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SI7272 Vishay Siliconix - Transistores - FET - MOSFET - Matrices

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Cantidad mínima Embalaje Serie Estado de pieza Tipo FET Característica de FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC Rds On (máx) @ Id, Vgs Vgs(th) (máx) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia - Máx. Temperatura de funcionamiento Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
SI7272DP-T1-GE3 Datasheet SI7272DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7272DP-T1-GE3TR-ND SI7272DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 6,000 - Inmediata Disponible: 6,000 $0.61490 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)
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TrenchFET® Activo Dos canal N (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 25A 9.3mOhm a 15A, 10V 2.5V a 250µA 26nC a 10V 1100pF a 15V 22W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
SI7272DP-T1-GE3 Datasheet SI7272DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7272DP-T1-GE3CT-ND SI7272DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 8,316 - Inmediata Disponible: 8,316 $1.42000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
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TrenchFET® Activo Dos canal N (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 25A 9.3mOhm a 15A, 10V 2.5V a 250µA 26nC a 10V 1100pF a 15V 22W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
SI7272DP-T1-GE3 Datasheet SI7272DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7272DP-T1-GE3DKR-ND SI7272DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 8,316 - Inmediata Disponible: 8,316 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
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TrenchFET® Activo Dos canal N (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 25A 9.3mOhm a 15A, 10V 2.5V a 250µA 26nC a 10V 1100pF a 15V 22W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
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