Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 116
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Tubo
Estado del producto
ActivoObsoleto
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V600 V650 V800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4.5 A (Ta)5.2 A (Ta)5.4 A (Ta)5.8 A (Ta)6.2 A (Ta)6.5 A (Ta)6.8 A (Ta)7 A (Ta)7.8 A (Ta)8 A (Ta)9.3 A (Ta)9.5 A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
18mOhm a 50A, 10V38mOhm a 30.9A, 10V40mOhm a 30.9A, 10V45mOhm a 30.9A, 10V65mOhm a 19.4A, 10V74mOhm a 19.4A, 10V80mOhm a 17.5A, 10V88mOhm a 15.4A, 10V95mOhm a 17.5A, 10V98mOhm a 15.4A, 10V99mOhm a 15.4A, 10V109mOhm a 15.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1.6mA3.5V a 170µA3.5V a 180µA3.5V a 2.1mA3.5V a 250µA3.5V a 300µA3.5V a 350µA3.5V a 450µA3.5V a 690µA3.5V a 900µA3.7V a 1.5mA3.7V a 1.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V18.5 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
370 pF @ 300 V380 pF @ 300 V390 pF @ 300 V490 pF @ 300 V570 pF @ 300 V590 pF @ 300 V700 pF @ 300 V720 pF @ 300 V890 pF @ 300 V1150 pF @ 300 V1300 pF @ 300 V1350 pF @ 300 V
Disipación de potencia (Máx.)
30W (Tc)35W (Tc)40W (Tc)45W (Tc)50W (Tc)60W (Tc)80W (Tc)88.3W (Tc)100W (Tc)104W (Tc)110W (Tc)130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C150°C (TA)150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DFN-EP (8x8)D2PAKDPAKI2PAKIPAKTO-220TO-220SISTO-247TO-3P(L)TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 4-VSFNConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAConductores stub TO-251-3, IPAKTO-220-3TO-220-3 paquete completoTO-247-3TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263ABTO-3P-3, SC-65-3TO-3PL
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
11,767
En stock
1 : $5.08000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.93250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
30.8 A (Ta)
10V
109mOhm a 15.4A, 10V
4.5V a 1.5mA
105 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 300 V
-
240W (Tc)
150°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
4-DFN-EP (8x8)
Placa descubierta 4-VSFN
7,875
En stock
1 : $2.53000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.75125
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5.4 A (Ta)
10V
900mOhm a 2.7A, 10V
3.7V a 270µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
2,071
En stock
1 : $3.10000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.04821
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
13.7 A (Ta)
10V
250mOhm a 6.9A, 10V
3.5V a 690µA
35 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 300 V
-
130W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK16G60W5,RVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
498
En stock
1 : $4.09000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.44918
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
15.8 A (Ta)
10V
230mOhm a 7.9A, 10V
4.5V a 790µA
43 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 300 V
-
130W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
2,831
En stock
1 : $7.10000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
38.8 A (Ta)
10V
74mOhm a 19.4A, 10V
4.5V a 1.9mA
135 nC @ 10 V
±30V
4100 pF @ 300 V
-
270W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247
TO-247-3
14,087
En stock
1 : $1.63000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.64000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
8 A (Ta)
10V
560mOhm a 4A, 10V
4.5V a 400µA
22 nC @ 10 V
±30V
590 pF @ 300 V
-
80W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
2,498
En stock
1 : $3.63000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.22500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9.7 A (Ta)
10V
430mOhm a 4.9A, 10V
3.7V a 500µA
20 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 300 V
-
80W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
2,008
En stock
1 : $1.90000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.54727
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
5.8 A (Ta)
10V
1.05Ohm a 2.9A, 10V
3.5V a 180µA
11 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
1,408
En stock
1 : $2.30000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.68459
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
6.8 A (Ta)
10V
800mOhm a 3.4A, 10V
3.5V a 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
4,812
En stock
1 : $3.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.38625
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20 A (Ta)
10V
190mOhm a 10A, 10V
4.5V a 1mA
55 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 300 V
-
156W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-DFN-EP (8x8)
Placa descubierta 4-VSFN
432
En stock
1 : $28.45000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
100 A (Tc)
10V
18mOhm a 50A, 10V
3.7V a 5mA
360 nC @ 10 V
±30V
15000 pF @ 30 V
-
797W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P(L)
