Transistores - JFET

Resultados : 1,054
Fabricante
Central Semiconductor CorpFairchild SemiconductorFreescale SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLinear Integrated Systems, Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationMICROSS/On SemiconductorNTE Electronics, IncNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic Components
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Serie
-*174DFN2N4117A2N4118A2N4119A2N43912N43922N43932N44162N4416A2N51142N5115
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Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
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Estado de la pieza
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
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Tipo FET
2 canales NDos canal N (doble)4 Canal N-Canal NCanal P
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Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V60 V650 V1200 V
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 mV0.6 V600 mV15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V
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Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V100 µA @ 5 V
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Consumo de corriente (Id) - Máximo
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA15 mA20 mA25 mA30 mA50 mA26 A
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Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
0.7pF a 10V0.8pF a 15V1pF a 10V1.7pF a 10V2.2pF a 15V3pF a 10V3.1pF a 2V3.5pF a 2V3.5pF a 5V4pF a 10V4pF a 15V4.1pF a 5V4.5pF a 15V
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Resistencia - RDS (Encendido)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms7 Ohms
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Potencia - Máx.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 135°C (TJ)-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-65°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)-40°C ~ 125°C (TJ)
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Tipo de montaje
-Montaje en superficieOrificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductor plano3-SMD, sin conductor3-SSIP3-XFDFN4-SMD, sin conductor5-SMD, conductores planos5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-DIP (0.300", 7.62mm)8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)Placa descubierta 8-VFDFN16-DIP (0.300", 7.62mm)-
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Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3.09x2.45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-DFN (2x2)
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Opciones de almacenamiento
Medios de comunicación
Opciones ambientales
PRODUCTO DEL MERCADO
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Stock
Proveedor
Fabricante
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N.º de pieza de DK
Serie
Paquete
Estado de la pieza
Tipo FET
Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)
Consumo de corriente (Id) - Máximo
Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Resistencia - RDS (Encendido)
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-883
TF412ST5G
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
$0.52000
8,000 - Immediate
onsemionsemi
1
TF412ST5GOSTR-ND
TF412ST5GOSCT-ND
TF412ST5GOSDKR-ND
2156-TF412ST5G-OS-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Granel
ActivoCanal N30 V30 V1.2 mA @ 10 V10 mA180 mV @ 1 µA4pF a 10V-100 mW150°C (TJ)Montaje en superficie3-XFDFNSOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
SOT-23-3
MMBFJ201
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
$0.51000
5,455 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBFJ201TR-ND
MMBFJ201CT-ND
MMBFJ201DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N40 V-200 µA @ 20 V-300 mV @ 10 nA--350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
$3.14000
15,447 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF a 20V60 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
$3.20000
3,313 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4393PBFREE-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF a 20V100 Ohms1.8 W-65°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.43000
20,133 - Immediate
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.47000
7,718 - Immediate
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.47000
3,693 - Immediate
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.51000
21,402 - Immediate
66,000 - Factory
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
SOT-23-3
2SK208-R(TE85L,F)
JFET N-CH 50V S-MINI
$0.52000
5,927 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK208-R(TE85LF)TR-ND
2SK208-R(TE85LF)CT-ND
2SK208-R(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N50 V-300 µA @ 10 V6.5 mA400 mV @ 100 nA8.2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
TO-92-3 Formed Leads
J175-D26Z
JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
$0.51000
4,962 - Immediate
onsemionsemi
1
J175-D26ZTR-ND
J175-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal P30 V-7 mA @ 15 V-3 V @ 10 nA-125 Ohms350 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J109-D26Z
JFET N-CH 25V 625MW TO92
$0.57000
3,451 - Immediate
onsemionsemi
1
J109-D26ZTR-ND
J109-D26ZCT-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ActivoCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formadosTO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
$0.62000
4,167 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
$0.62000
5,706 - Immediate
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF a 5V-400 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-Y(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
$0.71000
4,884 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-Y(TE85LF)TR-ND
2SK2145-Y(TE85LF)CT-ND
2SK2145-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)--1.2 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-300 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-74A, SOT-753SMV
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
2SK3320-BL(TE85L,F
JFET DUAL N-CH USV
$0.79000
2,937 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK3320-BL(TE85LFTR-ND
2SK3320-BL(TE85LFCT-ND
2SK3320-BL(TE85LFDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N--6 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF a 10V-200 mW125°C (TJ)Montaje en superficie5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353USV
6-CPH
CPH6904-TL-E
JFET 2N-CH 0.7W CPH6
$0.72000
3,196 - Immediate
onsemionsemi
1
CPH6904-TL-EOSTR-ND
CPH6904-TL-EOSCT-ND
CPH6904-TL-EOSDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)--20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF a 5V-700 mW150°C (TJ)Montaje en superficieSC-74, SOT-4576-CPH
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.41000
39,439 - Immediate
70,000 - Factory
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
$0.43000
7,626 - Immediate
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
SOT-23 SERIES
CMPF4393 TR PBFREE
JFET N-CH 40V 50MA SOT23
$1.09000
10,299 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-CMPF4393TRPBFREETR-ND
1514-CMPF4393TRPBFREECT-ND
1514-CMPF4393TRPBFREEDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N40 V40 V5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF a 20V100 Ohms350 mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
$0.47000
16,585 - Immediate
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
$0.57000
7,946 - Immediate
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Granel
ActivoCanal N25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
$4.40000
181 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Granel
ActivoCanal N40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF a 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C ~ 200°C (TJ)Orificio pasanteTO-206AA, TO-18-3, carcasa metálicaTO-18
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S
1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
$25.48000
197 - Immediate
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120035K3S-ND
-
Tubo
ActivoCanal N1200 V1200 V-63 A-2145pF a 100V45 mOhms429 W-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
$0.44000
5,593 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8.2pF a 10V-100 mW125°C (TJ)Montaje en superficieSC-70, SOT-323USM
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
TF222B-B4-TL-E-ON
N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER
$0.02000
6,256,000 - Immediate
Rochester Electronics, LLConsemi
15,000
2156-TF222B-B4-TL-E-ON-ND
*
Granel
Activo-------------
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25
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