FET simple, MOSFET

Resultados : 442
Serie
CoolMOS™CoolMOS™ CFD7ACoolSiC™HEXFET®OptiMOS®-P2OptiMOS®-TOptiMOS®-T2OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5OptiMOS™-6SIPMOS®SIPMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V24 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V120 V150 V200 V240 V250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
21mA (Ta)90mA (Ta)100mA (Ta)110mA (Ta)120mA (Ta)140mA (Ta)150mA (Ta)170mA (Ta)190mA (Ta)200mA (Ta)230mA (Ta)260mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 10V1.8V, 2.5V2.5V, 4.5V2.8V, 10V4V, 10V4.5V, 10V5V, 10V6V, 10V7V, 10V10V12V15V18V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.55mOhm a 60A, 10V0.6mOhm a 195A, 10V0.6mOhm a 60A, 10V0.64mOhm a 100A, 10V0.69mOhm a 100A, 10V0.7mOhm a 100A, 10V0.75mOhm a 100A, 10V0.76mOhm a 100A, 10V0.77mOhm a 100A, 10V0.8mOhm a 60A, 10V0.87mOhm a 100A, 10V0.9mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
750mV a 11µA750mV a 3.7µA750mV a 30µA1V a 108µA1V a 170µA1V a 380µA1V a 400µA1V a 56µA1V a 94µA1.2V a 1.5µA1.2V a 11µA1.2V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.6 nC @ 10 V0.62 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V1.3 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.4 nC @ 10 V1.5 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V±8V±12V±16V+20V, -16V+20V, -7V±20V+23V, -7V±30V40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
19 pF @ 25 V19.1 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V28 pF @ 25 V39 pF @ 25 V41 pF @ 25 V43 pF @ 25 V45 pF @ 25 V56 pF @ 15 V56 pF @ 25 V68 pF @ 25 V75 pF @ 25 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
250mW (Ta)300mW (Ta)360mW (Ta)500mW (Ta)500mW (Tc)560mW (Ta)1W (Ta)1.8W (Ta)2W (Ta)2.2W (Ta), 41W (Tc)2.4W (Ta), 30W (Tc)2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAKD2PAK (7-conductores)DIRECTFET L6DIRECTFET SBDIRECTFET™ SCDPAKL8 isométrico DirectFET™M2 isométrico DirectFET™M4 isométrico DirectFET™PG-DSO-8-6PG-HDSOP-16-2PG-HDSOP-22-1
Paquete / Caja (carcasa)
5-PowerSFN6-VSSOP, SC-88, SOT-3638-PowerSFN8-PowerSMD, Ala de gaviota8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)Módulo 16-PowerSOPMódulo 22-PowerBSOPConductores amplios TO-262-3Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAL6 isométrico DirectFET™
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
442Resultados
Demostración
de 442
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-SOT23
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
84,673
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04873
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Ta)
4.5V, 10V
3.5Ohm a 230mA, 10V
1.4V a 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
359,694
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04983
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 170mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
154,121
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05921
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
190mA (Ta)
4.5V, 10V
6Ohm a 190mA, 10V
1.8V a 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
26,296
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06065
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
540mA (Ta)
4.5V, 10V
650mOhm a 270mA, 10V
2V a 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
153,221
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06307
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
140mOhm a 1.5A, 4.5V
1.2V a 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
PG-SOT23
BSS214NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
269,697
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06689
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
140mOhm a 1.5A, 4.5V
1.2V a 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
24,899
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07689
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
240 V
110mA (Ta)
4.5V, 10V
14Ohm a 100mA, 10V
1.8V a 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
57,235
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08025
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.5 A (Ta)
4.5V, 10V
140mOhm a 1.5A, 10V
2V a 6.3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
42,981
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08705
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
21mA (Ta)
4.5V, 10V
500Ohm a 16mA, 10V
2.6V a 8µA
1 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
35,702
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09344
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.3 A (Ta)
4.5V, 10V
57mOhm a 2.3A, 10V
2V a 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
91,253
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09919
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
330mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 330mA, 10V
2V a 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
289,111
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10835
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2 A (Ta)
4.5V, 10V
80mOhm a 2A, 10V
2V a 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
57,663
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12980
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
0V, 10V
6Ohm a 170mA, 10V
1.8V a 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
Modo de exclusión
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
107,564
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14309
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
100mA (Ta)
0V, 10V
14Ohm a 100µA, 10V
1V a 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
Modo de exclusión
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
98,651
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14700
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.7 A (Ta)
1.8V, 2.5V
23mOhm a 3.7A, 2.5V
750mV a 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SC59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
BSL606SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Infineon Technologies
28,313
En stock
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17092
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4.5 A (Ta)
4.5V, 10V
60mOhm a 4.5A, 10V
2.3V a 15µA
5.6 nC @ 5 V
±20V
657 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
PG-TSDSON-8-34
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,047
En stock
1 : $0.86000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.24142
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
40 A (Tc)
4.5V, 10V
7.4mOhm a 20A, 10V
2V a 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
IAUZ20N08S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 80V 20A 8TSDSON-32
Infineon Technologies
9,621
En stock
1 : $0.92000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.26200
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
20 A (Tc)
4.5V, 10V
30mOhm a 10A, 10V
2V a 8µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
599 pF @ 40 V
-
30W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8-32
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8-34
IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
3,133
En stock
1 : $0.97000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.28075
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
40 A (Tc)
7V, 10V
5.4mOhm a 20A, 10V
3.4V a 17µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
11,247
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.28684
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
60 A (Tc)
4.5V, 10V
4.02mOhm a 30A, 10V
2V a 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
20,420
En stock
1 : $1.05000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.31138
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
80 A (Tc)
7V, 10V
3.68mOhm a 40A, 10V
3V a 18µA
22 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
2,622
En stock
1 : $1.05000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.31138
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
80 A (Tc)
4.5V, 10V
3.29mOhm a 40A, 10V
2V a 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-53
IAUC24N10S5L300ATMA1
MOSFET N-CH 100V 24A TDSON-8-33
Infineon Technologies
12,642
En stock
1 : $1.09000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.31354
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
24 A (Tc)
4.5V, 10V
30mOhm a 12A, 10V
2.2V a 12µA
11 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
PG-TO252-3-11
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Infineon Technologies
18,067
En stock
1 : $1.11000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.34690
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50 A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 50A, 10V
2.2V a 20µA
40 nC @ 10 V
±16V
2890 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TSDSON-8-34
IPZ40N04S53R1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
5,615
En stock
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.36375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
40 A (Tc)
7V, 10V
3.1mOhm a 20A, 10V
3.4V a 30µA
41 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 25 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
Demostración
de 442

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.