Transistores - FET - MOSFET - Matrices

Resultados : 5,079
Fabricante
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Central Semiconductor CorpCISSOIDComchip TechnologyCree/WolfspeedDComponentsDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorFreescale Semiconductor
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Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®Automotive, AEC-Q101, STripFET™Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, STripFET™ IIAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ III
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Embalaje
-BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
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Estado de la pieza
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
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Tipo FET
2 Canal N (conexión de fase)2 canal N (dual), asimétrico2 canal N (dual), drenaje común2 canal N (interruptor modulador reductor doble)2 canal P (dual), drenaje común2 canales N (en cascada)2 canales N (medio puente)2 canales N y 2 canales P (puente H)2 canales N y 2 canales P2 canales NDos canal N (doble)Dos canal N (doble), schottkyDos canal P (doble)
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Característica de FET
-Carburo de silicio (SiC)Compuerta de nivel lógicoCompuerta de nivel lógico, controlador de 0.9VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.2VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.8VCompuerta de nivel lógico, controlador de 10VCompuerta de nivel lógico, controlador de 2.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4.5VCompuerta de nivel lógico, controlador de 4VCompuerta de nivel lógico, controlador de 5VEstándar
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V, 20V15V16V20V20V, 12V20V, 8V22V24V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)50mA80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5.5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.8mOhm a 1200A, 10V0.95mOhm a 30A, 10V0.95mOhm a 8A, 4.5V1mOhm a 38A, 10V1.25mOhm a 35A, 10V1.3mOhm a 100A, 10V1.5mOhm a 33A, 10V1.6mOhm a 10A, 4.5V1.6mOhm a 40A, 10V1.66mOhm a 80A, 10V1.73mOhm a 760A, 15V1.8mOhm a 5A, 4.5V1.9mOhm a 8A, 4.5V
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Vgs(th) (máx) a Id
10mV a 10µA10mV a 1µA10mV a 20µA20mV a 10µA20mV a 1µA20mV a 20µA180mV a 1µA220mV a 1µA360mV a 1µA380mV a 1µA400mV a 250µA (mín.)420mV a 1µA450mV a 100µA (mín.)
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.1pC, 0.7pC a 4.5V0.4pC, 7.3nC a 4.5V0.45 pC a 4.5V1.8pC a 10V, 750pC a 4.5V1.8pC a 4.5V1.8pC a 4.5V, 0.6pC a 4.5V0.16nC a 5V, 0.044nC a 5V0.22nC a 5V, 0.044nC a 5V0.26nC a 2.5V0.3nC a 4.5V0.304nC a 4.5V0.31nC a 4.5V0.32nC a 4.5V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.5pF a 5V3pF a 5V5pF a 3V6pF a 3V6.2pF a 10V6.6pF a 10V7pF a 10V7pF a 3V7.1pF a 10V7.4pF a 10V7.5pF a 10V8.5pF a 3V9pF a 15V
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Potencia - Máx.
10mW20mW (Tc)20mW50mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW (Ta), 800mW (Ta)150mW200mW (Ta)200mW
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Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TJ)-40°C ~ 125°C (Tc)
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Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
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Paquete / Caja (carcasa)
4-SMD, sin conductor4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP4-XFLGA4-XFLGA, CSPPlaca descubierta 4-VFDFN
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Paquete del dispositivo del proveedor
4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-DFN (1.5x1.5)4-DFN (1.7x1.7)4-EFCP (1.01x1.01)4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)4-Picostar (1.31x1.31)4-QFN (2x2)4-WLCSP (1.26x1.26)4-WLCSP (1.57x1.57)
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Serie
Paquete
Estado de la pieza
Tipo FET
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
eGaN Series
EPC2102
GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
$8.01000
1,076 - Immediate
EPCEPC
1
917-1182-2-ND
917-1182-1-ND
917-1182-6-ND
eGaN®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canales N (medio puente)GaNFET (Nitrito de galio)60V23A4.4mOhm a 20A, 5V2.5V a 7mA6.8nC a 5V830pF a 30V--40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieMoldeMolde
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
$0.43000
2 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-6478-2-ND
1727-6478-1-ND
1727-6478-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V320mA1.6Ohm a 320mA, 10V1.6V a 250µA0.7nC a 4.5V56pF a 10V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-363
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
$0.47000
1,260 - Immediate
Micro Commercial CoMicro Commercial Co
1
2N7002DW-TPTR-ND
2N7002DW-TPCT-ND
2N7002DW-TPDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar60V115mA7.5Ohm a 50mA, 5V2V a 250µA-50pF a 25V200mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT-353
DMN32D2LDF-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
$0.41000
237,875 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN32D2LDF-7DITR-ND
DMN32D2LDF-7DICT-ND
DMN32D2LDF-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoFuente común de 2 canales N (doble)Compuerta de nivel lógico30V400mA1.2Ohm a 100mA, 4V1.2V a 250µA-39pF a 3V280mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353SOT-353
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
$0.47000
0 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1333-2-ND
1727-1333-1-ND
1727-1333-6-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V800mA380mOhm a 500mA, 4.5V950mV a 250µA0.68nC a 4.5V83pF a 10V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-666
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 600/500MA 6DFN
$0.41000
1,172 - Immediate
Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.
