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STB42N STMicroelectronics - Transistores - FET, MOSFET - Simple

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Empaquetado Serie Estado de la pieza Tipo FET Tecnología Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C Vgs(th) (máx.) en Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Vgs (máx.) Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Característica de FET Disipación de potencia (máx.) Temperatura de operación Tipo de montaje Paquete del dispositivo del proveedor Paquete / Caja (carcasa)
   
STB42N65M5 Datasheet STB42N65M5 - STMicroelectronics 497-8769-2-ND MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK 4,000 - Inmediata Disponible: 4,000 $6.45030 1,000 Mínimo: 1,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
MDmesh™ V Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 650V 33 A (Tc) 10V 79mOhm a 16.5A, 10V 5V a 250µA 100nC @ 10V ±25V 4650pF @ 100V
-
190W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
STB42N65M5 Datasheet STB42N65M5 - STMicroelectronics 497-8769-1-ND MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK 4,988 - Inmediata Disponible: 4,988 $11.71000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
MDmesh™ V Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 650V 33 A (Tc) 10V 79mOhm a 16.5A, 10V 5V a 250µA 100nC @ 10V ±25V 4650pF @ 100V
-
190W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
STB42N65M5 Datasheet STB42N65M5 - STMicroelectronics 497-8769-6-ND MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK 4,988 - Inmediata Disponible: 4,988 Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
MDmesh™ V Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 650V 33 A (Tc) 10V 79mOhm a 16.5A, 10V 5V a 250µA 100nC @ 10V ±25V 4650pF @ 100V
-
190W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
STB42N60M2-EP Datasheet STB42N60M2-EP - STMicroelectronics 497-15896-2-ND MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 0 Disponible: 0
Plazo estándar 14 semanas
$2.81400 1,000 Mínimo: 1,000 Cinta y rollo (TR)?
Embalaje alternativo
MDmesh™ M2-EP Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 34 A (Tc) 10V 87mOhm a 17A, 10V 4.75V a 250µA 55nC @ 10V ±25V 2370pF @ 100V
-
250W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
STB42N60M2-EP Datasheet STB42N60M2-EP - STMicroelectronics 497-15896-1-ND MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 0 Disponible: 0
Plazo estándar 14 semanas
$5.49000 1 Mínimo: 1 Cinta cortada (CT)?
Embalaje alternativo
MDmesh™ M2-EP Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 34 A (Tc) 10V 87mOhm a 17A, 10V 4.75V a 250µA 55nC @ 10V ±25V 2370pF @ 100V
-
250W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
STB42N60M2-EP Datasheet STB42N60M2-EP - STMicroelectronics 497-15896-6-ND MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK 0 Disponible: 0
Plazo estándar 14 semanas
Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)® 1 Mínimo: 1 Digi-Reel®?
Embalaje alternativo
MDmesh™ M2-EP Activo Canal N MOSFET (óxido de metal) 600V 34 A (Tc) 10V 87mOhm a 17A, 10V 4.75V a 250µA 55nC @ 10V ±25V 2370pF @ 100V
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250W (Tc) 150°C (TJ) Montaje en superficie D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
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