Arreglos FET, MOSFET

Resultados : 5,808
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tecnología
-Carburo de silicio (SiC)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Configuración
2 Canal N (conexión de fase)2 canal N (doble), canal P2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 Canal N, drenaje común2 Canal N, drenaje común, fuente común2 canal P (dual), drenaje común2 canal P (medio puente)2 canales N2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)
Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 10VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VModo de exclusión
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.46mOhm a 160A, 12V0.762mOhm a 160A, 12V0.765mOhm a 160A, 12V, 0.580mOhm a 160A, 12V0.765mOhm a 160A, 12V, 0.710mOhm a 160A, 12V0.8mOhm a 1200A, 10V0.88mOhm a 160A, 14V, 0.71mOhm a 160A, 14V0.88mOhm a 50A, 10V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V0.99mOhm a 80A, 10V, 1.35mOhm a 80A, 10V1.039mOhm a 160A, 12V, 762µOhm a 160A, 12V1.15mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA200mV a 2.8A, 200mV a 1.9A220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.4pC a 4.5V, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V50pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.28nC a 4.5V0.28nC a 4.5V, 0.3nC a 4.5V0.3nC a 4.5V0.3nC a 4.5V, 0.28nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V
Potencia - Máx.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-AlphaDFN (1.9x1.3)4-BGA (1x1)4-CSP (0.8x0.8)4-CSP (1.11x1.11)4-CSP (1.1x1.1)4-CSP (1.29x1.29)4-CSP (1.74x1.74)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
5,808Resultados

Demostración
de 5,808
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tecnología
Configuración
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
305,368
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
60V
300mA
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6nC a 4.5V
40pF a 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
99,125
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05646
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
60V
230mA
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
310mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
6-XFDFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
83,637
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.06289
Cinta y rollo (TR)
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
600mA
620mOhm a 600mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.7nC a 4.5V
21.3pF a 10V
265mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 6-XFDFN
DFN1010B-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
45,781
En stock
1,533,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07137
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
20V
1.07A, 845mA
450mOhm a 600mA, 4.5V
1V a 250µA
0.74nC a 4.5V
60.67pF a 10V
330mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
98,063
En stock
2,880,000
Fábrica
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07771
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V
30V
3.4 A, 2.8 A
60mOhm a 3.1A, 10V
2.3V a 250µA
13nC a 10V
400pF a 15V
840mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
24,254
En stock
3,105,000
Fábrica
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07867
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
30V
3.8 A, 2.5 A
55mOhm a 3.4A, 10V
1.5V a 250µA
12.3nC a 10V
422pF a 15V
850mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
TSOT-26
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
19,974
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06276
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
60V
320mA
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8nC a 4.5V
50pF a 10V
420mW
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q100
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
50,159
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.06307
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm a 800mA, 4.5V, 390mOhm a 800mA, 4.5V
1V a 1mA
1nC a 10V
55pF a 10V, 100pF a 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
ES6
172,473
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06749
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V
20V
250mA (Ta)
2.2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 1mA
-
12pF a 10V
300mW
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68,280
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08697
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
860mA
350mOhm a 200mA, 4.5V
1.5V a 250µA
0.72nC a 4.5V
34pF a 20V
410mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
450,874
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.08687
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
20V
540mA
550mOhm a 540mA, 4.5V
1V a 250µA
2.5nC a 4.5V
150pF a 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
87,580
En stock
3,000
Fábrica
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09079
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
60V
115mA
7.5Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
-
50pF a 25V
200mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
27,881
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09057
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
630mA
375mOhm a 630mA, 4.5V
1.5V a 250µA
3nC a 4.5V
46pF a 20V
270mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
35,993
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07264
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
60V
300mA
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6nC a 10V
20pF a 25V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140,571
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.07059
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
30V
100mA
4Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
8.5pF a 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
ES6
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
75,374
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.09284
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
20V
800mA
380mOhm a 500mA, 4.5V
950mV a 250µA
0.68nC a 4.5V
83pF a 10V
500mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
58,852
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.09180
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal P (doble)
-
20V
430mA
900mOhm a 430mA, 4.5V
1V a 250µA
2.5nC a 4.5V
175pF a 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
410,009
En stock
2,256,000
Fábrica
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08785
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
60V
500mA, 360mA
1.7Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.3nC a 4.5V
30pF a 25V, 25pF a 25V
450mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
60,523
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.10400
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Canal N y P
Compuerta de nivel lógico
20V
540mA, 430mA
550mOhm a 540mA, 4.5V
1V a 250µA
2.5nC a 4.5V
150pF a 16V
250mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
SOT-563
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
735,808
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06956
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.2V
50V
200mA
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
1V a 1mA
-
25pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
6-XFDFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
23,386
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.10312
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
30V
590mA
670mOhm a 590mA, 4.5V
950mV a 250µA
1.05nC a 4.5V
30.3pF a 15V
285mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Placa descubierta 6-XFDFN
DFN1010B-6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
166,247
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08849
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V
50V
200mA
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
155,181
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07702
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico, controlador de 0.9V
50V
200mA
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
26pF a 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-563, SOT-666
EMT6
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
19,836
En stock
3,744,000
Fábrica
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11168
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
-
50V
200mA
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
50pF a 10V
200mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT 363
BSS138DW-7-F
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
68,577
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11997
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Dos canal N (doble)
Compuerta de nivel lógico
50V
200mA
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
50pF a 10V
200mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Demostración
de 5,808

Arreglos FET, MOSFET


Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.