1
1727-1469-2-ND
1727-1469-1-ND
1727-1469-6-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoComplemento de canal N y PCompuerta de nivel lógico20V600mA, 500mA620mOhm a 600mA, 4.5V950mV a 250µA0.7nC a 4.5V21.3pF a 10V265mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-XFDFNDFN1010B-6
SOT-563
DMG1026UV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563
$0.44000
1,140 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG1026UV-7DITR-ND
DMG1026UV-7DICT-ND
DMG1026UV-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico60V410mA1.8Ohm a 500mA, 10V1.8V a 250µA0.45nC a 10V32pF a 25V580mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT-963
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V SOT963
$0.46000
139,196 - Immediate
1,080,000 - Factory
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMC31D5UDJ-7DITR-ND
DMC31D5UDJ-7DICT-ND
DMC31D5UDJ-7DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V220mA, 200mA1.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 250µA0.38nC a 4.5V22.6pF a 15V350mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-963SOT-963
TSST8
TT8M1TR
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
$0.52000
46,495 - Immediate
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
TT8M1TR-ND
TT8M1CT-ND
TT8M1DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal N y PCompuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V20V2.5A72mOhm a 2.5A, 4.5V1V a 1mA3.6nC a 4.5V260pF a 10V1W150°C (TJ)Montaje en superficie8-SMD, conductor plano8-TSST
EMT6_EMT6 PKg
EM6K1T2R
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
$0.57000
9,954 - Immediate
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
EM6K1T2RTR-ND
EM6K1T2RCT-ND
EM6K1T2RDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V100mA8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-13pF a 5V150mW150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666EMT6
X2-DFN1310-6
DMN2005DLP4K-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
$0.54000
58,777 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN2005DLP4KDITR-ND
DMN2005DLP4KDICT-ND
DMN2005DLP4KDIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar20V300mA1.5Ohm a 10mA, 4V900mV a 100µA--400mW-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-XFDFNX2-DFN1310-6 (típico B)
8-TSSOP
DMN2019UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
$0.44000
2,554 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMN2019UTS-13DITR-ND
DMN2019UTS-13DICT-ND
DMN2019UTS-13DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico20V5.4A18.5mOhm a 7A, 10V950mV a 250µA8.8nC a 4.5V143pF a 10V780mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP (ancho 0.173", 4.40mm)8-TSSOP
8-SO
DMG9926USD-13
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
$0.51000
73,383 - Immediate
Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
1
DMG9926USD-13DITR-ND
DMG9926USD-13DICT-ND
DMG9926USD-13DIDKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V8A24mOhm a 8.2A, 4.5V900mV a 250µA8.8nC a 4.5V867pF a 15V1.3W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
$0.53000
15,777 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI1025X-T1-GE3TR-ND
SI1025X-T1-GE3CT-ND
SI1025X-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico60V190mA4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1.7nC a 15V23pF a 25V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
TSMT6_TSMT6 Pkg
QS6M3TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
$0.56000
129 - Immediate
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
QS6M3TR-ND
QS6M3CT-ND
QS6M3DKR-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal N y PCompuerta de nivel lógico30V, 20V1.5A230mOhm a 1.5A, 4.5V1.5V a 1mA1.6nC a 4.5V80pF a 10V1.25W150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6 delgado, TSOT-23-6TSMT6 (SC-95)
TSOT-23-6, TSOT-6
SQ3989EV-T1_GE3
MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP
$0.57000
70,488 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SQ3989EV-T1_GE3TR-ND
SQ3989EV-T1_GE3CT-ND
SQ3989EV-T1_GE3DKR-ND
