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SI2304 Vishay Siliconix - Transistores - FET, MOSFET - Individual

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Cantidad mínima Embalaje Serie Estado de pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds On (máx) @ Id, Vgs Vgs(th) (máx) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (Máx.) Temperatura de funcionamiento Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
SI2304BDS-T1-GE3 Datasheet SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-GE3TR-ND SI2304BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 63,000 - Inmediata Disponible: 63,000 $0.09959 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 2.6 A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm a 2.5A, 10V 3V a 250µA 4nC @ 5V ±20V 225pF @ 15V
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750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3 Datasheet SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-GE3CT-ND SI2304BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 65,030 - Inmediata Disponible: 65,030 $0.35000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 2.6 A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm a 2.5A, 10V 3V a 250µA 4nC @ 5V ±20V 225pF @ 15V
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750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3 Datasheet SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-GE3DKR-ND SI2304BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 65,030 - Inmediata Disponible: 65,030 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
Embalaje alternativo
TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 2.6 A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm a 2.5A, 10V 3V a 250µA 4nC @ 5V ±20V 225pF @ 15V
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750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304BDS-T1-E3 Datasheet SI2304BDS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3TR-ND SI2304BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 9,000 - Inmediata Disponible: 9,000 $0.09959 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 2.6 A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm a 2.5A, 10V 3V a 250µA 4nC @ 5V ±20V 225pF @ 15V
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750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304BDS-T1-E3 Datasheet SI2304BDS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3CT-ND SI2304BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 11,187 - Inmediata Disponible: 11,187 $0.35000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 2.6 A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm a 2.5A, 10V 3V a 250µA 4nC @ 5V ±20V 225pF @ 15V
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750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304BDS-T1-E3 Datasheet SI2304BDS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3DKR-ND SI2304BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 11,187 - Inmediata Disponible: 11,187 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 2.6 A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm a 2.5A, 10V 3V a 250µA 4nC @ 5V ±20V 225pF @ 15V
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750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3 Datasheet SI2304DDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3TR-ND SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23 3,000 - Inmediata Disponible: 3,000 $0.11410 3,000 Mínimo: 3,000 Cinta y rollo (TR)
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 3.3 A (Ta), 3.6 A (Tc) 4.5V, 10V 60mOhm a 3.2A, 10V 2.2V a 250µA 6.7nC @ 10V ±20V 235pF @ 15V
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1.1W (Ta), 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3 Datasheet SI2304DDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3CT-ND SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23 4,851 - Inmediata Disponible: 4,851 $0.41000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 3.3 A (Ta), 3.6 A (Tc) 4.5V, 10V 60mOhm a 3.2A, 10V 2.2V a 250µA 6.7nC @ 10V ±20V 235pF @ 15V
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1.1W (Ta), 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3 Datasheet SI2304DDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3DKR-ND SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23 4,851 - Inmediata Disponible: 4,851 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®
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TrenchFET® Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 30V 3.3 A (Ta), 3.6 A (Tc) 4.5V, 10V 60mOhm a 3.2A, 10V 2.2V a 250µA 6.7nC @ 10V ±20V 235pF @ 15V
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1.1W (Ta), 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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