Rohm Semiconductor FET simple, MOSFET

Resultados : 1,261
Serie
-*OptiMOS®
Embalaje
BandejaBolsaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V20 V30 V40 V45 V50 V60 V80 V100 V150 V190 V200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100mA (Ta)115mA (Ta)150mA (Ta)180mA (Ta)200mA (Ta)210mA (Ta)230mA (Ta)250mA (Ta)300mA (Ta)310mA (Ta)380mA (Ta)400mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0.9V, 4.5V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V1.8V, 4V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.5V, 4V4V, 10V4.5V4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.1mOhm a 90A, 10V1.34mOhm a 90A, 10V1.38mOhm a 90A, 10V1.47mOhm a 90A, 10V1.64mOhm a 90A, 10V1.7mOhm a 35A, 10V1.84mOhm a 90A, 10V1.86mOhm a 50A, 10V1.9mOhm a 32A, 10V2.1mOhm a 32A, 10V2.2mOhm a 30A, 10V2.3mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
800mV a 1mA1V a 100µA1V a 1mA1.2V a 1mA1.3V a 1mA1.5V a 100µA1.5V a 10mA1.5V a 11mA1.5V a 1mA1.5V a 2mA2V a 10µA2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 5 V1.8 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 5 V2 nC @ 4.5 V2 nC @ 5 V2.1 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 5 V2.1 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V-8V, 0V+5V, -20V+6V, -10V+7V, -0.2V±8V±10V10V±12V12V±20V20V+21V, -4V±21V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V12 pF @ 10 V13 pF @ 5 V15 pF @ 10 V15 pF @ 25 V15 pF @ 30 V18 pF @ 10 V20 pF @ 10 V24 pF @ 10 V25 pF @ 10 V26 pF @ 10 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)150mW (Ta)200mW200mW (Ta)225mW (Ta)300mW (Ta)320mW (Ta)350mW (Ta)350mW (Tc)400mW (Ta)500mW (Ta)540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-WEMT8-HSMT (3.2x3)8-HSOP8-PSOP8-SOIC8-SOP8-SOP-J8-TSST-CPT3DFN1006-3DFN1010-3W
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductores planos3-SMD, sin conductor3-XDFN3-XFDFN6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWFDFN6-SMD (5 conductores), conductores planos6-SMD, conductores planosPlaca descubierta 6-UDFN8-PowerDFN8-PowerTDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
1,261Resultados
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Demostración
de 1,261
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,217,847
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02947
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 100mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
504,902
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03873
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
606,395
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04243
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 200mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
738,330
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04666
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
1.2V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
888,750
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.05625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
RV2C001ZPT2L
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Rohm Semiconductor
28,697
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
1.2V, 4.5V
470mOhm a 500mA, 4.5V
1V a 1mA
-
±8V
40 pF @ 10 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VML1006
SC-101, SOT-883
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
152,501
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.11403
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
150mA (Ta)
1.5V, 4.5V
2Ohm a 150mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VML0604
3-XFDFN
RTF025N03FRATL
RTF016N05TL
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Rohm Semiconductor
3,795
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13045
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
45 V
1.6 A (Ta)
2.5V, 4.5V
190mOhm a 1.6A, 4.5V
1.5V a 1mA
2.3 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TUMT3
3-SMD, conductores planos
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
22,114
En stock
1 : $0.82000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23998
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4 A (Ta)
1.5V, 4.5V
35mOhm a 4A, 4.5V
1.3V a 1mA
8 nC @ 4.5 V
±10V
680 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT3
SC-96
RTF025N03FRATL
RTF025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
Rohm Semiconductor
16,188
En stock
1 : $0.84000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24824
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
67mOhm a 2.5A, 4.5V
1.5V a 1mA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TUMT3
3-SMD, conductores planos
TO-243AA
2SK3065T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
26,571
En stock
1 : $0.88000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.29512
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2 A (Ta)
2.5V, 4V
320mOhm a 1A, 4V
1.5V a 1mA
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
MPT3
TO-243AA
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6L035ATTCR
PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Rohm Semiconductor
8,392
En stock
1 : $1.05000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.31657
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.5 A (Ta)
4.5V, 10V
78mOhm a 3.5A, 10V
2.5V a 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 30 V
-
950mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT6 (SC-95)
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
HSOP8
RS1G150MNTB
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Rohm Semiconductor
4,795
En stock
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.36972
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
15A (Ta), 43A (Tc)
4.5V, 10V
10.6mOhm a 15A, 10V
2.5V a 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 20 V
-
3W (Ta), 25W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HSOP
8-PowerTDFN
BA17818FP-E2
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Rohm Semiconductor
9,955
En stock
1 : $1.88000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.64000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
10 A (Tc)
10V
182mOhm a 5A, 10V
5.25V a 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1400 pF @ 25 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BA17818FP-E2
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
9,484
En stock
1 : $2.55000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.95625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
7.1mOhm a 70A, 10V
2.5V a 1mA
105 nC @ 10 V
±20V
5550 pF @ 20 V
-
101W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RXH070N03TB1
RS3L110ATTB1
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
Rohm Semiconductor
5,627
En stock
1 : $2.65000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.00250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Ta)
4.5V, 10V
12.8mOhm a 11A, 10V
2.5V a 1mA
115 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 30 V
-
1.4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,141
En stock
1 : $2.86000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.10750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
22 A (Ta), 76 A (Tc)
4.5V, 10V
4.1mOhm a 22A, 10V
2.5V a 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-SOIC
RS3E180ATTB1
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Rohm Semiconductor
4,154
En stock
1 : $2.86000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.10750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Ta)
4.5V, 10V
5.4mOhm a 18A, 10V
2.5V a 5mA
160 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
LPTS
R6020ENJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Rohm Semiconductor
2,781
En stock
1 : $3.14000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.25250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20 A (Tc)
10V
196mOhm a 9.5A, 10V
4V a 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LPTS
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,490
En stock
1 : $6.89000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
21 A (Tc)
18V
156mOhm a 6.7A, 18V
5.6V a 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V, -4V
460 pF @ 500 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,874
En stock
1 : $9.60000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
18V
208mOhm a 5A, 18V
5.6V a 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V, -4V
398 pF @ 800 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
1,276
En stock
1 : $14.50000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $8.81750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
24 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247N
SCT3080KLGC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
410
En stock
1 : $19.83000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
31 A (Tc)
18V
104mOhm a 10A, 18V
5.6V a 5mA
60 nC @ 18 V
+22V, -4V
785 pF @ 800 V
-
165W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
490
En stock
1 : $30.80000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
105 A (Tc)
18V
16.9mOhm a 58A, 18V
4.8V a 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
818
En stock
1 : $35.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
18V
52mOhm a 20A, 18V
5.6V a 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
-
262W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
Demostración
de 1,261

Rohm Semiconductor FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.