8-PowerWDFN FET simple, MOSFET

Resultados : 530
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.Comchip TechnologyDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™ 7PerFET™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™QFET®
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Granel
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V20 V25 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V220 V250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1 A (Ta), 1.8 A (Tc)1 A (Ta), 7 A (Tc)2 A (Ta), 8.4 A (Tc)2A (Ta), 13A (Tc)2.2 A (Ta), 9.5 A (Tc)2.4 A (Ta)2.4 A (Ta), 15 A (Tc)2.7 A (Ta), 9 A (Tc)2.8 A (Ta), 14 A (Tc)2.8 A (Ta), 9.4 A (Tc)3 A (Tc)3.2 A (Ta), 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.5V, 8V4.5V, 10V4.5V, 11.5V4.5V, 7V6V, 10V6.5V, 10V7V, 10V8V, 10V10V-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.45mOhm a 30A, 7V0.58mOhm a 20A, 10V1mOhm a 38A, 10V1.1mOhm a 60A, 10V1.1mOhm a 75A, 10V1.2mOhm a 20A, 10V1.23mOhm a 35A, 10V1.24mOhm a 50A, 10V1.25mOhm a 20A, 10V1.28mOhm a 37A, 10V1.3mOhm a 30A, 10V1.35mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
900mV a 250µA1V a 250µA1.2V a 250µA1.5V a 1mA1.5V a 250µA1.6V a 250µA1.65V a 250µA1.8V a 250µA2V a 120µA2V a 15µA2V a 20µA2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V3.8 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V5.7 nC @ 10 V5.8 nC @ 10 V5.9 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±7V±8V+12V, -5V±12V+16V, -12V±16V+20V, -16V+20V, -25V±20V±25V±30V-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
210 pF @ 75 V220 pF @ 40 V250 pF @ 25 V255 pF @ 30 V258 pF @ 40 V270 pF @ 25 V305 pF @ 50 V310 pF @ 50 V325 pF @ 25 V327 pF @ 25 V333 pF @ 30 V345 pF @ 25 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
660mW (Ta), 32.9W (Tc)660mW (Ta), 38.5W (Tc)660mW (Ta), 46.3W (Tc)690mW (Ta), 20.2W (Tc)780mW (Ta), 21.5W (Tc)790mW (Ta), 20.2W (Tc)790mW (Ta), 23.6W (Tc)800mW (Ta), 48W (Tc)810mW (Ta), 20.8W (Tc)810mW (Ta), 22.3W (Tc)810mW (Ta), 31W (Tc)820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN (3.3x3.3)8-DFN (5x6)8-DFN-EP (3.3x3.3)8-HWSON (3.3x3.3)8-MLP (3.3x3.3)8-MLP (5x6)8-MLP (5x6), Power568-MLP, MicroFET (3x1.9)8-PDFN (3.15x3.1)8-PDFN (3.1x3.1)8-PDFN (SPR-PAK ) (3.3x3.3)8-PPAK (3.1x3.1)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
530Resultados
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Demostración
de 530
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-WDFN
NTTFS5C673NLTAG
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
onsemi
5,047
En stock
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.31457
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
13 A (Ta), 50 A (Tc)
4.5V, 10V
9.3mOhm a 25A, 10V
2V a 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
3.1W (Ta), 46W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5C454NLTAG
MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
onsemi
1,630
En stock
1,500
Fábrica
1 : $0.94000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.36437
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
20 A (Ta), 85 A (Tc)
4.5V, 10V
3.8mOhm a 20A, 10V
2V a 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
3.2W (Ta), 55W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
37,895
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.29976
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
64 A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 14A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PDFN (3.1x3.1)
8-PowerWDFN
AON7421
AON7423
MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
53,022
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35844
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
28 A (Ta), 50 A (Tc)
1.5V, 4.5V
5mOhm a 20A, 4.5V
900mV a 250µA
100 nC @ 4.5 V
±8V
5626 pF @ 10 V
-
6.2W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN-EP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
onsemi
4,459
En stock
1 : $1.21000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.40199
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
5.7 A (Ta)
4.5V, 10V
52mOhm a 6A, 10V
3V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 30 V
-
3.2W (Ta), 40W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC86116LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
onsemi
3,609
En stock
1 : $1.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.37875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
3.3 A (Ta), 7.5 A (Tc)
4.5V, 10V
103mOhm a 3.3A, 10V
2.2V a 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
310 pF @ 50 V
-
2.3W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC4435BZ
FDMC4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
onsemi
28,118
En stock
1 : $1.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.40294
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8.5 A (Ta), 18 A (Tc)
4.5V, 10V
20mOhm a 8.5A, 10V
3V a 250µA
46 nC @ 10 V
±25V
2045 pF @ 15 V
-
2.3W (Ta), 31W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
12,671
En stock
1 : $1.34000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.41412
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6 A (Ta)
4.5V, 10V
52mOhm a 7A, 10V
3V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W (Ta), 21W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
onsemi
9,169
En stock
1 : $1.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.43063
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
12 A (Ta), 14 A (Tc)
4.5V, 10V
9.7mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W (Ta), 30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 POWER WDFN
FDMC86244
MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
onsemi
6,878
En stock
1 : $1.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.45875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
2.8 A (Ta), 9.4 A (Tc)
6V, 10V
134mOhm a 2.8A, 10V
4V a 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
345 pF @ 75 V
-
2.3W (Ta), 26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC2610
FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
onsemi
7,714
En stock
1 : $1.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.46117
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
2 A (Ta), 8.4 A (Tc)
6V, 10V
307mOhm a 2A, 10V
4V a 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
885 pF @ 75 V
-
2.3W (Ta), 40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
AON7421
AON7254
MOSFET N-CH 150V 5.5A/17A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
35,100
En stock
1 : $1.49000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.47375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
5.5 A (Ta), 17 A (Tc)
4.5V, 10V
54mOhm a 5A, 10V
2.7V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 75 V
-
4.1W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN-EP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC2610
FDMC6679AZ
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
onsemi
2,190
En stock
1 : $1.58000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.51225
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11.5 A (Ta), 20 A (Tc)
4.5V, 10V
10mOhm a 11.5A, 10V
3V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3970 pF @ 15 V
-
2.3W (Ta), 41W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
onsemi
12,470
En stock
1,500
Fábrica
1 : $1.59000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.45117
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
23 A (Ta), 107 A (Tc)
4.5V, 10V
3mOhm a 40A, 10V
2V a 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
3.3W (Ta), 68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5116PLWFTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
14,982
En stock
1 : $1.60000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.54000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6 A (Ta)
4.5V, 10V
52mOhm a 7A, 10V
3V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W (Ta), 21W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
AON7421
AONR66922
MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,192
En stock
1 : $1.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.51875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Ta), 50 A (Tc)
4.5V, 10V
9mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 50 V
-
4.1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN-EP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC2610
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
3,596
En stock
1 : $1.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.57487
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7 A (Ta), 18 A (Tc)
4.5V, 10V
23mOhm a 7A, 10V
3V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.3W (Ta), 41W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDM3622
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
onsemi
7,500
En stock
1 : $1.73000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.60087
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
4.4 A (Ta)
6V, 10V
60mOhm a 4.4A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1090 pF @ 25 V
-
2.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC2610
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
onsemi
15,687
En stock
1 : $2.01000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.72975
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
4.4 A (Ta), 15 A (Tc)
6V, 10V
67mOhm a 4.4A, 10V
4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
1335 pF @ 50 V
-
2.3W (Ta), 40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC2610
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
4,744
En stock
1 : $2.01000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.73113
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7 A (Ta), 18 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 6.5A, 10V
2.2V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W (Ta), 41W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC86261P
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
onsemi
7,105
En stock
1 : $2.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.74250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
2.7 A (Ta), 9 A (Tc)
6V, 10V
160mOhm a 2.4A, 10V
4V a 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1360 pF @ 75 V
-
2.3W (Ta), 40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
Power33
FDMC8360LET40
MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
onsemi
19,610
En stock
27,000
Fábrica
1 : $2.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.82563
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
27 A (Ta), 141 A (Tc)
4.5V, 10V
2.1mOhm a 27A, 10V
3V a 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 20 V
-
2.8W (Ta), 75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Power33
8-PowerWDFN
8-WDFN
FDMC86184
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
onsemi
7,917
En stock
1 : $2.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.85913
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
6V, 10V
8.5mOhm a 21A, 10V
4V a 110µA
20 nC @ 6 V
±20V
2090 pF @ 50 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
Power33
FDMC8360L
MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
onsemi
2,986
En stock
1 : $2.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.86325
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
27 A (Ta), 80 A (Tc)
4.5V, 10V
2.1mOhm a 27A, 10V
3V a 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5795 pF @ 20 V
-
2.3W (Ta), 54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Power33
8-PowerWDFN
FDMC2610
FDMC510P
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
onsemi
69,350
En stock
87,000
Fábrica
1 : $2.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.87587
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
12 A (Ta), 18 A (Tc)
1.5V, 4.5V
8mOhm a 12A, 4.5V
1V a 250µA
116 nC @ 4.5 V
±8V
7860 pF @ 10 V
-
2.3W (Ta), 41W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
Demostración
de 530

8-PowerWDFN FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.