5.9 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 9
Fabricante
Fairchild SemiconductorInternational RectifierNXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
Serie
-HEXFET®QFET®TrenchFET®TrenchMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V200 V600 V800 V1700 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V2.5V, 4.5V4.5V, 10V10V18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
32mOhm a 4A, 4.5V37mOhm a 1.5A, 4.5V45mOhm a 4.2A, 10V400mOhm a 3.5A, 10V975mOhm a 1.7A, 18V1.2Ohm a 2.95A, 10V1.6Ohm a 3.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA1.5V a 1mA2.5V a 250µA4V a 250µA4V a 630µA5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.8 nC @ 4.5 V17 nC @ 18 V21 nC @ 10 V36 nC @ 8 V43 nC @ 10 V57 nC @ 10 V60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V±12V±20V+22V, -6V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
275 pF @ 800 V410 pF @ 20 V590 pF @ 15 V800 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V2350 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
280mW (Tj)1W (Ta), 1.7W (Tc)1.25W (Ta), 2.5W (Tc)35W (Tc)57W (Tc)107W (Tc)150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23 (TO-236AB)SOT-23-3 (TO-236)TO-220-3TO-247AC (TO-3P)TO-268TO-3PF
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3, conductores aislados, paquete completoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-247-3TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AATO-3P-3 paquete completo
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
9Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 9
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
Vishay Siliconix
11,459
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08110
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.9 A (Tc)
1.8V, 4.5V
32mOhm a 4A, 4.5V
1V a 250µA
36 nC @ 8 V
±8V
-
-
1W (Ta), 1.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Vishay Siliconix
15,387
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.19438
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.9 A (Tc)
4.5V, 10V
45mOhm a 4.2A, 10V
2.5V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
590 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SCT2xxxNYTB
SCT2750NYTB
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
Rohm Semiconductor
1,198
En stock
1 : $6.97000
Cinta cortada (CT)
400 : $3.49500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5.9 A (Tc)
18V
975mOhm a 1.7A, 18V
4V a 630µA
17 nC @ 18 V
+22V, -6V
275 pF @ 800 V
-
57W (Tc)
175°C (TJ)
Montaje en superficie
TO-268
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
TO-220AB Full Pack
IRFI630GPBF
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Vishay Siliconix
1,620
En stock
1 : $2.97000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
5.9 A (Tc)
10V
400mOhm a 3.5A, 10V
4V a 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
IFEINFAIGW50N65F5XKSA1
IRFPC42
3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
International Rectifier
5,701
Mercado
214 : $1.40000
Granel
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.9 A (Tc)
10V
1.6Ohm a 3.7A, 10V
4V a 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-247AC (TO-3P)
TO-247-3
2SK4221
FQAF8N80
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Fairchild Semiconductor
557
Mercado
166 : $1.81000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
5.9 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 2.95A, 10V
5V a 250µA
57 nC @ 10 V
±30V
2350 pF @ 25 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-3PF
TO-3P-3 paquete completo
SOT-23
PMV31XN,215
MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB
NXP USA Inc.
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.9 A (Tc)
2.5V, 4.5V
37mOhm a 1.5A, 4.5V
1.5V a 1mA
5.8 nC @ 4.5 V
±12V
410 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23 (TO-236AB)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-220F
FQAF8N80
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
onsemi
0
En stock
360 : $1.63942
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
5.9 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 2.95A, 10V
5V a 250µA
57 nC @ 10 V
±30V
2350 pF @ 25 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-3PF
TO-3P-3 paquete completo
TO-220AB Full Pack
IRFI630G
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Vishay Siliconix
0
En stock
1,000 : $2.96250
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
5.9 A (Tc)
10V
400mOhm a 3.5A, 10V
4V a 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Demostración
de 9

5.9 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.