TO-261-4, TO-261AA FET simple, MOSFET

Demostración

de 702

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMN6068SE-13 MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 Diodes Incorporated	1,017 En stock	1 : $0.81000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.15071 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4.1A (Ta)	4.5V, 10V	68mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	10.3 nC @ 10 V	±20V	502 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
IRLL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Infineon Technologies	44,908 En stock	1 : $0.82000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.19412 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	2A (Ta)	4V, 10V	140mOhm a 2A, 10V	2V a 250µA	14 nC @ 10 V	±16V	230 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
DMN3032LE-13 MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Diodes Incorporated	24,730 En stock 360,000 Fábrica	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.20636 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5.6A (Ta)	4.5V, 10V	29mOhm a 3.2A, 10V	2V a 250µA	11.3 nC @ 10 V	±20V	498 pF @ 15 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
STN1NK60ZL MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 STMicroelectronics	1,363 En stock	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.21629 Cinta y rollo (TR)	-	SuperMESH™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	300mA (Tc)	10V	15Ohm a 400mA, 10V	4.5V a 50µA	6.9 nC @ 10 V	±30V	94 pF @ 25 V	-	3.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
IRFL014NTRPBF MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 Infineon Technologies	21,849 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.22374 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	1.9A (Ta)	10V	160mOhm a 1.9A, 10V	4V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	190 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
IRFL4310TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Infineon Technologies	9,607 En stock	1 : $0.96000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23266 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.6A (Ta)	10V	200mOhm a 1.6A, 10V	4V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BSP315PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Infineon Technologies	17,517 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.28151 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.17A (Ta)	4.5V, 10V	800mOhm a 1.17A, 10V	2V a 160µA	7.8 nC @ 10 V	±20V	160 pF @ 25 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	7,874 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.27111 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	125mOhm a 2.2A, 10V	1V a 250µA	17.7 nC @ 10 V	±20V	637 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
IRLL024NTRPBF MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 Infineon Technologies	75,640 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24430 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	3.1A (Ta)	4V, 10V	65mOhm a 3.1A, 10V	2V a 250µA	15.6 nC @ 5 V	±16V	510 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
TSM950N10CW RPG MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 Taiwan Semiconductor Corporation	10,886 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25160 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	6.5A (Tc)	4.5V, 10V	95mOhm a 5A, 10V	2.5V a 250µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	1480 pF @ 50 V	-	9W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BSP125H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Infineon Technologies	8,405 En stock	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.27696 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	120mA (Ta)	4.5V, 10V	45Ohm a 120mA, 10V	2.3V a 94µA	6.6 nC @ 10 V	±20V	150 pF @ 25 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
IRFL024ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Infineon Technologies	78,741 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.26184 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	5.1A (Ta)	10V	57.5mOhm a 3.1A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
NDT2955 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 onsemi	71,154 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.25495 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2.5A (Ta)	4.5V, 10V	300mOhm a 2.5A, 10V	4V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	601 pF @ 30 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
BSP372NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4 Infineon Technologies	613 En stock	1 : $1.10000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.30778 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.8A (Ta)	4.5V, 10V	230mOhm a 1.8A, 10V	1.8V a 218µA	14.3 nC @ 10 V	±20V	329 pF @ 25 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
IRLL2705TRPBF MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 Infineon Technologies	66,173 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.27759 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	3.8A (Ta)	4V, 10V	40mOhm a 3.8A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 10 V	±16V	870 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
ZXMN10A08GTA MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 Diodes Incorporated	703 En stock 56,000 Fábrica	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.32392 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	2A (Ta)	6V, 10V	250mOhm a 3.2A, 10V	2V a 250µA	7.7 nC @ 10 V	±20V	405 pF @ 50 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
IPN95R3K7P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 Infineon Technologies	26,987 En stock	1 : $1.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28758 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	2A (Tc)	10V	3.7Ohm a 800mA, 10V	3.5V a 40µA	6 nC @ 10 V	±20V	196 pF @ 400 V	-	6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
DMP6023LE-13 MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Diodes Incorporated	38,297 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30492 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7A (Ta), 18.2A (Tc)	4.5V, 10V	28mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	53.1 nC @ 10 V	±20V	2569 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
ZVN4424GTA MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 Diodes Incorporated	3,368 En stock 79,000 Fábrica	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.34272 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	500mA (Ta)	2.5V, 10V	5.5Ohm a 500mA, 10V	1.8V a 1mA	-	±40V	200 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
NTF6P02T3G MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 onsemi	21,686 En stock	1 : $1.22000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.29951 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	10A (Ta)	2.5V, 4.5V	50mOhm a 6A, 4.5V	1V a 250µA	20 nC @ 4.5 V	±8V	1200 pF @ 16 V	-	8.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
FDT457N MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4 onsemi	14,188 En stock	1 : $1.23000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.30285 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	5A (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	5.9 nC @ 5 V	±20V	235 pF @ 15 V	-	3W (Ta)	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA
NTF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	50,073 En stock	1 : $1.28000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.37552 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3A (Ta)	5V	120mOhm a 1.5A, 5V	2V a 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
ZXMP4A16GTA MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223 Diodes Incorporated	7,893 En stock	1 : $1.32000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.37756 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	6.4 A (Ta)	4.5V, 10V	60mOhm a 3.8A, 10V	1V a 250µA	26.1 nC @ 10 V	±20V	1007 pF @ 20 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
IRLL110TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Vishay Siliconix	1,019 En stock	1 : $1.32000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.34832 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.5A (Tc)	4V, 5V	540mOhm a 900mA, 5V	2V a 250µA	6.1 nC @ 5 V	±10V	250 pF @ 25 V	-	2W (Ta), 3.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
FDT439N MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4 onsemi	14,639 En stock	1 : $1.33000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.33048 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6.3 A (Ta)	2.5V, 4.5V	45mOhm a 6.3A, 4.5V	1V a 250µA	15 nC @ 4.5 V	±8V	500 pF @ 15 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-4	TO-261-4, TO-261AA

Demostración

de 702

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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