TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63 FET simple, MOSFET

Demostración

de 4,792

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IPD50R2K0CEAUMA1 MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Infineon Technologies	22,027 En stock	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.17362 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CE	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	2.4A (Tc)	13V	2Ohm a 600mA, 13V	3.5V a 50µA	6 nC @ 10 V	±20V	124 pF @ 100 V	-	33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMN6068LK3-13 MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3 Diodes Incorporated	7,481 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.19948 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6A (Ta)	4.5V, 10V	68mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	10.3 nC @ 10 V	±20V	502 pF @ 30 V	-	2.12W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD1N60 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	14,988 En stock	1 : $0.86000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.21101 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	1.3A (Tc)	10V	9Ohm a 650mA, 10V	4.5V a 250µA	8 nC @ 10 V	±30V	160 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD4189 MOSFET P-CH 40V 40A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	39,073 En stock	1 : $0.88000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.21635 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	22mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	41 nC @ 10 V	±20V	1870 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD60R1K5CEAUMA1 MOSFET N-CH 600V 5A TO252 Infineon Technologies	60,224 En stock	1 : $0.90000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.21656 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CE	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	5A (Tc)	10V	1.5Ohm a 1.1A, 10V	3.5V a 90µA	9.4 nC @ 10 V	±20V	200 pF @ 100 V	-	49W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRLR8726TRPBF MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Infineon Technologies	61,925 En stock	1 : $0.91000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.22363 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	86A (Tc)	4.5V, 10V	5.8mOhm a 25A, 10V	2.35V a 50µA	23 nC @ 4.5 V	±20V	2150 pF @ 15 V	-	75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD407 MOSFET P-CH 60V 12A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	65,411 En stock	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.22696 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	12A (Tc)	4.5V, 10V	115mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1185 pF @ 30 V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MCU80N03A-TP MOSFET N-CH 30V 80A DPAK MCC (Micro Commercial Components)	9,970 En stock	1 : $0.95000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23750 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	80A (Tc)	4.5V, 10V	5.5mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	52.8 nC @ 10 V	±20V	2150 pF @ 15 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD66406 MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	21,046 En stock	1 : $0.96000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24012 Cinta y rollo (TR)	-	AlphaSGT™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	25A (Ta), 60A (Tc)	4.5V, 10V	6.1mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±20V	1480 pF @ 20 V	-	6.2W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD413A MOSFET P-CH 40V 12A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	254,249 En stock	1 : $0.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24535 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	12A (Tc)	4.5V, 10V	44mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1125 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMN10H170SK3-13 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Diodes Incorporated	89,115 En stock	1 : $0.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23925 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	12A (Tc)	4.5V, 10V	140mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	9.7 nC @ 10 V	±20V	1167 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD454A MOSFET N-CH 40V 20A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	46,981 En stock	1 : $0.98000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24535 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	20A (Tc)	4.5V, 10V	30mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	10.8 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 37W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMP6180SK3-13 MOSFET P-CH 60V 14A TO252 Diodes Incorporated	18,531 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23988 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	14A (Tc)	4.5V, 10V	110mOhm a 12A, 10V	2.7V a 250µA	17.1 nC @ 10 V	±20V	984.7 pF @ 30 V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD444 MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	77,541 En stock	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25445 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	4A (Ta), 12A (Tc)	4.5V, 10V	60mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	540 pF @ 30 V	-	2.1W (Ta), 20W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRLR024NTRPBF MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Infineon Technologies	35,170 En stock	1 : $1.02000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.25600 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	17A (Tc)	4V, 10V	65mOhm a 10A, 10V	2V a 250µA	15 nC @ 5 V	±16V	480 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD090N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Infineon Technologies	66,495 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25760 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 15 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD4184A MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	56,796 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.26608 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	13A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	7mOhm a 20A, 10V	2.6V a 250µA	33 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 20 V	-	2.3W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMP6180SK3Q-13 MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252 Diodes Incorporated	16,265 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25648 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	14A (Tc)	4.5V, 10V	110mOhm a 12A, 10V	2.7V a 250µA	17.1 nC @ 10 V	±20V	984.7 pF @ 30 V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMP10H400SK3-13 MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3 Diodes Incorporated	13,839 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25648 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	9A (Tc)	4.5V, 10V	240mOhm a 5A, 10V	3V a 250µA	17.5 nC @ 10 V	±20V	1239 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DMPH6050SK3-13 MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Diodes Incorporated	6,734 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25698 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	7.2A (Ta), 23.6A (Tc)	4.5V, 10V	50mOhm a 7A, 10V	3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1377 pF @ 30 V	-	1.9W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD2N60 MOSFET N-CH 600V 2A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	22,499 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.26737 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	2A (Tc)	10V	4.4Ohm a 1A, 10V	4.5V a 250µA	11 nC @ 10 V	±30V	325 pF @ 25 V	-	56.8W (Tc)	-50°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRLR2705TRPBF MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Infineon Technologies	23,951 En stock	1 : $1.11000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.28150 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	28A (Tc)	4V, 10V	40mOhm a 17A, 10V	2V a 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
AOD442G MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	40,386 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.29418 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	13A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	18mOhm a 20A, 10V	2.7V a 250µA	68 nC @ 10 V	±20V	1920 pF @ 30 V	-	6.2W (Ta), 60W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FDD4243 MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK onsemi	6,161 En stock	1 : $1.18000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30391 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	6.7A (Ta), 14A (Tc)	4.5V, 10V	44mOhm a 6.7A, 10V	3V a 250µA	29 nC @ 10 V	±20V	1550 pF @ 20 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RFD14N05LSM9A MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA onsemi	8,277 En stock	1 : $1.20000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.31021 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	14A (Tc)	5V	100mOhm a 14A, 5V	2V a 250µA	40 nC @ 10 V	±10V	670 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63

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de 4,792

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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