TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB FET simple, MOSFET

Demostración

de 3,897

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRFS3806TRLPBF MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK Infineon Technologies	3,800 En stock	1 : $1.93000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.59889 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	43A (Tc)	10V	15.8mOhm a 25A, 10V	4V a 50µA	30 nC @ 10 V	±20V	1150 pF @ 50 V	-	71W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Infineon Technologies	16,727 En stock	1 : $1.94000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.60389 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18A (Tc)	10V	150mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Infineon Technologies	23,493 En stock	1 : $2.00000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.62530 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17A (Tc)	4V, 10V	100mOhm a 9A, 10V	2V a 250µA	34 nC @ 5 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Infineon Technologies	1,772 En stock	1 : $2.04000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.64090 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	33A (Tc)	10V	44mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK Infineon Technologies	8,923 En stock	1 : $2.09000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.65845 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	49A (Tc)	10V	17.5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFS3607TRLPBF MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Infineon Technologies	5,600 En stock	1 : $2.09000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.65794 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	80A (Tc)	10V	9mOhm a 46A, 10V	4V a 100µA	84 nC @ 10 V	±20V	3070 pF @ 50 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF5305STRLPBF MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK Infineon Technologies	9,054 En stock	1 : $2.21000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.72363 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31A (Tc)	10V	60mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Infineon Technologies	6,930 En stock	1 : $2.33000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.76691 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	23A (Tc)	10V	117mOhm a 14A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1450 pF @ 25 V	-	3.1W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Infineon Technologies	171 En stock	1 : $2.40000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.77235 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	24A (Tc)	10V	77.5mOhm a 15A, 10V	5V a 100µA	38 nC @ 10 V	±20V	1710 pF @ 50 V	-	144W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF3710ZSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Infineon Technologies	7,773 En stock	1 : $2.52000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.81793 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	59A (Tc)	10V	18mOhm a 35A, 10V	4V a 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PSMN015-60BS,118 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Nexperia USA Inc.	11,732 En stock	1 : $2.55000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.82400 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	50A (Tc)	10V	14.8mOhm a 15A, 10V	4V a 1mA	20.9 nC @ 10 V	±20V	1220 pF @ 30 V	-	86W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF2807STRLPBF MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Infineon Technologies	410 En stock	1 : $2.62000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.85391 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	82A (Tc)	10V	13mOhm a 43A, 10V	4V a 250µA	160 nC @ 10 V	±20V	3820 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRF3710STRLPBF MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Infineon Technologies	7,136 En stock	1 : $2.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.85759 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	57A (Tc)	10V	23mOhm a 28A, 10V	4V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	3130 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRL1404ZSTRLPBF MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Infineon Technologies	6,338 En stock	1 : $2.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.85664 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	75A (Tc)	4.5V, 10V	3.1mOhm a 75A, 10V	2.7V a 250µA	110 nC @ 5 V	±16V	5080 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Infineon Technologies	25,266 En stock	1 : $2.70000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.86220 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	100A (Tc)	6V, 10V	4.2mOhm a 50A, 10V	3.5V a 150µA	117 nC @ 10 V	±20V	8410 pF @ 50 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FQB12P20TM MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK onsemi	2,300 En stock 17,600 Fábrica	1 : $2.77000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.94021 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	QFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	200 V	11.5A (Tc)	10V	470mOhm a 5.75A, 10V	5V a 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1200 pF @ 25 V	-	3.13W (Ta), 120W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
BUK9637-100E,118 MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK Nexperia USA Inc.	1,502 En stock	1 : $2.79000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.91333 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	31A (Tc)	5V, 10V	36mOhm a 10A, 10V	2.1V a 1mA	22.8 nC @ 5 V	±10V	2681 pF @ 25 V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDB13AN06A0 MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK onsemi	5,494 En stock	1 : $2.92000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.99633 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	10.9A (Ta), 62A (Tc)	6V, 10V	13.5mOhm a 62A, 10V	4V a 250µA	29 nC @ 10 V	±20V	1350 pF @ 25 V	-	115W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PSMN7R6-60BS,118 MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK Nexperia USA Inc.	160 En stock	1 : $3.00000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.99359 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	92A (Tc)	10V	7.8mOhm a 25A, 10V	4V a 1mA	38.7 nC @ 10 V	±20V	2651 pF @ 30 V	-	149W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDB33N25TM MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK onsemi	18,440 En stock	1 : $3.04000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.04413 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	33A (Tc)	10V	94mOhm a 16.5A, 10V	5V a 250µA	48 nC @ 10 V	±30V	2135 pF @ 25 V	-	235W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1 MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3 Infineon Technologies	61,488 En stock	1 : $3.08000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.00469 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	17A (Tc)	10V	100mOhm a 17A, 10V	4V a 54µA	19 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 25 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
CSD19532KTT MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Texas Instruments	5,216 En stock	1 : $3.15000 Cinta cortada (CT) 500 : $1.15004 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	200A (Ta)	6V, 10V	5.6mOhm a 90A, 10V	3.2V a 250µA	57 nC @ 10 V	±20V	5060 pF @ 50 V	-	250W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (DDPAK-3)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IRFS4227TRLPBF MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Infineon Technologies	4,746 En stock	1 : $3.16000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.06004 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	62A (Tc)	10V	26mOhm a 46A, 10V	5V a 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PSMN8R7-80BS,118 MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK Nexperia USA Inc.	2,173 En stock	1 : $3.16000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.05771 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	90A (Tc)	10V	8.7mOhm a 10A, 10V	4V a 1mA	52 nC @ 10 V	±20V	3346 pF @ 40 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQM50P08-25L_GE3 MOSFET P-CHANNEL 80V 50A TO263 Vishay Siliconix	2,664 En stock	1 : $3.32000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.15945 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	50A (Tc)	4.5V, 10V	25mOhm a 12.5A, 10V	2.5V a 250µA	137 nC @ 10 V	±20V	5350 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

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de 3,897

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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