Transistores - IGBT - Módulos

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo IGBT	Configuración	Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	Potencia - Máx.	Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	Corriente - Corte de colector (Máx.)	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce	Entrada	Termistor NTC	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor

FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	138 En stock	1 : $93.37000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	400 A	2400 W	2.1V a 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	32 En stock	1 : $105.90000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	600 V	260 A	680 W	1.9V a 15V, 200A	5 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	35 En stock	1 : $114.18000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	450 A	1600 W	2.15V a 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ600R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 2800W Infineon Technologies	45 En stock	1 : $159.86000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	900 A	2800 W	2.15V a 15V, 600A	5 mA	42 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF400R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	33 En stock	1 : $184.50000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	580 A	2000 W	2.15V a 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF400R17KE4HOSA1 IGBT MODULE 1700V 400A Infineon Technologies	26 En stock	1 : $187.54000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1700 V	400 A	-	2.3V a 15V, 400A	1 mA	36 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FP100R12KT4B11BOSA1 IGBT MOD 1200V 100A 515W Infineon Technologies	2 En stock 39 Mercado	2 : $158.05000 Granel 1 : $156.93000 Bandeja	EconoPIM™ 3	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Inversor trifásico	1200 V	100 A	515 W	2.1V a 15V, 100A	1 mA	6.3 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF200R17KE3S4HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 200A Infineon Technologies	10 En stock 248 Mercado	2 : $161.00000 Granel 1 : $159.86000 Bandeja	C	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Inversor de medio puente	1700 V	310 A	1250 W	2.45V a 15V, 200A	3 mA	18 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF50R12RT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 50A 285W Infineon Technologies	0 En stock 5,725 Mercado	5 : $74.19000 Granel 10 : $73.40100 Bandeja	-	Granel Bandeja	Obsoleto	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	50 A	285 W	2.15V a 15V, 50A	1 mA	2.8 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF200R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 320A 1100W Infineon Technologies	19 En stock	1 : $94.67000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	320 A	1100 W	2.15V a 15V, 200A	5 mA	14 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	3 En stock	1 : $144.62000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1700 V	1200 A	3350 W	2.3V a 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	2 En stock	1 : $145.70000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	450 A	2400 W	2.15V a 15V, 450A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT MOD 1200V 75A 385W Infineon Technologies	19 En stock 7 Mercado	3 : $147.75000 Granel 1 : $146.70000 Bandeja	-	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Inversor trifásico	1200 V	75 A	385 W	2.15V a 15V, 75A	1 mA	4.3 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FD300R17KE4PHOSA1 IGBT MODULE 1700V 300A AG62MM-1 Infineon Technologies	8 En stock	1 : $160.47000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Chopper simple	1700 V	300 A	-	2.3V a 15V, 300A	1 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	AG-62MM-1
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $45.33000 Tubo	HEXFRED®	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	281 A	1087 W	2.05V a 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
FF300R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 460A 1600W Infineon Technologies	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $114.18000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	2 independientes	1200 V	460 A	1600 W	2.15V a 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF150R12RT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 150A 790W Infineon Technologies	0 En stock	10 : $104.99500 Bandeja	C	Bandeja	Obsoleto	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	150 A	790 W	2.15V a 15V, 150A	1 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo

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Los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) son dispositivos semiconductores de potencia de tres terminales usados principalmente como interruptores electrónicos que combinan una alta eficiencia con una rápida conmutación. Como módulos, los IGBT se configuran como puentes asimétricos, puentes completos, inversores de tres niveles y trifásicos, y pulsadores reductores, elevadores y de freno. Algunos cuentan con termistores NTC incorporados para monitorear la temperatura. Los módulos IGBT se diferencian por la potencia máxima, la corriente del colector, el voltaje de interrupción del colector-emisor y la configuración.

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