TO-247-3 FET simple, MOSFET

Demostración

de 2,159

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRFP150NPBF MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC Infineon Technologies	3,184 En stock	1 : $2.58000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	42 A (Tc)	10V	36mOhm a 23A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 25 V	-	160W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP240PBF MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	1,084 En stock	1 : $2.63000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	20 A (Tc)	10V	180mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP250MPBF MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Infineon Technologies	2,937 En stock	1 : $2.83000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	30 A (Tc)	10V	75mOhm a 18A, 10V	4V a 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP064NPBF MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC Infineon Technologies	1,723 En stock	1 : $3.19000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	110 A (Tc)	10V	8mOhm a 59A, 10V	4V a 250µA	170 nC @ 10 V	±20V	4000 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP250NPBF MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Infineon Technologies	4,498 En stock	1 : $3.30000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	30 A (Tc)	10V	75mOhm a 18A, 10V	4V a 250µA	123 nC @ 10 V	±20V	2159 pF @ 25 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP054NPBF MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC Infineon Technologies	1,632 En stock	1 : $3.36000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	81 A (Tc)	10V	12mOhm a 43A, 10V	4V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 25 V	-	170W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP260MPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Infineon Technologies	1,173 En stock	1 : $3.39000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	50 A (Tc)	10V	40mOhm a 28A, 10V	4V a 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP9240PBF MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3 Vishay Siliconix	1,958 En stock	1 : $3.49000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	200 V	12 A (Tc)	10V	500mOhm a 7.2A, 10V	4V a 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4321PBF MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC Infineon Technologies	3,236 En stock	1 : $3.61000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	78 A (Tc)	10V	15.5mOhm a 33A, 10V	5V a 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	4460 pF @ 25 V	-	310W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP3710PBF MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC Infineon Technologies	4,767 En stock	1 : $3.75000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	57 A (Tc)	10V	25mOhm a 28A, 10V	4V a 250µA	190 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP450PBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Vishay Siliconix	3,443 En stock	1 : $3.90000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	14 A (Tc)	10V	400mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP350PBF MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 Vishay Siliconix	825 En stock	1 : $4.09000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	16 A (Tc)	10V	300mOhm a 9.6A, 10V	4V a 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	2600 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP7530PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO247 Infineon Technologies	336 En stock	1 : $4.13000 Tubo	-	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	195 A (Tc)	6V, 10V	2mOhm a 100A, 10V	3.7V a 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	13703 pF @ 25 V	-	341W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247	TO-247-3
IRFP450APBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Vishay Siliconix	712 En stock	1 : $4.20000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	14 A (Tc)	10V	400mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	64 nC @ 10 V	±30V	2038 pF @ 25 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP460APBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	2,784 En stock	1 : $4.58000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	20 A (Tc)	10V	270mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	105 nC @ 10 V	±30V	3100 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP2907PBF MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC Infineon Technologies	3,250 En stock	1 : $4.73000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	209 A (Tc)	10V	4.5mOhm a 125A, 10V	4V a 250µA	620 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 25 V	-	470W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP260NPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Infineon Technologies	4,328 En stock	1 : $4.81000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	50 A (Tc)	10V	40mOhm a 28A, 10V	4V a 250µA	234 nC @ 10 V	±20V	4057 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
SUG90090E-GE3 MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Vishay Siliconix	956 En stock	1 : $4.83000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	ThunderFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	100 A (Tc)	7.5V, 10V	9.5mOhm a 20A, 10V	4V a 250µA	129 nC @ 10 V	±20V	5220 pF @ 100 V	-	395W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4668PBF MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC Infineon Technologies	7,152 En stock	1 : $5.09000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	130 A (Tc)	10V	9.7mOhm a 81A, 10V	5V a 250µA	241 nC @ 10 V	±30V	10720 pF @ 50 V	-	520W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
STW48N60DM2 MOSFET N-CH 600V 40A TO247 STMicroelectronics	533 En stock	1 : $5.25000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	MDmesh™ DM2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	40 A (Tc)	10V	79mOhm a 20A, 10V	5V a 250µA	70 nC @ 10 V	±25V	3250 pF @ 100 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IRFP264PBF MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3 Vishay Siliconix	1,500 En stock	1 : $5.32000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	38 A (Tc)	10V	75mOhm a 23A, 10V	4V a 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	5400 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP460PBF MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Vishay Siliconix	2,514 En stock	1 : $5.35000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	20 A (Tc)	10V	270mOhm a 12A, 10V	4V a 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	4200 pF @ 25 V	-	280W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IRFP4768PBF MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC Infineon Technologies	435 En stock	1 : $5.35000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	93 A (Tc)	10V	17.5mOhm a 56A, 10V	5V a 250µA	270 nC @ 10 V	±20V	10880 pF @ 50 V	-	520W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
SPW20N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Infineon Technologies	2,419 En stock	1 : $5.43000 Tubo	-	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20.7 A (Tc)	10V	190mOhm a 13.1A, 10V	3.9V a 1mA	114 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-1	TO-247-3
G2R1000MT17D SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	5,655 En stock	1 : $5.44000 Tubo	-	G2R™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	5 A (Tc)	20V	1.2Ohm a 2A, 20V	5.5V a 500µA	11 nC @ 20 V	+25V, -10V	111 pF @ 1000 V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

TO-247-3 FET simple, MOSFET

TO-247-3 FET simple, MOSFET

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