Canal P FET simple, MOSFET

Resultados : 6,213
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOFairchild SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101BSSCMSDeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIFemtoFET™FETKY™GHEXFET®
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tecnología
-GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-30 V6 V8 V12 V14 V15 V16 V16.5 V20 V25 V28 V30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35mA (Ta)45mA (Ta)50mA50mA (Ta)54mA (Tj)65mA (Ta)70mA (Ta)75mA (Ta)85mA (Tj)86mA (Tj)90mA (Ta)100mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V1.5V, 2.5V1.5V, 3.7V1.5V, 4.5V1.5V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.4mOhm a 10A, 10V1.4mOhm a 23A, 10V1.5mOhm a 20A, 10V1.6mOhm a 25A, 10V1.7mOhm a 20A, 10V1.7mOhm a 30A, 4.5V1.8mOhm a 100A, 10V1.8mOhm a 23A, 10V1.9mOhm a 25A, 10V1.95mOhm a 25A, 10V2mOhm a 10A, 10V2.1mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 250µA450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)500mV a 250µA (mín.)600mV a 1mA (típico)600mV a 250µA (mín.)600mV a 500µA (mín.)650mV a 250µA680mV a 1mA (típico)700mV a 250µA700mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.4 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4 V0.5 nC @ 4.5 V500 pC @ 4.5 V0.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V+5V, -20V±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V5.2 pF @ 6 V6.2 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V9.1 pF @ 3 V10 pF @ 15 V11 pF @ 3 V11 pF @ 10 V12 pF @ 3 V12.2 pF @ 3 V12.8 pF @ 15 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
100mW100mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)150mW150mW (Ta)155mW (Ta)170mW (Ta)190mW (Ta)200mW200mW (Ta)225mW
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-50°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/630
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CPH3-DFN (1.0 x 0.60)3-LGA (0.73x0.64)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-SPA3-SSFP3-XDFN (0.42x0.62)3-XLLGA (0.62x0.62)4-AlphaDFN (0.97x0.97)
Paquete / Caja (carcasa)
3-PowerSMD, conductores planos3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-SMD, SOT-23-3 variante3-UDFN3-UFDFN3-XDFN3-XFDFN3-XFLGAPlaca descubierta 3-XDFN4-DIP (0.300", 7.62mm)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
6,213Resultados
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Demostración
de 6,213
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
616,690
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02848
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
409,287
En stock
53,577,000
Fábrica
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03661
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
341,488
En stock
8,604,000
Fábrica
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04394
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
460mA (Ta)
1.8V, 4.5V
700mOhm a 350mA, 4.5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
159,688
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04609
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
10V
10Ohm a 130mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW (Tc)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
243,856
En stock
8,037,000
Fábrica
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04879
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
820mA (Ta)
1.8V, 4.5V
750mOhm a 430mA, 4.5V
1V a 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
114,744
En stock
408,000
Fábrica
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04623
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
120mOhm a 2.8A, 4.5V
1.2V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
359,694
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04983
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 170mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
76,324
En stock
360,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04570
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
75,115
En stock
4,176,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05368
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
52mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
16,657
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05245
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
197,739
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05646
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.8 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
62,904
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05640
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
4.5V
200mOhm a 1A, 4.5V
1.15V a 250µA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
280 pF @ 10 V
-
290mW (Ta), 1.67W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
329,904
En stock
1,272,000
Fábrica
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06150
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.8 A (Ta)
1.8V, 4.5V
62mOhm a 4.2A, 4.5V
1V a 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13,177
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06150
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.9 A (Ta)
1.5V, 4.5V
93mOhm a 1.5A, 4.5V
1V a 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
295,817
En stock
2,964,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06407
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMP2100U-7
MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
198,087
En stock
234,000
Fábrica
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06746
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.3 A (Ta)
1.8V, 10V
38mOhm a 3.5A, 10V
1.4V a 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±10V
216 pF @ 15 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
144,354
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06717
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
1.8V, 10V
42mOhm a 5A, 10V
1.2V a 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
142,355
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06703
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.3 A (Ta)
1.8V, 10V
72mOhm a 4.2A, 10V
1.3V a 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2305U-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
71,010
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06548
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
60mOhm a 4.2A, 4.5V
900mV a 250µA
7.6 nC @ 4.5 V
±8V
727 pF @ 20 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
147,250
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06858
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
71mOhm a 3A, 10V
2V a 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
136,312
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06824
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
760mA (Tj)
1.8V, 4.5V
360mOhm a 350mA, 4.5V
1.2V a 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
67,502
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06858
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
1.8V, 10V
42mOhm a 5A, 10V
1.2V a 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
511,881
En stock
528,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05190
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.5 A (Ta)
4.5V, 10V
95mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2160U-7
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
71,847
En stock
1,566,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07137
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
80mOhm a 1.5A, 4.5V
900mV a 250µA
-
±12V
627 pF @ 10 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2045U-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
54,423
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07137
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.3 A (Ta)
1.8V, 4.5V
45mOhm a 4A, 4.5V
1V a 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 6,213

Canal P FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.