onsemi FET simple, MOSFET

Resultados : 6,902
Serie
-*Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™DUAL COOL®Dual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™FETKY™FRFET ®, UniFET™FRFET®FRFET®, QFET™
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V10 V12 V16 V20 V24 V25 V28 V30 V35 V40 V45 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
70mA (Ta)100mA (Ta)100mA (Tj)115mA (Ta)115mA (Tc)120mA (Ta)127mA (Ta)130mA (Ta)150mA150mA (Ta)150mA (Tj)154mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0.9V, 2.5V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.65V, 4.5V1.7V, 4.5V1.8V, 10V1.8V, 2.5V1.8V, 4.5V1.8V, 4V2V, 2.8V2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.4 mOhm a 50A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 50A, 10V0.48 mOhm a 50A, 10V0.49mOhm a 50A, 10V0.52mOhm a 30A, 10V0.52mOhm a 50A, 10V0.53mOhm a 50A, 10V0.55mOhm a 80A, 10V0.56mOhm a 64A, 10V0.57mOhm a 30A, 10V0.57mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
450mV a 250µA (mín.)600mV a 250µA (mín.)720mV a 250µA800mV a 1mA800mV a 250µA850mV a 250µA900mV a 1mA900mV a 250µA1V a 1mA1V a 250µA1.06V a 250µA1.1V a 10µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.31 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.81 nC @ 5 V0.84 nC @ 10 V0.9 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V1 nC @ 5 V1 nC @ 10 V1.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-8V±5V+5.5V, -0.3V±6V±8V8V±9V+10V, -8V±10V±12V±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6.2 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V9.5 pF @ 10 V11 pF @ 10 V12.3 pF @ 15 V12.8 pF @ 15 V13 pF @ 15 V14 pF @ 20 V14 pF @ 25 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)150mW (Ta)155mW (Ta)170mW (Ta)178mW (Ta)200mW (Ta)200mW (Tc)225mW (Ta)250mW (Ta)280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-25°C ~ 150°C (TJ)125°C (TJ)150°C150°C (TA)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-CPH3-MCPH3-SPA3-SSFP3-XDFN (0.42x0.62)3-XLLGA (0.62x0.62)4-ECSP10084-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)4-PLLP (6.2x5.2)4-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)
3-SIP3-SMD, conductores planos3-XFDFN3-XFLGA4-DFN4-ICEPAK4-PowerTSFN4-UFBGA, WLCSP4-UFDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLCSP
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
6,902Resultados
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Demostración
de 6,902
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
119,617
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03324
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
342,443
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03550
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
428,377
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03946
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
224,322
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04623
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
220mA (Ta)
2.7V, 4.5V
4Ohm a 400mA, 4.5V
1.06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
188,003
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04774
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
154mA (Tj)
2.5V, 4.5V
7Ohm a 154mA, 4.5V
1.5V a 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
254,656
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05132
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
144,880
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04939
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
220mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
1.6V a 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
78,831
En stock
408,000
Fábrica
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04894
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
2.75V, 5V
3.5Ohm a 200mA, 5V
1.5V a 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
56,919
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04260
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
5V
3.5Ohm a 200mA, 5V
1.5V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
33,949
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04954
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 100mA, 10V
2.6V a 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
333,718
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05265
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
5V
3.5Ohm a 200mA, 5V
1.5V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
16,597
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05245
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
226,123
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04838
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
199,087
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05573
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
174,388
En stock
1,017,000
Fábrica
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05588
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
BSS138K
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
87,082
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05617
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
220mA (Ta)
1.8V, 2.5V
1.6Ohm a 50mA, 5V
1.2V a 250µA
2.4 nC @ 10 V
±12V
58 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-723_631AA
NTK3043NT1G
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
onsemi
75,441
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.05411
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
210mA (Ta)
1.65V, 4.5V
3.4Ohm a 10mA, 4.5V
1.3V a 250µA
-
±10V
11 pF @ 10 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-723
SOT-723
BCV27
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
94,735
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05776
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200mA
4.5V, 10V
5Ohm a 200mA, 10V
2.5V a 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
389,048
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06435
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
680mA (Ta)
2.7V, 4.5V
450mOhm a 500mA, 4.5V
1.5V a 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
onsemi
254,663
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06336
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
915mA (Ta)
1.5V, 4.5V
230mOhm a 600mA, 4.5V
1.1V a 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
MMBT2222AWT1G
2N7002W
MOSFET SOT323 N 60V 13.5OHM
onsemi
3,340
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06816
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 50mA, 5V
2V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
136,852
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06824
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
760mA (Tj)
1.8V, 4.5V
360mOhm a 350mA, 4.5V
1.2V a 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
BSS138W
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
28,294
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07067
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70-3
NTS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
31,583
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07289
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
270mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SC-89-3_463C
NTE4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
onsemi
125,278
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07880
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
915mA (Ta)
1.5V, 4.5V
230mOhm a 600mA, 4.5V
1.1V a 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-89-3
SC-89, SOT-490
Demostración
de 6,902

onsemi FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.