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SI7465 Vishay Siliconix - Transistores - FET, MOSFET - Individual

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Cantidad mínima Embalaje Serie Estado de pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds On (máx) @ Id, Vgs Vgs(th) (máx) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (Máx.) Temperatura de funcionamiento Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
SI7465DP-T1-E3 Datasheet SI7465DP-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7465DP-T1-E3TR-ND SI7465DP-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 6,000 - Inmediata Disponible: 6,000 $0.54340 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 3.2 A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm a 5A, 10V 3V a 250µA 40nC @ 10V ±20V
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1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SI7465DP-T1-E3 Datasheet SI7465DP-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7465DP-T1-E3CT-ND SI7465DP-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 8,638 - Inmediata Disponible: 8,638 $1.25000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 3.2 A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm a 5A, 10V 3V a 250µA 40nC @ 10V ±20V
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1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SI7465DP-T1-E3 Datasheet SI7465DP-T1-E3 - Vishay Siliconix SI7465DP-T1-E3DKR-ND SI7465DP-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 8,638 - Inmediata Disponible: 8,638 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 3.2 A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm a 5A, 10V 3V a 250µA 40nC @ 10V ±20V
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1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SI7465DP-T1-GE3 Datasheet SI7465DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7465DP-T1-GE3TR-ND SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 0 Disponible: 0
Plazo estándar 14 semanas
$0.54340 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 3.2 A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm a 5A, 10V 3V a 250µA 40nC @ 10V ±20V
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1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SI7465DP-T1-GE3 Datasheet SI7465DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7465DP-T1-GE3CT-ND SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 1,907 - Inmediata Disponible: 1,907 $1.25000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 3.2 A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm a 5A, 10V 3V a 250µA 40nC @ 10V ±20V
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1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
SI7465DP-T1-GE3 Datasheet SI7465DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7465DP-T1-GE3DKR-ND SI7465DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 1,907 - Inmediata Disponible: 1,907 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
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TrenchFET® Activo Canal P MOSFET (óxido de metal) 60V 3.2 A (Ta) 4.5V, 10V 64mOhm a 5A, 10V 3V a 250µA 40nC @ 10V ±20V
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1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
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