Taiwan Semiconductor Corporation FET simple, MOSFET

Resultados : 546
Serie
-*PerFET™
Embalaje
CajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V40 V50 V60 V75 V80 V100 V150 V250 V450 V500 V600 V650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
30mA (Tc)140mA (Ta)150mA (Ta)160mA (Ta)170mA (Ta)190mA (Ta)230mA (Ta), 550mA (Tc)240mA (Ta)260mA (Ta)300mA (Ta)310mA (Ta)320mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 10V1.8V, 2.5V, 4.5V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V, 10V5V, 10V6V, 10V7V, 10V10V10V, 12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.5mOhm a 32A, 10V1.8mOhm a 29A, 10V1.9mOhm a 50A, 10V2mOhm a 27A, 10V2.4mOhm a 25A, 10V2.5mOhm a 24A, 10V2.5mOhm a 50A, 10V2.6mOhm a 24A, 10V3.1mOhm a 90A, 10V3.2mOhm a 40A, 10V3.3mOhm a 20A, 10V3.3mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
500mV a 250µA (mín.)800mV a 250µA900mV a 250µA950mV a 250µA1V a 250µA1V a 8µA1.2V a 250µA1.4V a 250µA1.5V a 250µA1.6V a 250µA2V a 250µA2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.4 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V0.91 nC @ 4.5 V1.18 nC @ 4.5 V1.65 nC @ 10 V1.7 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V1.9 nC @ 10 V2 nC @ 10 V2.7 nC @ 10 V3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V±10V±12V±16V±20V±25V±30V±50V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5.2 pF @ 6 V20 pF @ 30 V27.5 pF @ 30 V28 pF @ 30 V30 pF @ 25 V30 pF @ 30 V30 pF @ 50 V32 pF @ 25 V34.7 pF @ 50 V37 pF @ 30 V38.2 pF @ 30 V51.42 pF @ 25 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
298mW (Ta)300mW (Ta)316mW (Ta)328mW (Ta)357mW (Ta)400mW (Ta)403mW (Ta)416mW (Ta)500mW (Ta)700mW (Ta)750mW (Ta)900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)175°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TDFN (2x2)8-PDFN (3.15x3.1)8-PDFN (3.1x3.08)8-PDFN (3.1x3.1)8-PDFN (5.2x5.75)8-PDFN (5x5.8)8-PDFN (5x6)8-PDFNU (4.9x5.75)8-PDFNU (5x6)8-SOPI2PAKITO-220
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 6-VDFN8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores cortos TO-262-3, I2PAKConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAConductores stub TO-251-3, IPAKSC-70, SOT-323SOT-23-6
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
546Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 546
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
113,525
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13200
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.7 A (Tc)
1.8V, 4.5V
25mOhm a 4A, 4.5V
800mV a 250µA
4 nC @ 4.5 V
±10V
600 pF @ 10 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
29,799
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13200
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3 A (Tc)
4.5V, 10V
85mOhm a 2.3A, 10V
2.5V a 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
529 pF @ 30 V
-
1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2309CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
67,145
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13329
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.1 A (Tc)
4.5V, 10V
190mOhm a 3A, 10V
2.5V a 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
425 pF @ 30 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2301ACX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
145,745
En stock
1 : $0.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17249
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.8 A (Tc)
2.5V, 4.5V
130mOhm a 2.8A, 4.5V
1V a 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±12V
480 pF @ 15 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
16,817
En stock
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.18336
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
1.4 A (Tc)
6V, 10V
480mOhm a 1.1A, 10V
3.5V a 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
332 pF @ 10 V
-
2.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-26
SOT-23-6
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2306CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
65,297
En stock
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.21254
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.5 A (Ta)
4.5V, 10V
57mOhm a 3.5A, 10V
3V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±20V
555 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
16,981
En stock
1 : $0.88000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.26544
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
30 A (Tc)
4.5V, 10V
34mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2323CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
44,805
En stock
1 : $0.93000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.27770
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.7 A (Ta)
1.8V, 4.5V
39mOhm a 4.7A, 4.5V
1V a 250µA
12.5 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
38,580
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.29976
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 14A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PDFN (3.1x3.1)
8-PowerWDFN
107,130
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30425
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
38 A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
28.5 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 25 V
-
46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
20,985
En stock
1 : $1.21000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.38062
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2118 pF @ 30 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MFG_8-PDFN(5X6)
TQM033NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 21A/121A PDFN56U
Taiwan Semiconductor Corporation
9,231
En stock
1 : $1.79000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.60000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
21 A (Ta), 121 A (Tc)
7V, 10V
3.3mOhm a 21A, 10V
3.8V a 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
4917 pF @ 20 V
-
3.1W (Ta), 107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
8-PDFNU (5x6)
8-PowerTDFN
SOT-23-3
BSS84 RFG
-60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Taiwan Semiconductor Corporation
25,718
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03709
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 150mA, 10V
2V a 250µA
1.9 nC @ 10 V
±20V
37 pF @ 30 V
-
357mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138 RFG
50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Taiwan Semiconductor Corporation
48,722
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04788
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 260mA, 10V
1.6V a 250µA
2 nC @ 10 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
357mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
66,013
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08604
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.1 A (Tc)
1.8V, 4.5V
65mOhm a 3A, 4.5V
800mV a 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
±10V
515 pF @ 10 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
18,016
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11948
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.1 A (Tc)
2.5V, 10V
65mOhm a 4A, 10V
900mV a 250µA
6.4 nC @ 4.5 V
±12V
810 pF @ 15 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
65,171
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12080
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.8 A (Tc)
1.8V, 4.5V
25mOhm a 4A, 4.5V
800mV a 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±10V
535 pF @ 10 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
53,403
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09915
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.5 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
345 pF @ 25 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
81,820
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13200
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.5 A (Tc)
2.5V, 4.5V
32mOhm a 4A, 4.5V
900mV a 250µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
792 pF @ 15 V
-
1.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
128,877
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10775
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.7 A (Tc)
1.8V, 4.5V
50mOhm a 3A, 4.5V
800mV a 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±10V
850 pF @ 10 V
-
1.56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2302CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
26,357
En stock
1 : $0.54000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15195
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.9 A (Tc)
2.5V, 4.5V
65mOhm a 3.2A, 4.5V
1.2V a 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±8V
587 pF @ 10 V
-
1.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
44,094
En stock
1 : $0.61000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Tc)
4.5V, 10V
90mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251 (IPAK)
Conductores stub TO-251-3, IPAK
BSS138
TSM260P02CX RFG
-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Taiwan Semiconductor Corporation
3,027
En stock
1 : $0.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17423
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Tc)
1.8V, 2.5V, 4.5V
26mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1670 pF @ 15 V
-
1.56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
-
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2305CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
103,381
En stock
1 : $0.67000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16800
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
55mOhm a 3.2A, 4.5V
1V a 250µA
10 nC @ 10 V
±8V
990 pF @ 10 V
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1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4,134
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.20361
Cinta y rollo (TR)
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Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1.5 A (Ta)
10V
250mOhm a 1.5A, 10V
2.5V a 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
975 pF @ 25 V
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1.38W (Ta)
150°C (TJ)
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Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 546

Taiwan Semiconductor Corporation FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.