SI4931 Vishay Siliconix - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Característica de FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia máxima Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
SI4931DY-T1-GE3 Datasheet SI4931DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3TR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa arancelaria aplicada ?
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC 40,000 - Inmediata Disponible: 40,000 $0.47921 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 12V 6.7 A 18mOhm a 8.9A, 4.5V 1V a 350µA 52nC a 4.5V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4931DY-T1-GE3 Datasheet SI4931DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3CT-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa arancelaria aplicada ?
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC 40,825 - Inmediata Disponible: 40,825 $1.19000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 12V 6.7 A 18mOhm a 8.9A, 4.5V 1V a 350µA 52nC a 4.5V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4931DY-T1-GE3 Datasheet SI4931DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3DKR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa arancelaria aplicada ?
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC 40,825 - Inmediata Disponible: 40,825 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 12V 6.7 A 18mOhm a 8.9A, 4.5V 1V a 350µA 52nC a 4.5V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4931DY-T1-E3 Datasheet SI4931DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3TR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa arancelaria aplicada ?
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC 20,000 - Inmediata Disponible: 20,000 $0.47921 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 12V 6.7 A 18mOhm a 8.9A, 4.5V 1V a 350µA 52nC a 4.5V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4931DY-T1-E3 Datasheet SI4931DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3CT-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa arancelaria aplicada ?
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC 22,035 - Inmediata Disponible: 22,035 $1.19000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 12V 6.7 A 18mOhm a 8.9A, 4.5V 1V a 350µA 52nC a 4.5V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4931DY-T1-E3 Datasheet SI4931DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4931DY-T1-E3DKR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa arancelaria aplicada ?
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs 22,035 - Inmediata Disponible: 22,035 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 12V 6.7 A 18mOhm a 8.9A, 4.5V 1V a 350µA 52nC a 4.5V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
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