TO-247-4 FET simple, MOSFET

Resultados : 492
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
Excluir
492Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 492
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO247-4-1
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
529
En stock
1 : $9.88000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
1,206
En stock
1 : $10.40000
Tubo
-
Tubo
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
-
-
-
-
-
+20V, -10V
-
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,426
En stock
1 : $10.77000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
STW88N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
STMicroelectronics
594
En stock
1 : $12.39000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
84A (Tc)
10V
29mOhm a 42A, 10V
5V a 250µA
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
-
450W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075060K4S
SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
onsemi
531
En stock
1 : $13.35000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
28A (Tc)
-
74mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
155W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0060065K
SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $14.12000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
37A (Tc)
15V
79mOhm a 13.2A, 15V
3.6V a 5mA
46 nC @ 15 V
+15V, -4V
1020 pF @ 600 V
-
150W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
505
En stock
1 : $14.52000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
83A (Tc)
15V, 20V
18mOhm a 46.9A, 20V
5.6V a 9.5mA
57 nC @ 18 V
+23V, -7V
2038 pF @ 400 V
-
273W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075044K4S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
onsemi
549
En stock
1 : $14.84000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
37.4A (Tc)
12V
56mOhm a 25A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
203W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
onsemi
1,800
En stock
1 : $16.06000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
47A (Tc)
12V
41mOhm a 30A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
onsemi
995
En stock
60,300
Fábrica
1 : $16.25000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
68A (Tc)
18V
30mOhm a 40A, 18V
4.4V a 20mA
151 nC @ 18 V
+22V, -10V
3175 pF @ 800 V
-
352W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
171
En stock
1 : $16.99000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
103A (Tc)
15V, 20V
13.2mOhm a 64.2A, 20V
5.6V a 13mA
79 nC @ 18 V
+23V, -7V
2792 pF @ 400 V
-
341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075023K4S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
onsemi
1,114
En stock
1 : $17.46000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
66A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
306W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R40MT12K
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,560
En stock
1 : $17.67000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
71A (Tc)
15V
48mOhm a 35A, 15V
2.69V a 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
SCT4026DRC15
SCT4036KRHRC15
1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
517
En stock
1 : $20.04000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
43A (Tc)
18V
47mOhm a 21A, 18V
4.8V a 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V, -4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
129
En stock
1 : $20.15000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
2000 V
34A (Tc)
15V, 18V
98mOhm a 13A, 18V
5.5V a 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V, -7V
-
-
267W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
264
En stock
1 : $21.74000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
650 V
144A (Tc)
15V, 20V
9.1mOhm a 92.1A, 20V
5.6V a 18.7mA
112 nC @ 18 V
+23V, -7V
4001 pF @ 400 V
-
440W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
141
En stock
1 : $22.75000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
100A (Tc)
18V, 20V
25mOhm a 43A, 20V
5.1V a 13.7mA
82 nC @ 20 V
+23V, -5V
2667 pF @ 800 V
-
429W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
PG-TO247-4-11
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0075120K
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,751
En stock
1 : $23.24000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
4V a 5mA
51 nC @ 15 V
+19V, -8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4C075018K4S
SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
onsemi
958
En stock
1 : $23.78000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
81A (Tc)
-
23mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
223
En stock
1 : $24.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
1200 V
129A (Tc)
15V, 18V
12mOhm a 57A, 18V
5.1V a 17.8mA
124 nC @ 18 V
+23V, -7V
4050 pF @ 800 V
-
480W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-17
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,755
En stock
1 : $24.94000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
66A (Tc)
15V
53.5mOhm a 33.3A, 15V
3.6V a 9.2mA
99 nC @ 15 V
+15V, -4V
2900 pF @ 1000 V
-
326W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C120040K4S
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
onsemi
873
En stock
1 : $27.73000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1200 V
65A (Tc)
12V
45mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
429W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
1,388
En stock
1 : $27.85000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
127A (Tc)
15V, 18V
18.4mOhm a 54.3A, 18V
5.2V a 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V, -5V
4580 pF @ 25 V
-
455W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-247-4L
UJ4SC075011K4S
750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
onsemi
865
En stock
1 : $30.50000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
104A (Tc)
12V
14.2mOhm a 60A, 12V
5.5V a 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3245 pF @ 400 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L095N065SC1
NTH4L013N120M3S
DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
onsemi
229
En stock
1 : $32.57000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
151A (Tc)
18V
20mOhm a 75A, 18V
4.4V a 37mA
254 nC @ 18 V
+22V, -10V
5813 pF @ 800 V
-
682W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
Demostración
de 492

TO-247-4 FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.