EPC

-EPC es el líder en dispositivos de gestión de energía basados en nitruro de galio y con modo de mejora. EPC fue el primero en presentar los FET eGaN® de modo mejorado a modo de sustituto de los MOSFET de potencia en aplicaciones como convertidores de CC-CC, transferencia de potencia inalámbrica, seguimiento de paquete, transmisión de RF, inversores de potencia, tecnología de detección remota (LiDAR), y amplificadores de audio de clase D con un rendimiento del dispositivo mucho mejor que los MOSFET de silicio.

GaN para LiDAR

Imagen de GaN de EPC para LiDAR

Alex Lidow de EPC explica por qué los FET eGaN e CI se destacan en la alimentación de láseres LiDAR y por qué las unidades de estado sólido y los LiDAR giratorios tendrán su lugar en vehículos autónomos, robótica y drones. Obtener más información

CI GaN

Imagen del controlador de compuerta de circuitos integrado eGaN de EPC más FET

Los transistores de potencia con tecnología de eGaN pueden cambiar en un nanosegundo o menos. Según explicó Alex Lidow de EPC, la combinación del controlador de compuerta de eGaN en el mismo chip como el transistor de potencia simplifica el diseño y reduce el costo de la electrónica de potencia. Obtener más información

Convertidor CC-CC de 48 V-12 V, con GaN, más eficiente, más pequeño y más asequible

Imagen del convertidor de CC-CC de EPC

La placa de desarrollo EPC9130 es un convertidor bus intermedia, de 5 fases, con corriente de salida máxima de 60 A, voltaje de entrada nominal de 48 V, frecuencia de conmutación de 500 kHz y con un microcontrolador integrado y controladores de compuerta, que incluyen el transistor de efecto en campo con modo mejorado (eGaN®) EPC2045 de 100 V. Obtener más información

Productos destacados

Imagen de los CI EPC2112 y EPC2115 eGaN de EPC

CI eGaN® EPC2112/EPC2115
 
Los CI eGaN® EPC2112/EPC2115 de EPC combinan controladores de compuerta con FET GaN de alta frecuencia para mejorar la eficiencia, reducir el tamaño y reducir el costo. Obtener más información

Imagen del módulo de potencia EPC EPC9205 GaN de EPC

Módulo de alimentación GaN EPC9205
 
El EPC9204 de EPC es un módulo de alimentación diseñado para la evaluación plug-and-play de alto rendimiento obtenido con los circuitos integrados de potencia de nitruro de galio. Obtener más información

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EPC eGaN® FETs Transistor Application Readiness: Phase Four Testing Fecha de publicación: 0001-01-01

Over 1,400,000 accumulated device hours of reliability testing by EPC validate the readiness of eGaN FETs to supplant their aging silicon cousins for most commercial power switching applications.

Development Board EPC9003 Quick Start Guide Fecha de publicación: 0001-01-01

EPC 200 V Half-Bridge with Gate Drive, Using EPC2010

Development Board EPC9004 Quick Start Guide Fecha de publicación: 0001-01-01

EPC 200 V Half-Bridge with Gate Drive, Using EPC2012

Demonstration System EPC9112 Quick Start Guide Fecha de publicación: 0001-01-01

6.78 MHz, ZVS Class-D Wireless Power System using EPC EPC2007C / EPC2038

Gallium Nitride (GaN) Technology Overview Fecha de publicación: 0001-01-01

For over three decades, power management efficiency and cost showed steady improvement as innovations in EPC power MOSFET structures, technology, and circuit topologies paced the growing need for electrical power in our daily lives.

Impact of Parasitics on Performance Fecha de publicación: 0001-01-01

EPC's white paper will study the effect of parasitic inductance on performance for eGaN FET and MOSFET based point of load (POL) buck converters operating at a switching frequency of 1 MHz, an input voltage of 12 V, an output voltage of 1.2 V, and an output current up to 20 A.

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Efficient Power Conversion Corporation - Introduction

Efficient Power Conversion (EPC) designs, develops, markets, and sells Gallium Nitride based power management devices using mature silicon foundries.

eGaN FET Assembly Demonstration Video - Die Attach

This video provides a demonstration of the proper procedure for attaching a lead free eGaN FET die to a printed circuit board.

eGaN FET Assembly Demonstration Video - Die Removal

This video provides a demonstration of the proper procedure for the removal of a lead free eGaN FET die from a printed circuit board.

EPC eGaN® FET Application: RF Envelope Tracking

In this video EPC demonstrates what power and efficiency levels are readily realizable using eGaN FETs in a buck converter for high power envelope tracking applications.

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