TO-3PL
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK5P60W5,RVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
2,000
En stock
1 : $1.83000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.52530
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
4.5 A (Ta)
10V
990mOhm a 2.3A, 10V
4.5V a 230µA
11.5 nC @ 10 V
±30V
370 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK5P65W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,987
En stock
1 : $1.85000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.48875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
5.2 A (Ta)
10V
1.22Ohm a 2.6A, 10V
3.5V a 170µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK10P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,609
En stock
1 : $2.43000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.71125
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
9.7 A (Ta)
10V
430mOhm a 4.9A, 10V
3.7V a 500µA
20 nC @ 10 V
±30V
700 pF @ 300 V
-
80W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK8P65W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,974
En stock
1 : $2.58000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.78663
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
7.8 A (Ta)
10V
670mOhm a 3.9A, 10V
3.5V a 300µA
16 nC @ 10 V
±30V
570 pF @ 300 V
-
80W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
186
En stock
1 : $2.66000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.2 A (Ta)
10V
820mOhm a 3.1A, 10V
3.7V a 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
IPAK
Conductores stub TO-251-3, IPAK
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK12P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,887
En stock
1 : $2.67000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.81735
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11.5 A (Ta)
10V
340mOhm a 5.8A, 10V
3.7V a 600µA
25 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 300 V
-
100W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
473
En stock
1 : $2.67000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.81954
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11.1 A (Ta)
10V
440mOhm a 5.5A, 10V
3.5V a 450µA
25 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 300 V
-
100W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
1,997
En stock
1 : $2.68000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.81334
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6.2 A (Ta)
10V
820mOhm a 3.1A, 10V
3.7V a 310µA
12 nC @ 10 V
±30V
390 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
1,994
En stock
1 : $2.79000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.85750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7 A (Ta)
10V
600mOhm a 3.5A, 10V
3.7V a 350µA
15 nC @ 10 V
±30V
490 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
1,949
En stock
1 : $2.95000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.92500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11.5 A (Ta)
10V
340mOhm a 5.8A, 10V
3.7V a 600µA
25 nC @ 10 V
±30V
890 pF @ 300 V
-
100W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
2,000
En stock
1 : $3.49000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.20413
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20 A (Ta)
10V
155mOhm a 10A, 10V
3.7V a 1mA
48 nC @ 10 V
±30V
1680 pF @ 300 V
-
165W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
TK14V65W,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Toshiba Semiconductor and Storage
2,394
En stock
1 : $4.34000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.56500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
13.7 A (Ta)
10V
280mOhm a 6.9A, 10V
3.5V a 690µA
35 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 300 V
-
139W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
4-DFN-EP (8x8)
Placa descubierta 4-VSFN
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
TK16V60W5,LVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Toshiba Semiconductor and Storage
2,260
En stock
1 : $4.34000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.56250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
15.8 A (Ta)
10V
245mOhm a 7.9A, 10V
4.5V a 790µA
43 nC @ 10 V
±30V
1350 pF @ 300 V
-
139W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
4-DFN-EP (8x8)
Placa descubierta 4-VSFN
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
TK25V60X5,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
Toshiba Semiconductor and Storage
2,488
En stock
1 : $5.71000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $2.25750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
25 A (Ta)
10V
150mOhm a 7.5A, 10V
4.5V a 1.2mA
60 nC @ 10 V
±30V
2400 pF @ 300 V
-
180W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
4-DFN-EP (8x8)
Placa descubierta 4-VSFN
Demostración
de 116

Transistores - FET, MOSFET - Individual


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.