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Estándar30V2.5 A (Tc)155mOhm a 400mA, 10V1.5V a 250µA11.1nC a 10V-1.67W-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-6 delgado, TSOT-23-66-TSOP
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA923AEDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
$0.68000
5,000 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SIA923AEDJ-T1-GE3TR-ND
SIA923AEDJ-T1-GE3CT-ND
SIA923AEDJ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V4.5A54mOhm a 3.8A, 4.5V900mV a 250µA25nC a 8V770pF a 10V7.8W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® SC-70-6 DualPowerPAK® SC-70-6 Dual
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
$0.62000
1,156 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SIA910EDJ-T1-GE3TR-ND
SIA910EDJ-T1-GE3CT-ND
SIA910EDJ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico12V4.5A28mOhm a 5.2A, 4.5V1V a 250µA16nC a 8V455pF a 6V7.8W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® SC-70-6 DualPowerPAK® SC-70-6 Dual
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
$0.66000
9,213 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI9933CDY-T1-GE3TR-ND
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
SI9933CDY-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal P (doble)Compuerta de nivel lógico20V4A58mOhm a 4.8A, 4.5V1.4V a 250µA26nC a 10V665pF a 10V3.1W-50°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
$0.74000
6,896 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
1
SI6968BEDQ-T1-GE3TR-ND
SI6968BEDQ-T1-GE3CT-ND
SI6968BEDQ-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo2 canal N (dual), drenaje comúnCompuerta de nivel lógico20V5.2A22mOhm a 6.5A, 4.5V1.6V a 250µA18nC a 4.5V-1W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP (ancho 0.173", 4.40mm)8-TSSOP
8-SOIC
AO4818B
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
$0.85000
29,007 - Immediate
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1059-2-ND
785-1059-1-ND
785-1059-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico30V8A19mOhm a 8A, 10V2.4V a 250µA18nC a 10V888pF a 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7507TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
$0.77000
76,702 - Immediate
Infineon TechnologiesInfineon Technologies
1
IRF7507TRPBFTR-ND
IRF7507TRPBFCT-ND
IRF7507TRPBFDKR-ND
HEXFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico20V2.4 A, 1.7 A140mOhm a 1.7A, 4.5V700mV a 250µA8nC a 4.5V260pF a 15V1.25W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.118", 3.00mm)Micro8™
8-SOIC
AO4612
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
$0.93000
2,014 - Immediate
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1
785-1041-2-ND
785-1041-1-ND
785-1041-6-ND
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal N y PCompuerta de nivel lógico60V4.5 A, 3.2 A56mOhm a 4.5A, 10V3V a 250µA10.5nC a 10V540pF a 30V2W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficie8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)8-SOIC
MFG_6-VDFN-Exposed-Pad
TSM250N02DCQ RFG
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
$0.94000
8,239 - Immediate
Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation
1
TSM250N02DCQRFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGCT-ND
TSM250N02DCQRFGDKR-ND
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Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Estándar20V5.8 A (Tc)25mOhm a 4A, 4.5V800mV a 250µA7.7nC a 4.5V775pF a 10V620mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePlaca descubierta 6-VDFN6-TDFN (2x2)
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7232DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212-8
$0.95000
12,865 - Immediate
Vishay SiliconixVishay Siliconix
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SI7232DN-T1-GE3TR-ND
SI7232DN-T1-GE3CT-ND
SI7232DN-T1-GE3DKR-ND
TrenchFET®
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoDos canal N (doble)Compuerta de nivel lógico20V25A16.4mOhm a 10A, 4.5V1V a 250µA32nC a 8V1220pF a 10V23W-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePowerPAK® 1212-8 DualPowerPAK® 1212-8 Dual
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