Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 3
Fabricante
Diodes IncorporatedDiotec Semiconductoronsemi
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Granel
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
200mA (Ta)200mA (Tc)230mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5Ohm a 500mA, 10V8Ohm a 375mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 1mA3.5V a 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V100 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
350mW (Ta)400mW (Ta)700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
3Resultados
Demostración
de 3
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
126,944
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.05335
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
26,400
En stock
1 : $0.49000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Tc)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4306A
ZVP2110A
MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,931
En stock
28,000
Fábrica
1 : $0.85000
Granel
-
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
230mA (Ta)
10V
8Ohm a 375mA, 10V
3.5V a 1mA
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Demostración
de 3

Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.