5.5 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 125
Fabricante
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
Serie
-448HEXFET®MDmesh™ II PlusMDmesh™ M2MDmesh™ M2-EPMDmesh™ M6PowerMESH™ IIQFET®SIPMOS®SuperMESH3™TrenchFET®TrenchMOS™UniFET-II™
Embalaje
BandejaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V55 V60 V100 V150 V200 V250 V300 V350 V400 V500 V600 V620 V650 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V4.5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V10V12V-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
24.5mOhm a 5.5A, 10V25mOhm a 4A, 10V32mOhm a 4A, 4.5V82mOhm a 4.5A, 10V84mOhm a 3.9A, 10V137mOhm a 5A, 10V150mOhm a 5A, 10V150mOhm a 5A, 5V350mOhm a 2.75A, 10V364mOhm a 5.5A, 12V400mOhm a 3.5A, 10V420mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
900mV a 250µA2V a 1mA2V a 250µA2.5V a 1mA2.5V a 250µA4V a 1mA4V a 250µA4.5V a 250µA4.5V a 50µA4.75V a 250µA5V a 250µA-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.29 nC @ 10 V5.3 nC @ 5 V5.6 nC @ 10 V6 nC @ 5 V6.2 nC @ 10 V7 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V8.8 nC @ 10 V8.9 nC @ 4.5 V9 nC @ 5 V9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V±12V±15V±20V±25V±30V-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
175 pF @ 25 V220 pF @ 100 V230 pF @ 25 V250 pF @ 25 V290 pF @ 25 V300 pF @ 25 V320 pF @ 25 V320 pF @ 100 V325 pF @ 100 V330 pF @ 25 V335 pF @ 75 V338 pF @ 100 V
Característica de FET
-Detección de corriente
Disipación de potencia (Máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)1.5W (Tc)1.56W (Tc)1.8W (Tc)2.5W (Ta), 45W (Tc)2.5W (Ta), 50W (Tc)3.1W (Ta), 74W (Tc)3.13W (Ta), 130W (Tc)3.13W (Ta), 63W (Tc)3.13W (Ta), 73W (Tc)4W (Ta), 75W (Tc)5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)150°C (TJ)
Grado
Uso automotrizUsos militares
Calificación
AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/601
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP8-SOIC18-ULCC (9.14x7.49)D2PAKDPAKI2PAKIPAKITO-220ITO-220ABPG-TO220-3PG-TO220-3-1PowerFlat™ (5x6) HV
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN8-SMD, conductores planos8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)18-CLCCConductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores cortos TO-262-3, I2PAKConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAPaquete completo TO-262-3, I2PAKSOT-23-6 delgado, TSOT-23-6TO-204AA, TO-3TO-205AF LataTO-220-3TO-220-3 paquete completoTO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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de 125
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT223
BUK98150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
65,051
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.16139
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.5 A (Tc)
4.5V, 10V
137mOhm a 5A, 10V
2V a 1mA
5.3 nC @ 5 V
±15V
320 pF @ 25 V
-
8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
81,820
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13200
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.5 A (Tc)
2.5V, 4.5V
32mOhm a 4A, 4.5V
900mV a 250µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
792 pF @ 15 V
-
1.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT223
BUK78150-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
66,288
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.13419
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.5 A (Tc)
10V
150mOhm a 5A, 10V
4V a 1mA
-
±20V
230 pF @ 25 V
-
8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
8-SOIC
SI4848ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
Vishay Siliconix
5,415
En stock
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.24307
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
5.5 A (Tc)
6V, 10V
84mOhm a 3.9A, 10V
4V a 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 75 V
-
5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STMicroelectronics
1,897
En stock
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.23083
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5 A (Tc)
10V
1.25Ohm a 2A, 10V
4V a 250µA
6.2 nC @ 10 V
±25V
220 pF @ 100 V
-
6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-2
TO-261-3
TO-252AA
FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
onsemi
2,110
En stock
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.29438
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
5.5 A (Tc)
5V, 10V
750mOhm a 2.75A, 10V
2V a 250µA
9 nC @ 5 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 45W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRF730PBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
25,512
En stock
1 : $1.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
5.5 A (Tc)
10V
1Ohm a 3.3A, 10V
4V a 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
846~TSMT8~~8 Top
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
Rohm Semiconductor
3,311
En stock
1 : $1.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.39861
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.5 A (Tc)
10V
24.5mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 1mA
18.8 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 15 V
-
1.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT8
8-SMD, conductores planos
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
STMicroelectronics
3,690
En stock
1 : $1.44000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.46104
