Vishay Siliconix FET simple, MOSFET

Demostración

de 5,015

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SI3443DDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP Vishay Siliconix	63,118 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09460 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4A (Ta), 5.3A (Tc)	2.5V, 4.5V	47mOhm a 4.5A, 4.5V	1.5V a 250µA	30 nC @ 8 V	±12V	970 pF @ 10 V	-	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
SI2347DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3 Vishay Siliconix	16,677 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09460 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5A (Tc)	4.5V, 10V	42mOhm a 3.8A, 10V	2.5V a 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	705 pF @ 15 V	-	1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 Vishay Siliconix	262,638 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10954 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2308CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	30,150 En stock	1 : $0.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11468 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2.6A (Tc)	4.5V, 10V	144mOhm a 1.9A, 10V	3V a 250µA	4 nC @ 10 V	±20V	105 pF @ 30 V	-	1.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2356DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Vishay Siliconix	75,710 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11860 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	4.3A (Tc)	2.5V, 10V	51mOhm a 3.2A, 10V	1.5V a 250µA	13 nC @ 10 V	±12V	370 pF @ 20 V	-	960mW (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Vishay Siliconix	32,817 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12409 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.3A (Ta), 3.6A (Tc)	4.5V, 10V	60mOhm a 3.2A, 10V	2.2V a 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	235 pF @ 15 V	-	1.1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	71,843 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13124 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	5.6A (Tc)	4.5V, 10V	42mOhm a 4.3A, 10V	2.5V a 250µA	9 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Vishay Siliconix	35,554 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13124 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	8 V	5.8A (Tc)	1.8V, 4.5V	35mOhm a 4.4A, 4.5V	1V a 250µA	30 nC @ 8 V	±8V	960 pF @ 4 V	-	960mW (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI1308EDL-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 Vishay Siliconix	23,024 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13124 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.4A (Tc)	2.5V, 10V	132mOhm a 1.4A, 10V	1.5V a 250µA	4.1 nC @ 10 V	±12V	105 pF @ 15 V	-	400mW (Ta), 500mW (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3	SC-70, SOT-323
SI2387DS-T1-GE3 P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1 Vishay Siliconix	31,807 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14001 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	2.1A (Ta), 3A (Tc)	4.5V, 10V	164mOhm a 2.1A, 10V	2.5V a 250µA	10.2 nC @ 10 V	±20V	395 pF @ 40 V	-	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 Vishay Siliconix	11,001 En stock	1 : $0.66000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15297 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	7.6A (Tc)	4.5V, 10V	29mOhm a 5.4A, 10V	2.5V a 250µA	36 nC @ 10 V	±20V	1295 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3 Vishay Siliconix	9,235 En stock	1 : $0.66000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15297 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	6A (Tc)	1.5V, 4.5V	28mOhm a 5A, 4.5V	1V a 250µA	35 nC @ 8 V	±8V	1275 pF @ 6 V	-	1.2W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	164,007 En stock	1 : $0.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15917 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.1A (Tc)	2.5V, 4.5V	112mOhm a 2.8A, 4.5V	1V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3 Vishay Siliconix	58,915 En stock	1 : $0.69000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15917 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6A (Tc)	1.8V, 4.5V	31.8mOhm a 5A, 4.5V	1V a 250µA	18 nC @ 5 V	±8V	865 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 Vishay Siliconix	59,991 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16601 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.1A (Tc)	2.5V, 4.5V	112mOhm a 2.8A, 4.5V	1V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	405 pF @ 10 V	-	860mW (Ta), 1.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Vishay Siliconix	42,014 En stock	1 : $0.73000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17144 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.5A (Ta), 13A (Tc)	4.5V, 10V	89mOhm a 1.5A, 4.5V	3V a 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	833 pF @ 20 V	-	2W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
SI2319DDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 Vishay Siliconix	78,509 En stock	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17685 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET® Gen III	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)	4.5V, 10V	75mOhm a 2.7A, 10V	2.5V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 20 V	-	1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	74,549 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17954 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	57mOhm a 3.6A, 4.5V	850mV a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 Vishay Siliconix	56,275 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17954 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.5A (Tc)	4.5V, 10V	88mOhm a 3.5A, 10V	3V a 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±20V	340 pF @ 15 V	-	1.1W (Ta), 1.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIA483DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 Vishay Siliconix	53,434 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17954 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	12A (Tc)	4.5V, 10V	21mOhm a 5A, 10V	2.2V a 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	1550 pF @ 15 V	-	3.5W (Ta), 19W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SC-70-6	PowerPAK® SC-70-6
SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	47,947 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17954 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	57mOhm a 3.6A, 4.5V	850mV a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	-	-	710mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2342DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 Vishay Siliconix	39,530 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17954 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	8 V	6A (Tc)	1.2V, 4.5V	17mOhm a 7.2A, 4.5V	800mV a 250µA	15.8 nC @ 4.5 V	±5V	1070 pF @ 4 V	-	2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SIB456DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75 Vishay Siliconix	8,769 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17954 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	6.3A (Tc)	4.5V, 10V	185mOhm a 1.9A, 10V	3V a 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	130 pF @ 50 V	-	2.4W (Ta), 13W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SC-75-6	PowerPAK® SC-75-6
SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Vishay Siliconix	51,147 En stock	1 : $0.81000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19290 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6A (Tc)	4.5V, 10V	345mOhm a 1.25A, 10V	3V a 250µA	4.1 nC @ 4.5 V	±20V	210 pF @ 30 V	-	1W (Ta), 1.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 Vishay Siliconix	26,294 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19952 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	4.4A (Tc)	4.5V, 10V	77mOhm a 3.1A, 10V	2.5V a 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	595 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

de 5,015

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS