Transistores bipolares simples

Resultados : 2
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Tubo
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
200 mA10 A
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
40 V60 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
300mV a 5mA, 50mA8V a 3.3A, 10A
Corriente - Corte de colector (Máx.)
700µA-
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
20 a 4A, 4V100 a 10mA, 1V
Potencia - Máx.
625 mW75 W
Frecuencia - Transición
2MHz300MHz
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220TO-92-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo de transistor
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
Corriente - Corte de colector (Máx.)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
Potencia - Máx.
Frecuencia - Transición
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3 Formed Leads
2N3904TFR
TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
onsemi
19,705
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.05336
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
NPN
200 mA
40 V
300mV a 5mA, 50mA
-
100 a 10mA, 1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
TO-92-3
TO-220-3
MJE3055TG
TRANS NPN 60V 10A TO220
onsemi
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $1.15000
Tubo
-
Tubo
Activo
NPN
10 A
60 V
8V a 3.3A, 10A
700µA
20 a 4A, 4V
75 W
2MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220
Demostración
de 2

Transistores bipolares simples


Los transistores de conexión bipolar discreta (BJT) se usan comúnmente para construir funciones de amplificación de señal analógica en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores que se produce en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señal analógica con mínimo ruido y distorsión agregados. Los BJT se presentan en dos variedades - NPN y PNP - que hacen referencia a la secuencia de capas semiconductoras que componen el transistor. Los transistores NPN constan de un semiconductor delgado de tipo P entre dos materiales de tipo N, mientras que los transistores PNP tienen un semiconductor de tipo N entre dos de tipo P. De este modo, los dos tipos funcionan con polaridad opuesta. Los transistores NPN disipan la corriente, mientras que los PNP la proveen.