TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FET simple, MOSFET

Resultados : 139
Fabricante
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorMicrochip TechnologyNEC CorporationNTE Electronics, InconsemiRenesasRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
Serie
-QFET®STripFET™SuperMESH™
Embalaje
BolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Granel
Estado del producto
ActivoObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16.5 V20 V30 V40 V45 V50 V60 V80 V90 V100 V120 V150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
30mA (Tj)45mA (Ta)50mA (Tj)54mA (Tj)70mA (Ta)86mA (Tj)90mA (Ta)100mA (Tj)110mA (Ta)120mA (Ta)120mA (Tj)136mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V2V, 5V2.5V, 10V2.5V, 4V2.6V, 5V3V, 10V3V, 5V3.5V, 10V4V, 10V4.5V4.5V, 10V5V5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
300mOhm a 3A, 10V330mOhm a 3A, 10V350mOhm a 4A, 10V400mOhm a 500mA, 10V500mOhm a 3A, 10V600mOhm a 3A, 10V750mOhm a 1.5A, 10V900mOhm a 3.5A, 10V1Ohm a 1.5A, 10V1.2Ohm a 1A, 10V1.25Ohm a 2A, 10V1.3Ohm a 500mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 1mA1.5V a 1mA1.6V a 1mA1.6V a 500µA1.8V a 1mA2V a 1mA2V a 2mA2V a 500µA2.4V a 10mA2.4V a 1mA2.5V a 1mA2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.4 nC @ 4.5 V1.43 nC @ 10 V2 nC @ 5 V3.5 nC @ 4 V3.7 nC @ 4 V4.8 nC @ 10 V6.1 nC @ 10 V6.2 nC @ 10 V6.4 nC @ 10 V6.5 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V±18V±20V±30V±40V±50V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
10 pF @ 25 V35 pF @ 18 V40 pF @ 10 V40 pF @ 25 V43 pF @ 25 V50 pF @ 18 V50 pF @ 25 V55 pF @ 25 V60 pF @ 10 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V66 pF @ 25 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
350mW (Ta)400mW (Ta)400mW (Ta), 1W (Tc)500mW (Ta)625mW (Ta)700mW (Ta)740mW (Ta)740mW (Tc)750mW (Ta)830mW (Ta)850mW (Ta)890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)-
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92TO-92 (TO-226)TO-92-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
139Resultados
Filtros aplicados Elimiar todo

Demostración
de 139
Comparar
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
44,298
En stock
40,000
Fábrica
1 : $0.49000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
10,409
En stock
1 : $0.54000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Tj)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW (Ta), 1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
6,716
En stock
1 : $0.60000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
30mA (Tj)
0V
1000Ohm a 500µA, 0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
Modo de exclusión
740mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVN4424A
MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,020
En stock
20,000
Fábrica
1 : $1.09000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
240 V
260mA (Ta)
2.5V, 10V
5.5Ohm a 500mA, 10V
1.8V a 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000BU
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
onsemi
27,497
En stock
10,000
Fábrica
1 : $0.36000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Tc)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
38,884
En stock
60,000
Fábrica
1 : $0.41000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
500mA (Ta)
10V
5Ohm a 200mA, 10V
3V a 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
BS270
MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3
onsemi
3,854
En stock
1 : $0.46000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Microchip Technology
3,970
En stock
1 : $0.50000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tj)
5V, 10V
4Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000-G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Microchip Technology
2,994
En stock
1 : $0.50000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Tj)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN10KN3-G
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Microchip Technology
4,235
En stock
1 : $0.60000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Tj)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
BS107P
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Diodes Incorporated
5,072
En stock
20,000
Fábrica
1 : $0.61000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
120mA (Ta)
2.6V, 5V
30Ohm a 100mA, 5V
-
-
±20V
-
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
STMicroelectronics
11,318
En stock
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.21453
Cinta y caja
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
300mA (Tc)
10V
15Ohm a 400mA, 10V
4.5V a 50µA
6.9 nC @ 10 V
±30V
94 pF @ 25 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Microchip Technology
2,153
En stock
1 : $0.64000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
250mA (Tj)
5V, 10V
12Ohm a 500mA, 10V
3.5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3
STQ1HNK60R-AP
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
STMicroelectronics
7,409
En stock
1 : $0.65000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.24568
Cinta y caja
Cinta cortada (CT)
Cinta y caja
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
400mA (Tc)
10V
8.5Ohm a 500mA, 10V
3.7V a 250µA
10 nC @ 10 V
±30V
156 pF @ 25 V
-
3W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVP3310A
MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
Diodes Incorporated
7,095
En stock
64,000
Fábrica
1 : $0.68000
Granel
-
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
140mA (Ta)
10V
20Ohm a 150mA, 10V
3.5V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LND150N3-G-P003
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Microchip Technology
3,691
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.52000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
30mA (Tj)
0V
1000Ohm a 500µA, 0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
Modo de exclusión
740mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7008-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,307
En stock
1 : $0.68000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Tj)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVN2110A
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,180
En stock
1 : $0.69000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
320mA (Ta)
10V
4Ohm a 1A, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVN2106A
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,464
En stock
1 : $0.69000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
450mA (Ta)
10V
2Ohm a 1A, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
75 pF @ 18 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVN4206A
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,439
En stock
1 : $0.73000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
600mA (Ta)
5V, 10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3V a 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVN3306A
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
5,881
En stock
40,000
Fábrica
1 : $0.75000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
270mA (Ta)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
35 pF @ 18 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVNL110A
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,283
En stock
20,000
Fábrica
1 : $0.75000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
320mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
1.5V a 1mA
-
±20V
75 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
ZVNL120A
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,086
En stock
12,000
Fábrica
1 : $0.75000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
180mA (Ta)
3V, 5V
10Ohm a 250mA, 5V
1.5V a 1mA
-
±20V
85 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Microchip Technology
1,135
En stock
1 : $0.75000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
215mA (Ta)
4.5V, 10V
7Ohm a 1A, 10V
2V a 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
740mW (Ta)
-
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
BS170P
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Diodes Incorporated
3,642
En stock
4,000
Fábrica
1 : $0.78000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
270mA (Ta)
10V
5Ohm a 200mA, 10V
3V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Demostración
de 139

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.