TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA FET simple, MOSFET

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Opciones ambientales
Medios de comunicación
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317Resultados
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Demostración
de 317
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
D2PAK-7pin
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
367
En stock
1 : $4.47000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.64062
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
180 A (Tc)
6V, 10V
2.4mOhm a 90A, 10V
3.8V a 183µA
138 nC @ 10 V
±20V
10200 pF @ 50 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,447
En stock
1 : $4.94000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.87838
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5.2 A (Tc)
12V, 15V
1000mOhm a 1A, 15V
5.7V a 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V, -10V
275 pF @ 1000 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
1,127
En stock
1 : $5.04000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.85200
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
8.1 A (Tc)
15V, 18V
233.9mOhm a 3A, 18V
5.1V a 900µA
7.9 nC @ 18 V
+20V, -7V
290 pF @ 800 V
-
80W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7-12
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,225
En stock
1 : $5.47000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.06440
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
4.7 A (Tc)
-
468mOhm a 2A, 18V
5.7V a 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V, -15V
196 pF @ 800 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,704
En stock
1 : $5.71000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.27712
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
7.4 A (Tc)
12V, 15V
650mOhm a 1.5A, 15V
5.7V a 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V, -10V
422 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
2,014
En stock
1 : $5.82000
Cinta cortada (CT)
800 : $2.33888
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
274 A (Tc)
6V, 10V
1.6mOhm a 100A, 10V
3.8V a 267µA
241 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 50 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-14
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3C170400B7S
SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Qorvo
5,807
En stock
1 : $6.08000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.07500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1700 V
7.6 A (Tc)
12V
515mOhm a 5A, 12V
6V a 10mA
23.1 nC @ 15 V
±25V
734 pF @ 1200 V
-
100W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
1,004
En stock
1 : $6.78000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.86325
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9.8 A (Tc)
12V, 15V
450mOhm a 2A, 15V
5.7V a 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V, -10V
610 pF @ 1000 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R160MT12J-TR
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
918
En stock
1 : $7.26000
Cinta cortada (CT)
800 : $5.45001
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
19 A (Tc)
15V, 18V
180mOhm a 10A, 18V
2.7V a 5mA
23 nC @ 15 V
+22V, -10V
724 pF @ 800 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C120080B7S
UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Qorvo
2,944
En stock
1 : $7.27000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.87500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
650 V
27 A (Tc)
-
105mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
760 pF @ 100 V
-
136.4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7-12
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Infineon Technologies
751
En stock
1 : $7.37000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.07550
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
18 A (Tc)
-
189mOhm a 6A, 18V
5.7V a 2.5mA
13.4 nC @ 18 V
+18V, -15V
491 pF @ 800 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R450MT17J-TR
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,504
En stock
1 : $8.04000
Cinta cortada (CT)
800 : $6.08003
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
8 A (Tc)
15V
585mOhm a 4A, 15V
2.7V a 2mA
18 nC @ 15 V
+15V, -5V
454 pF @ 1000 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
7,059
En stock
1 : $9.18000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.11250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
11 A (Tc)
15V
360mOhm a 7.5A, 15V
3.5V a 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
240
En stock
1 : $10.11000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.66725
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,422
En stock
1 : $11.03000
Cinta cortada (CT)
800 : $8.34001
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
38 A (Tc)
15V, 18V
85mOhm a 20A, 18V
2.7V a 10mA
47 nC @ 15 V
+22V, -10V
1545 pF @ 800 V
-
196W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0280090J-TR
C3M0120090J
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
5,828
En stock
1 : $11.56000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
22 A (Tc)
15V
155mOhm a 15A, 15V
3.5V a 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V, -8V
350 pF @ 600 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
1,042
En stock
1 : $11.60000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $7.08977
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
91 A (Tc)
15V, 20V
24mOhm a 46.9A, 18V
5.6V a 9.5mA
57 nC @ 18 V
+23V, -7V
2038 pF @ 400 V
-
326W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
D2PAK-7
NVBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
onsemi
2,401
En stock
173,600
Fábrica
1 : $12.17000
Cinta cortada (CT)
800 : $5.94825
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
19.5 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
33.8 nC @ 20 V
+25V, -15V
678 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0280090J-TR
C2M1000170J-TR
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
1,054
En stock
1 : $12.70000
Cinta cortada (CT)
800 : $6.28750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5.3 A (Tc)
20V
1.4Ohm a 2A, 20V
4V a 500µA
13 nC @ 20 V
+25V, -10V
200 pF @ 1000 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-8
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,158
En stock
1 : $12.98000
Cinta cortada (CT)
800 : $9.94005
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
18 A (Tc)
15V
224mOhm a 10A, 15V
2.7V a 5mA
29 nC @ 15 V
+15V, -5V
854 pF @ 1000 V
-
145W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C120080B7S
UJ4C075023B7S
750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Qorvo
703
En stock
1 : $13.47000
Cinta cortada (CT)
800 : $9.02500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
64 A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0065090J
C3M0060065J
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
3,322
En stock
1 : $14.28000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
36 A (Tc)
15V
79mOhm a 13.2A, 15V
3.6V a 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
-
136W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
1,816
En stock
1 : $14.67000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $7.58155
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
48A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7-12
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
659
En stock
1 : $14.82000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.25262
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
47 A (Tc)
-
63mOhm a 16A, 18V
5.7V a 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V, -15V
1527 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DW7TL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
2,058
En stock
1 : $15.21000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $8.82001
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
24 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Demostración
de 317

TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.