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5 A (Tc)
10V
780mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220FP
STF6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
852
En stock
1 : $2.08000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
620 V
5.5 A (Tc)
10V
1.28Ohm a 2.8A, 10V
4.5V a 50µA
34 nC @ 10 V
±30V
875 pF @ 50 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220AB
IRF730APBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
984
En stock
1 : $2.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
5.5 A (Tc)
-
1Ohm a 3.3A, 10V
4.5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
SIHP23N60E-GE3
IRF730APBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
429
En stock
1 : $2.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
5.5 A (Tc)
10V
1Ohm a 3.3A, 10V
4.5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263AB
IRF730ASPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Vishay Siliconix
1,500
En stock
1 : $2.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
5.5 A (Tc)
10V
1Ohm a 3.3A, 10V
4.5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±30V
600 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220AB Full Pack
IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Vishay Siliconix
791
En stock
1 : $4.29000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5 A (Tc)
10V
750mOhm a 3.3A, 10V
4V a 250µA
49 nC @ 10 V
±30V
1400 pF @ 25 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
TO-220AB
IRF730PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Vishay Siliconix
2,982
En stock
1 : $1.86000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
5.5 A (Tc)
10V
1Ohm a 3A, 10V
4V a 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
SOT223
BUK78150-55A/CUF
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Nexperia USA Inc.
3,819
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.13501
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.5 A (Tc)
10V
150mOhm a 5A, 10V
4V a 1mA
-
±20V
230 pF @ 25 V
-
8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
TO-251 IPAK
STU9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
STMicroelectronics
1,786
En stock
1 : $1.50000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5 A (Tc)
10V
780mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251 (IPAK)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
TO-220-F
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
STMicroelectronics
1,978
En stock
1 : $1.59000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.5 A (Tc)
10V
780mOhm a 3A, 10V
4V a 250µA
10 nC @ 10 V
±25V
320 pF @ 100 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-251 IPAK
STU6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
STMicroelectronics
14,990
En stock
1 : $2.23000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
620 V
5.5 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 2.8A, 10V
4.5V a 50µA
30 nC @ 10 V
±30V
875 pF @ 50 V
-
90W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251 (IPAK)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
568-SOT-223(SC-73)SOT223-1
PHT6N06T,135
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
NXP USA Inc.
0
En stock
8,364
Mercado
1,332 : $0.23000
Granel
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.5 A (Tc)
10V
150mOhm a 5A, 10V
4V a 1mA
5.6 nC @ 10 V
±20V
175 pF @ 25 V
-
8.3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-73
TO-261-4, TO-261AA
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF7N10L
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
Fairchild Semiconductor
5,887
Mercado
1,025 : $0.29000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
5.5 A (Tc)
5V, 10V
350mOhm a 2.75A, 10V
2V a 250µA
6 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
23W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220AB Full Pack
NDF05N50ZH
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220FP
onsemi
0
En stock
220,789
Mercado
987 : $0.30000
Tubo
-
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
5.5 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 2.2A, 10V
4.5V a 50µA
28 nC @ 10 V
±30V
632 pF @ 25 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-2, paquete completo
TO-220-3 paquete completo
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
IRF730B
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
238,000
Mercado
952 : $0.32000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
400 V
5.5 A (Tc)
10V
1Ohm a 2.75A, 10V
4V a 250µA
33 nC @ 10 V
±30V
1000 pF @ 25 V
-
73W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQP6N25
MOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3
Fairchild Semiconductor
1,189
Mercado
888 : $0.34000
Tubo
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
5.5 A (Tc)
10V
1Ohm a 2.75A, 10V
5V a 250µA
8.5 nC @ 10 V
±30V
300 pF @ 25 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
BAT54
GSFC0306
MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Good-Ark Semiconductor
5,985
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07358
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.5 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 4A, 10V
2.5V a 250µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
520 pF @ 15 V
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1.56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 125

5.5 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.