Vishay Siliconix FET simple, MOSFET

Resultados : 4,662
Serie
-*DEEFELFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®MaxSiC™SSkyFET®, TrenchFET®
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V12 V16 V20 V22 V25 V30 V40 V45 V50 V55 V60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
50mA (Ta)115mA (Ta)140mA (Ta)155mA (Ta)185mA (Ta)190mA (Ta)200mA (Ta)240mA (Ta)270mA (Ta)300mA (Ta)320mA (Ta)320mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 4.5V1.5V1.5V, 3.7V1.5V, 4.5V1.7V, 4.5V1.8V, 4.5V2V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.7V, 4.5V3V, 10V3.3V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.4mOhm a 30A, 10V0.47mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 20A, 10V0.53mOhm a 20A, 10V0.57mOhm a 20A, 10V0.58mOhm a 20A, 10V0.6mOhm a 15A, 10V0.62mOhm a 20A, 10V0.67mOhm a 20A, 10V0.69mOhm a 20A, 10V0.74mOhm a 20A, 10V0.76mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 250µA (mín.)700mV a 250µA700mV a 250µA (mín.)750mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.6 nC @ 4.5 V0.71 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V1.2 nC @ 8 V1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.49 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±5V±6V±8V±9V±10V+12V, -8V±12V+16V, -12V+16V, -20V±16V+20V, -16V±20V+22V, -10V±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V16 pF @ 10 V17 pF @ 15 V21 pF @ 5 V21 pF @ 6 V23 pF @ 25 V24 pF @ 30 V30 pF @ 25 V31 pF @ 10 V31 pF @ 15 V33 pF @ 15 V35 pF @ 10 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
150mW (Ta)170mW (Ta)190mW (Ta)190mW (Ta), 200mW (Tc)200mW (Ta)220mW (Ta)236mW (Ta)240mW (Ta)240mW (Tc)250mW (Ta)250mW (Tc)280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-50°C ~ 175°C (TJ)150°C (TJ)175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-HVMDIP4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)4-MICRO FOOT® (1x1)4-Micro pie (1x1)4-Microfoot4-WLCSP (1.6x1.6)6-Micro Foot™ (1.5x1)6-Micro Foot™ (2.4x2)6-microfoot6-TSOP8-SO
Paquete / Caja (carcasa)
4-DIP (0.300", 7.62mm)4-UFBGA4-UFBGA, WLCSP4-XFBGA4-XFBGA, CSPBGA6-MICRO FOOT®CSP6-PowerVDFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UFBGA8-PowerBSFN8-PowerSMD, Ala de gaviota8-PowerTDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
4,662Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 4,662
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
752,325
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03395
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
363,048
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04244
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
10,834
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08110
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.9 A (Tc)
1.8V, 4.5V
32mOhm a 4A, 4.5V
1V a 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W (Ta), 1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
163,887
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08488
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5 A (Tc)
4.5V, 10V
42mOhm a 3.8A, 10V
2.5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
124,247
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10352
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Tc)
2.5V, 4.5V
112mOhm a 2.8A, 4.5V
1V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
16,602
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10352
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.1 A (Tc)
2.5V, 4.5V
112mOhm a 2.8A, 4.5V
1V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
113,297
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10915
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.6 A (Ta)
2.5V, 4.5V
57mOhm a 3.6A, 4.5V
850mV a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
49,378
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11869
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
8 V
5.8 A (Tc)
1.8V, 4.5V
35mOhm a 4.4A, 4.5V
1V a 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
38,281
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11869
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
5.6 A (Tc)
4.5V, 10V
42mOhm a 4.3A, 10V
2.5V a 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
13,600
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11869
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.4 A (Tc)
2.5V, 10V
132mOhm a 1.4A, 10V
1.5V a 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW (Ta), 500mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
67,373
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12224
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.6 A (Ta)
4.5V, 10V
70mOhm a 2.5A, 10V
3V a 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
26,930
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12224
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.6 A (Ta)
4.5V, 10V
70mOhm a 2.5A, 10V
3V a 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
30,600
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.12814
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
12.6 A (Tc)
4.5V, 10V
19mOhm a 9A, 10V
2.2V a 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
667,547
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10113
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
185mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm a 500mA, 10V
3V a 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-6
SQ1464EEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Vishay Siliconix
13,288
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12850
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
440mA (Tc)
1.5V
1.41Ohm a 2A, 1.5V
1V a 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±8V
140 pF @ 25 V
-
430mW (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-23-3
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
26,796
En stock
1 : $0.49000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13819
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.6 A (Tc)
2.5V, 4.5V
68mOhm a 2.9A, 4.5V
1.5V a 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
320 pF @ 15 V
-
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
34,195
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13883
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
6 A (Tc)
1.5V, 4.5V
28mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
12,755
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13883
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
7.6 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 5.4A, 10V
2.5V a 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
157,650
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14713
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
500mA (Ta)
1.8V, 4.5V
700mOhm a 600mA, 4.5V
900mV a 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75A
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
106,401
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14458
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6 A (Tc)
1.8V, 4.5V
31.8mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5868
SI1013R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Vishay Siliconix
82,571
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14713
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
350mA (Ta)
1.8V, 4.5V
1.2Ohm a 350mA, 4.5V
450mV a 250µA (mín.)
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75A
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
20,593
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14458
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.4 A (Tc)
1.5V, 4.5V
61mOhm a 3.2A, 4.5V
1V a 250µA
21 nC @ 8 V
±8V
-
-
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5540
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
40,610
En stock
1 : $0.55000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15599
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.5 A (Ta), 13 A (Tc)
4.5V, 10V
89mOhm a 1.5A, 4.5V
3V a 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
2W (Ta), 4.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
33,183
En stock
1 : $0.55000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15599
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
12 A (Tc)
2.5V, 10V
26mOhm a 9A, 10V
1.4V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
74,283
En stock
1 : $0.58000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16352
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.5 A (Tc)
4.5V, 10V
88mOhm a 3.5A, 10V
3V a 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 4,662

Vishay Siliconix FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.