150mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 36
Fabricante
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSanyoTaiwan Semiconductor CorporationTorex Semiconductor LtdToshiba Semiconductor and Storage
Serie
-PowerTrench®SIPMOS®TrenchMOS™U-MOSVII-H
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®Granel
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V50 V60 V100 V250 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V4.5V, 10V5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2Ohm a 150mA, 4.5V3.5Ohm a 100mA, 4.5V3.7Ohm a 80mA, 4V3.9Ohm a 100mA, 10V5Ohm a 100mA, 10V5Ohm a 500mA, 10V6Ohm a 120mA, 10V7Ohm a 1A, 10V7.5Ohm a 100mA, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V7.5Ohm a 50mA, 5V8Ohm a 150mA, 10V8Ohm a 150mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 100µA1V a 250µA1.3V a 100µA1.5V a 250µA2V a 1mA2V a 20µA2V a 250µA2.1V a 250µA2.4V a 1mA2.5V a 1mA2.8V a 1mA-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.38 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 10 V1.58 nC @ 10 V1.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V±10V±20V40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7 pF @ 10 V12 pF @ 10 V13 pF @ 15 V17 pF @ 10 V18 pF @ 20 V19.1 pF @ 25 V35 pF @ 18 V36 pF @ 25 V37 pF @ 30 V40 pF @ 25 V50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V100 pF @ 10 V110 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)125mW (Ta)150mW (Ta)250mW (Ta)250mW (Ta), 770mW (Tc)260mW (Ta), 830mW (Tc)300mW (Ta)330mW (Ta)350mW (Ta)357mW (Ta)360mW (Ta)400mW (Ta)500mW (Ta)625mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-SSFP4-ECSP1008CST3CPG-SOT323SC-59-3/CP3SC-70SC-70 / MCP3SC-75SC-89-3SMCPSOT-1123SOT-23SOT-23-3SOT-323
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, sin conductor3-XFDFN4-UFDFNSC-101, SOT-883SC-70, SOT-323SC-75, SOT-416SC-81SC-89, SOT-490SOT-1123TO-226-3, cuerpo largo TO-92-3, conductores formadosTO-226-3, TO-92-3, cuerpo largoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
36Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 36
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
237,859
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04232
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150mA (Ta)
10V
6Ohm a 120mA, 10V
2.8V a 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
152,401
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.11403
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
150mA (Ta)
1.5V, 4.5V
2Ohm a 150mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VML0604
3-XFDFN
SOT-23-3
ZVN3306FTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
22,386
En stock
393,000
Fábrica
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13963
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
330mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
VN10LFTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
21,463
En stock
21,000
Fábrica
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17164
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
330mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84 RFG
-60, -0.15, SINGLE P-CHANNEL
Taiwan Semiconductor Corporation
25,713
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03709
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 150mA, 10V
2V a 250µA
1.9 nC @ 10 V
±20V
37 pF @ 30 V
-
357mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS84AKW,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
Nexperia USA Inc.
41,235
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04019
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
150mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
PG-SOT323
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
18,940
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05061
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 150mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
VML0806
RV1C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Rohm Semiconductor
771,384
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03812
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
150mA (Ta)
1.2V, 4.5V
2Ohm a 150mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±8V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VML0806
3-SMD, sin conductor
TN5325K1-G
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
Microchip Technology
11,131
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.52000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
7Ohm a 1A, 10V
2V a 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB (SOT23)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
9,063
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03575
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
3.9Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3C
SC-101, SOT-883
SC−75-3_463
3LN01SS-TL-H
MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
onsemi
0
En stock
392,000
Mercado
3,806 : $0.08000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SMCP
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
3LN01C-TB-H
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
onsemi
0
En stock
28,033
Mercado
3,806 : $0.08000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
250mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-59-3/CP3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4-UFDFN
EC4401C-TL
MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
onsemi
0
En stock
80,000
Mercado
2,219 : $0.14000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-ECSP1008
4-UFDFN
TEXTISTPS3839A09DQNR
EC4401C-TL
N-CHANNEL MOSFET
Sanyo
20,000
Mercado
2,219 : $0.14000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7000 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
4-ECSP1008
4-UFDFN
SOT-1123_524AA
NTNUS3171PZT5G
MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123
onsemi
6,580
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
150mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.5Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 250µA
-
±8V
13 pF @ 15 V
-
125mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-1123
SOT-1123
SC-70-3
3LN01M-TL-H
MOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3
onsemi
0
En stock
113,686
Mercado
4,438 : $0.07000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70 / MCP3
SC-70, SOT-323
SC-70-3
3LN01M-TL-E
MOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3
onsemi
0
En stock
9,000
Mercado
3,806 : $0.08000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
1.3V a 100µA
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70 / MCP3
SC-70, SOT-323
3-SSFP
3LN01SS-TL-E
MOSFET N-CH 30V 150MA SC81
onsemi
0
En stock
103,789
Mercado
3,806 : $0.08000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-SSFP
SC-81
PG-SOT323
BSS84PW
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
0
En stock
3,000 : $0.06148
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
8Ohm a 150mA, 10V
2V a 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
VN10LFTC
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
En stock
10,000 : $0.14782
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
330mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23
XP261N7002TR-G
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Torex Semiconductor Ltd
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04196
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.38 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 20 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323-3A
XP261N70023R-G
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Torex Semiconductor Ltd
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04356
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.38 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 20 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323-3A
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
ZVN3306FTC
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
0
En stock
10,000 : $0.19375
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150mA (Ta)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
330mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3
BSS84AKT,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SC75
NXP USA Inc.
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
150mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
250mW (Ta), 770mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75
SC-75, SOT-416
SC−75-3_463
3LN01S-TL-E
MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150mA (Ta)
1.5V, 4V
3.7Ohm a 80mA, 4V
-
1.58 nC @ 10 V
±10V
7 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SMCP
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 36

150mA (Ta) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.