TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63 Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 4,462
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOFairchild SemiconductorfastSiCGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris Corporation
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2
Embalaje
CajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V15 V16 V20 V22 V24 V25 V28 V30 V33 V35 V40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100mA (Tc)170mA (Tj)200mA (Tc)300mA (Tj)350mA (Tj)400mA (Ta)400mA (Tc)500mA (Ta)500mA (Tj)750mA (Tc)800mA (Ta)800mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.8V, 10V2.8V, 4.5V3.5V, 10V4V, 10V4V, 5V4.3V, 10V4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.9mOhm a 100A, 10V1.9mOhm a 60A, 6V1.98mOhm a 90A, 10V2mOhm a 100A, 10V2mOhm a 80A, 10V2.1mOhm a 20A, 10V2.1mOhm a 50A, 10V2.2mOhm a 20A, 10V2.2mOhm a 90A, 10V2.3mOhm a 20A, 10V2.3mOhm a 50A, 10V2.3mOhm a 70A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
600mV a 250µA (mín.)800mV a 250µA (mín.)1V a 250µA1V a 250µA (mín.)1.1V a 50µA1.2V a 1mA1.2V a 250µA1.25V a 250µA1.4V a 1mA1.4V a 250µA1.5V a 1mA1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.7 nC @ 10 V1 nC @ 10 V1.5 nC @ 10 V1.8 nC @ 5 V2 nC @ 10 V2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.1 nC @ 10 V3.2 nC @ 10 V3.3 nC @ 10 V3.4 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V+5V, -20V±8V+10V, -20V+10V, -8V±10V±12V±13V±15V15V±16V±18V18V+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
37.5 pF @ 25 V41 pF @ 15 V54 pF @ 25 V60 pF @ 25 V65 pF @ 20 V65 pF @ 25 V80 pF @ 500 V84 pF @ 100 V92 pF @ 25 V93 pF @ 100 V95 pF @ 25 V95 pF @ 100 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (cuerpo)Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)620mW (Ta), 77W (Tc)850mW (Ta), 15W (Tc)850mW (Ta), 20W (Tc)850mW (Ta), 29W (Tc)1W (Ta), 10W (Tc)1W (Ta), 15W (Tc)1W (Ta), 19W (Tc)1W (Ta), 20W (Tc)1W (Ta), 22W (Tc)1W (Ta), 23W (Tc)1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 185°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-50°C ~ 175°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)150°C
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
ATPAKCPT3DPAKDPAK-3DPAK/ATPAKDPAK/TP-FADPAK+MP-3APG-TO252PG-TO252-2PG-TO252-3PG-TO252-3-1
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
4,462Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 4,462
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
326,974
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
44mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
134,741
En stock
135,000
Fábrica
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19688
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
140mOhm a 5A, 10V
3V a 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-3
AOD444
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
114,255
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.20375
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4 A (Ta), 12 A (Tc)
4.5V, 10V
60mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
2.1W (Ta), 20W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
20,339
En stock
355,000
Fábrica
1 : $0.54000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.18213
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6 A (Ta)
4.5V, 10V
68mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
28,050
En stock
1,575,000
Fábrica
1 : $0.56000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.18950
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
7.2 A (Ta)
4.5V, 10V
51mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-2
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
19,386
En stock
65,000
Fábrica
1 : $0.58000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.21995
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Tc)
4.5V, 10V
110mOhm a 12A, 10V
2.7V a 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
122,716
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.22452
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
20 A (Tc)
4.5V, 10V
30mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta), 37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
9,156
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19963
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
40 A (Tc)
4.5V, 10V
22mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
122,549
En stock
1 : $0.63000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.21154
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
115mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2.5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-2
DMP10H400SK3-13
MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Diodes Incorporated
65,816
En stock
187,500
Fábrica
1 : $0.63000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.23838
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
9 A (Tc)
4.5V, 10V
240mOhm a 5A, 10V
3V a 250µA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1239 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-3
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
216,204
En stock
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.24755
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
13 A (Ta), 50 A (Tc)
4.5V, 10V
7mOhm a 20A, 10V
2.6V a 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.3W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
107,270
En stock
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30425
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
38 A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
28.5 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 25 V
-
46W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
12,016
En stock
1 : $0.72000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.27374
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
30 A (Tc)
4.5V, 10V
34mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
16.6 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 30 V
-
66W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252-3
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
86,861
En stock
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.27922
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
13A (Ta), 40A (Tc)
4.5V, 10V
18mOhm a 20A, 10V
2.7V a 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6.2W (Ta), 60W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
11,492
En stock
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.27778
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
18 A (Tc)
4.5V, 10V
68mOhm a 6A, 10V
2.2V a 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
onsemi
37,944
En stock
1 : $0.76000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.28943
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Tc)
5V
107mOhm a 8A, 5V
3V a 250µA
11.3 nC @ 10 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252
SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Vishay Siliconix
59,797
En stock
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.42500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
18.3 A (Tc)
4.5V, 10V
60mOhm a 10A, 10V
3V a 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 25 V
-
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
26,598
En stock
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30512
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
40 A (Tc)
4.5V, 10V
15mOhm a 20A, 10V
3V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
7,374
En stock
1 : $0.81000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30800
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
70 A (Tc)
10V
8mOhm a 20A, 10V
2.3V a 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252
SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Vishay Siliconix
17,827
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.34466
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
8.8 A (Tc)
4.5V, 10V
195mOhm a 3.6A, 10V
2.5V a 250µA
34.8 nC @ 10 V
±20V
1055 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DN2450K4-G
DN2450K4-G
MOSFET N-CH 500V 350MA TO252
Microchip Technology
4,052
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.63000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
350mA (Tj)
0V
10Ohm a 300mA, 0V
-
-
±20V
200 pF @ 25 V
Modo de exclusión
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU45N10-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
Micro Commercial Co
7,672
En stock
1 : $0.84000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.31908
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
45A
-
17mOhm a 20A, 10V
3V a 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
1135 pF @ 50 V
-
72W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N20LT4
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
STMicroelectronics
11,841
En stock
1 : $0.85000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.35266
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
5 A (Tc)
5V
700mOhm a 2.5A, 5V
2.5V a 50µA
6 nC @ 5 V
±20V
242 pF @ 25 V
-
33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA (DPAK)
IRLR8726TRPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Infineon Technologies
35,863
En stock
1 : $0.87000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.22290
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
86 A (Tc)
4.5V, 10V
5.8mOhm a 25A, 10V
2.35V a 50µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2150 pF @ 15 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
FDD4141
MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
onsemi
4,766
En stock
1 : $0.90000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.37044
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
10.8 A (Ta), 50 A (Tc)
4.5V, 10V
12.3mOhm a 12.7A, 10V
3V a 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2775 pF @ 20 V
-
2.4W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 4,462

TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63 Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.