TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FET simple, MOSFET

Resultados : 1,981
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark Semiconductor
Serie
-*448CMSOptiMOS®OptiMOS™PowerTrench®SGTSIPMOS®SOT-23STripFET™STripFET™ H6
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V12 V15 V16 V20 V25 V28 V30 V35 V40 V45 V50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)51mA (Ta)53mA (Ta)60mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.8 V, 4V1.8V, 10V1.8V, 2.5V1.8V, 2.7V1.8V, 4.5V1.8V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm a 9.7A, 4.5V11.3mOhm a 3A, 4.5V12.3mOhm a 12A, 4.5V15mOhm a 7.3A, 8V15.5mOhm a 5A, 4.5V16mOhm a 7A, 4.5V17mOhm a 3A, 4.5V17mOhm a 7.2A, 4.5V18mOhm a 4.2A, 10V18mOhm a 5.8A, 4.5V18mOhm a 6.8A, 4.5V18mOhm a 7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA450mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)650mV a 1mA (mín.)680mV a 1mA (típico)700mV a 1mA (típico)700mV a 250µA700mV a 250µA (mín.)750mV a 11µA750mV a 30µA800mV a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V±5V+6V, -8V±7V±8V8V+10V, -20V±10V10V±12V12V±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.5 pF @ 10 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
150mW (Ta)200mW200mW (Ta)200mW (Tc)225mW225mW (Ta)230mW (Tc)250mW250mW (Ta)250mW (Tc)265mW (Ta)265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)125°C (TJ)150°C150°C (TA)150°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-CPH3-MPAKMicro3™/SOT-23Mini3-G1MINI3-G3-BPG-SC59-3PG-SOT-23-3PG-SOT23PG-SOT23-3PG-SOT23-3-5PG-SOT23-3-901
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
1,981Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 1,981
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
106,052
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02417
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83,791
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02403
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
354,775
En stock
1 : $0.11000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02861
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
199,346
En stock
19,674,000
Fábrica
1 : $0.12000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03242
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407,320
En stock
55,965,000
Fábrica
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03324
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
84,145
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03324
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
618,076
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02848
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
413,161
En stock
51,885,000
Fábrica
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03661
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389,592
En stock
1,068,000
Fábrica
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03582
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
343,310
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03550
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
263,057
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03773
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815,963
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03838
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
431,447
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03946
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190,573
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03820
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
103,606
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03914
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777,038
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03395
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767,420
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04082
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
512,784
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04243
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
371,105
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04244
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
253,369
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04232
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150mA (Ta)
10V
6Ohm a 120mA, 10V
2.8V a 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
160,188
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04609
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
10V
10Ohm a 130mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW (Tc)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN62D0U-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Diodes Incorporated
112,317
En stock
342,000
Fábrica
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04562
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
1.8V, 4.5V
2Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 30 V
-
380mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
229,068
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04623
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
220mA (Ta)
2.7V, 4.5V
4Ohm a 400mA, 4.5V
1.06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
122,982
En stock
516,000
Fábrica
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04623
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
120mOhm a 2.8A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
87,683
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04873
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Ta)
4.5V, 10V
3.5Ohm a 230mA, 10V
1.4V a 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 1,981

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.