TO-247-4 Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 373
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipLittelfuse Inc.Micro Commercial Co
Serie
-C2M™C3M™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2DTMOSVIE
Embalaje
BandejaCinta y rollo (TR)GranelTubo
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal N
Tecnología
GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1.2 kV1700 V2000 V3300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4.7 A (Tc)7 A (Tc)11 A (Tc)12 A (Ta)13 A (Tc)16A (Tj)17 A (Tc)17.3 A (Tc)17.9H (Tc)18 A (Tc)18.4 A (Tc)19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V12V15V15V, 18V15V, 20V16V, 20V18V18V, 20V20V-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.1mOhm a 146.3A, 20V7.4mOhm a 80A, 12V9mOhm a 50A, 12V9.9mOhm a 108A, 18V11mOhm a 100A, 12V11.3mOhm a 93A, 20V11.5mOhm a 70A, 12V13mOhm a 100A, 18V13.2mOhm a 64.2A, 20V14.2mOhm a 60A, 12V15mOhm a 41.5A, 20V16mOhm a 62.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 50mA (típico)2.2V a 5mA2.2V a 75mA (típico)2.4V a 1mA2.4V a 2.5mA (típico)2.4V a 4mA2.4V a 5mA (típico)2.4V a 7.5mA (típico)2.6V a 2mA2.69V a 10mA2.69V a 12mA2.69V a 15mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.3 nC @ 18 V8.5 nC @ 18 V11 nC @ 20 V13 nC @ 18 V14 nC @ 20 V15 nC @ 18 V18 nC @ 20 V19 nC @ 18 V21 nC @ 18 V21.5 nC @ 15 V22 nC @ 18 V23 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
-10V, +20V-8V, +19V+15V, -4V+15V, -5V±15V+18V, -3V+18V, -5V+18V, -8V+19V, -8V+20V, -10V+20V, -2V+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V289 pF @ 800 V317 pF @ 800 V350 pF @ 600 V350 pF @ 800 V351 pF @ 500 V454 pF @ 800 V458 pF @ 800 V495 pF @ 800 V513 pF @ 1000 V
Característica de FET
-Detección de corriente
Disipación de potencia (Máx.)
60W (Tc)68W (Tc)72W (Tc)75W (Tc)76W (Tc)83W (Tc)86W (Tc)94W (Tc)95W (Tc)96W (Tc)98W (Tc)100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247PG-TO247-4PG-TO247-4-1PG-TO247-4-11PG-TO247-4-14PG-TO247-4-3PG-TO247-4-8PG-TO247-4-U02PG-TO247-4-U04TO-247TO-247-4TO-247-4LTO-247-4L(T)TO-247-4L(X)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
373Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 373
Comparar
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
UJ4C075060K4S
SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Qorvo
1,183
En stock
1 : $8.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
28 A (Tc)
-
74mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1422 pF @ 100 V
-
155W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
onsemi
900
En stock
2,700
Fábrica
1 : $8.50000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17.3 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V, -15V
665 pF @ 800 V
-
111W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
UJ4C075033K4S
750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
520
En stock
1 : $10.75000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
47 A (Tc)
12V
41mOhm a 30A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
242W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
416
En stock
1 : $10.77000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C065040K4S
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Qorvo
6,700
En stock
1 : $12.91000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
-
650 V
54 A (Tc)
12V
52mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
326W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
UJ4C075023K4S
750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Qorvo
508
En stock
1 : $14.52000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
750 V
66 A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
306W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4L
UF3C065030K4S
MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Qorvo
1,935
En stock
1 : $18.30000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
-
650 V
85 A (Tc)
12V
35mOhm a 50A, 12V
6V a 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
441W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
348
En stock
1 : $19.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
2000 V
26 A (Tc)
15V, 18V
131mOhm a 10A, 18V
5.5V a 6mA
55 nC @ 18 V
+20V, -7V
-
-
217W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0075120K
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,161
En stock
1 : $20.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
4V a 5mA
51 nC @ 15 V
+19V, -8V
1350 pF @ 1000 V
-
113.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Wolfspeed, Inc.
80
En stock
1 : $20.81000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
32 A (Tc)
15V
97.5mOhm a 17.9A, 15V
3.6V a 5mA
55 nC @ 15 V
+19V, -8V
1480 pF @ 1000 V
-
145W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
979
En stock
1 : $21.33000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1000 V
35 A (Tc)
15V
78mOhm a 20A, 15V
3.5V a 5mA
35 nC @ 15 V
+19V, -8V
660 pF @ 600 V
-
113.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
419
En stock
900
Fábrica
1 : $22.29000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
58 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1762 pF @ 800 V
-
319W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,433
En stock
1 : $22.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
422
En stock
1 : $23.75000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
75 A (Tc)
10V
23mOhm a 37.5A, 10V
4.5V a 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
140
En stock
1 : $24.61000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
98 A (Tc)
15V, 18V
26.9mOhm a 41A, 18V
5.2V a 17.6mA
109 nC @ 18 V
+20V, -5V
3460 pF @ 800 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0040120K
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,943
En stock
1 : $27.02000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
66 A (Tc)
15V
53.5mOhm a 33.3A, 15V
3.6V a 9.2mA
99 nC @ 15 V
+15V, -4V
2900 pF @ 1000 V
-
326W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
182
En stock
1 : $30.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
2000 V
34 A (Tc)
15V, 18V
98mOhm a 13A, 18V
5.5V a 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V, -7V
-
-
267W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
UF4SC120023K4S
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,487
En stock
1 : $31.07000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1200 V
53 A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1430 pF @ 800 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
MSC400SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
Microchip Technology
474
En stock
1 : $32.11000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
3300 V
11 A (Tc)
20V
520mOhm a 5A, 20V
2.97V a 1mA
37 nC @ 20 V
+23V, -10V
579 pF @ 2400 V
-
131W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
490
En stock
1 : $32.47000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
127A (Tc)
15V, 18V
18.4mOhm a 54.3A, 18V
5.2V a 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V, -5V
4580 pF @ 25 V
-
455W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
935
En stock
1 : $33.07000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
61 A (Tc)
15V
58mOhm a 40A, 15V
2.7V a 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
onsemi
450
En stock
1 : $35.66000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
116 A (Tc)
15V, 18V
28mOhm a 60A, 15V
4.3V a 20mA
196 nC @ 15 V
+22V, -8V
4415 pF @ 450 V
-
484W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,028
En stock
1 : $36.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
128 A (Tc)
15V
24mOhm a 60A, 15V
2.69V a 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0032120K
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
296
En stock
1 : $36.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
63 A (Tc)
15V
43mOhm a 40A, 15V
3.6V a 11.5mA
118 nC @ 15 V
+15V, -4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L018N075SC1
SIC MOS TO247-4L 750V
onsemi
116
En stock
1 : $37.62000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
140 A (Tc)
15V, 18V
18mOhm a 66A, 18V
4.3V a 22mA
262 nC @ 18 V
+22V, -8V
5010 pF @ 375 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
Demostración
de 373

TO-247-4 Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.