JFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Voltaje - Perturbación del suministro (V(BR)GSS)	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente de drenaje (Idss) según Vds (Vgs = 0)	Consumo de corriente (Id) - Máximo	Voltaje - Corte (VGS apagado) a Id	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
	LSK170C SOT-23 3L ROHS JFET N-CH 40V 10MA SOT23-3 Linear Integrated Systems, Inc.	1,690 En stock	1 : $6.96000 Cinta cortada (CT)	-	LSK170C	Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	40 V	40 V	10 mA @ 10 V	10 mA	200 mV @ 1 nA	20pF a 15V	400 mW	-55°C ~ 135°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
	LSK170C TO-92 3L ROHS JFET N-CH 40V 10MA TO92 Linear Integrated Systems, Inc.	3 En stock	1 : $6.61000 Granel	-	LSK170C	Granel	Activo	Canal N	40 V	40 V	10 mA @ 10 V	10 mA	200 mV @ 1 nA	20pF a 15V	400 mW	-55°C ~ 135°C (TJ)	Orificio pasante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92

Demostración

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Los transistores de JFET (efecto de campo de unión) son dispositivos usados como amplificadores, interruptores controlados electrónicamente o resistencias controladas por voltaje. Una diferencia potencial de la polaridad adecuada aplicada entre los terminales de la compuerta y la fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, por lo que la corriente que fluye en el canal entre la fuente y los terminales de drenaje es menor. Los JFET no necesitan una corriente de polarización debido a una carga que fluye a través de un canal semiconductor entre la fuente y los terminales de drenaje.