245.80
500 1.99034 $995.17
1,000 1.67860 $1,678.60

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 1014-1052-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

ALD111933SAL

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Descripción MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Par combinado de 2 canales N (dobles) 10.6 V 500 mW Montaje en superficie 8-SOIC

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Documentos y medios
Hojas de datos ALD111933
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Categorías
Fabricante Advanced Linear Devices Inc.
Serie EPAD®
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Par combinado de 2 canales N (dobles)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 10.6 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 Ohm a 5.9 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.35 V a 1 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2.5 pF a 5 V
Potencia máxima 500 mW
Temperatura de operación 0 °C ~ 70 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 1014-1052

05:18:06 10/18/2018