TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
VN2222LL-G MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Microchip Technology	11,083 En stock	1 : $0.54000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Tj)	5V, 10V	7.5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	-	±30V	60 pF @ 25 V	-	400mW (Ta), 1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000 MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C onsemi	49,540 En stock	1 : $0.62000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TP2104N3-G-P003 MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 Microchip Technology	4,887 En stock	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.68000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	175mA (Tj)	4.5V, 10V	6Ohm a 500mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	740mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS250P MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE Diodes Incorporated	5,398 En stock 16,000 Fábrica	1 : $1.38000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	45 V	230mA (Ta)	10V	14Ohm a 200mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS170 MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 onsemi	53,925 En stock	1 : $0.43000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	500mA (Ta)	10V	5Ohm a 200mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	830mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000BU MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 onsemi	10,502 En stock 40,000 Fábrica	1 : $0.50000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Tc)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VN2106N3-G MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Microchip Technology	2,386 En stock	1 : $0.50000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300mA (Tj)	5V, 10V	4Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000-G MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Microchip Technology	1,725 En stock	1 : $0.50000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Tj)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±30V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS270 MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3 onsemi	10,177 En stock	1 : $0.60000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Granel	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	400mA (Ta)	4.5V, 10V	2Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VN10KN3-G MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3 Microchip Technology	4,805 En stock	1 : $0.60000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	310mA (Tj)	5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	-	±30V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LND150N3-G MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Microchip Technology	1,242 En stock	1 : $0.60000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	500 V	30mA (Tj)	0V	1000Ohm a 500µA, 0V	-	-	±20V	10 pF @ 25 V	-	740mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VP2106N3-G MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Microchip Technology	6,943 En stock	1 : $0.64000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	250mA (Tj)	5V, 10V	12Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LND150N3-G-P003 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 Microchip Technology	3,341 En stock	1 : $0.68000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.52000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	500 V	30mA (Tj)	0V	1000Ohm a 500µA, 0V	-	-	±20V	10 pF @ 25 V	-	740mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7008-G MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Microchip Technology	1,187 En stock	1 : $0.68000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Tj)	5V, 10V	7.5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±30V	50 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TN5325N3-G MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 Microchip Technology	1,289 En stock	1 : $0.75000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	215mA (Ta)	4.5V, 10V	7Ohm a 1A, 10V	2V a 1mA	-	±20V	110 pF @ 25 V	-	740mW (Ta)	-	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
DN2530N3-G MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 Microchip Technology	11,539 En stock	1 : $0.79000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	300 V	175mA (Tj)	0V	12Ohm a 150mA, 0V	-	-	±20V	300 pF @ 25 V	-	740mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92 (TO-226)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VN0106N3-G MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Microchip Technology	13,588 En stock	1 : $0.81000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	350mA (Tj)	5V, 10V	3Ohm a 1A, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	65 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
STQ1NK60ZR-AP MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3 STMicroelectronics	11,029 En stock	2,000 : $0.23637 Cinta y caja 1 : $0.93000 Cinta cortada (CT)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SuperMESH™	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	300mA (Tc)	10V	15Ohm a 400mA, 10V	4.5V a 50µA	6.9 nC @ 10 V	±30V	94 pF @ 25 V	-	3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS107P MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 Diodes Incorporated	7,277 En stock 4,000 Fábrica	1 : $1.00000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	120mA (Ta)	2.6V, 5V	30Ohm a 100mA, 5V	-	-	±20V	-	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VP0104N3-G MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3 Microchip Technology	430 En stock	1 : $1.02000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	250mA (Tj)	5V, 10V	8Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VP0106N3-G MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Microchip Technology	1,475 En stock	1 : $1.06000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	250mA (Tj)	5V, 10V	8Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TN0606N3-G MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Microchip Technology	1,343 En stock	1 : $1.06000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	500mA (Tj)	3V, 10V	1.5Ohm a 750mA, 10V	2V a 1mA	-	±20V	150 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TN0106N3-G MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Microchip Technology	1,119 En stock	1 : $1.06000 Bolsa	-	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	350mA (Tj)	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	2V a 500µA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVP3310A MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3 Diodes Incorporated	4,525 En stock 40,000 Fábrica	1 : $1.07000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	140mA (Ta)	10V	20Ohm a 150mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN2110A MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 Diodes Incorporated	3,552 En stock 8,000 Fábrica	1 : $1.09000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	320mA (Ta)	10V	4Ohm a 1A, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	75 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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