SI4925 Vishay Siliconix - Transistores - FET, MOSFET - Arreglos

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Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC
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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Característica de FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia máxima Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete / Caja (carcasa) Paquete del dispositivo del proveedor
   
SI4925DDY-T1-GE3 Datasheet SI4925DDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4925DDY-T1-GE3TR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa aduanera elegible ?
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC 20,000 - Inmediata Disponible: 20,000 $0.42951 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Estándar 30V 8 A 29mOhm a 7.3A, 10V 3V a 250µA 50nC a 10V 1350pF a 15V 5W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4925BDY-T1-E3 Datasheet SI4925BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-E3TR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa aduanera elegible ?
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 20,000 - Inmediata Disponible: 20,000 $0.53392 2,500 Mínimo: 2,500 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 5.3 A 25mOhm a 7.1A, 10V 3V a 250µA 50nC a 10V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4925BDY-T1-E3 Datasheet SI4925BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-E3CT-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa aduanera elegible ?
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 21,725 - Inmediata Disponible: 21,725 $1.37000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 5.3 A 25mOhm a 7.1A, 10V 3V a 250µA 50nC a 10V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4925BDY-T1-E3 Datasheet SI4925BDY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-E3DKR-ND
Esta pieza cumple con RoHS.
Tarifa aduanera elegible ?
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 21,725 - Inmediata Disponible: 21,725 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 5.3 A 25mOhm a 7.1A, 10V 3V a 250µA 50nC a 10V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
SI4925BDY-T1-GE3 Datasheet SI4925BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4925BDY-T1-GE3-ND MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 0 Disponible: 0
Plazo estándar 33 semanas
$0.81675 2,500
Agotado
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Mínimo: 2,500
Cinta y rollo (TR)? TrenchFET® Activo Dos canal P (doble) Compuerta de nivel lógico 30V 5.3 A 25mOhm a 7.1A, 10V 3V a 250µA 50nC a 10V
-
1.1W -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm) 8-SO
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