TO-220-3 FET simple, MOSFET

Demostración

de 4,065

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRFB7545PBF MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Infineon Technologies	29,649 En stock	1 : $0.44000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	95 A (Tc)	6V, 10V	5.9mOhm a 57A, 10V	3.7V a 100µA	110 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRF510PBF MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Vishay Siliconix	29,632 En stock	1 : $0.97000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	5.6 A (Tc)	10V	540mOhm a 3.4A, 10V	4V a 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540ZPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	46,896 En stock	1 : $1.05000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	36 A (Tc)	10V	26.5mOhm a 22A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	19,169 En stock	1 : $1.11000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17 A (Tc)	10V	90mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Infineon Technologies	93,637 En stock	1 : $1.13000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	33 A (Tc)	10V	44mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Infineon Technologies	51,317 En stock	1 : $1.15000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	19 A (Tc)	10V	100mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9530NPBF MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Infineon Technologies	15,834 En stock	1 : $1.15000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14 A (Tc)	10V	200mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Infineon Technologies	32,162 En stock	1 : $1.23000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	30 A (Tc)	4V, 10V	35mOhm a 16A, 10V	2V a 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	2,026 En stock	1 : $1.30000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	47 A (Tc)	4V, 10V	22mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFBG20PBF MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Vishay Siliconix	7,896 En stock	1 : $1.34000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1000 V	1.4 A (Tc)	10V	11Ohm a 840mA, 10V	4V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	500 pF @ 25 V	-	54W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF830PBF MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Vishay Siliconix	634 En stock	1 : $1.34000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	4.5 A (Tc)	10V	1.5Ohm a 2.7A, 10V	4V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	610 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF530PBF MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Vishay Siliconix	6,910 En stock	1 : $1.35000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14 A (Tc)	10V	160mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	31,915 En stock	1 : $1.41000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	49 A (Tc)	10V	17.5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF3205PBF MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Infineon Technologies	16,552 En stock	1 : $1.47000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	110 A (Tc)	10V	8mOhm a 62A, 10V	4V a 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	37,785 En stock	1 : $1.50000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18 A (Tc)	10V	150mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9610PBF MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB Vishay Siliconix	2,203 En stock	1 : $1.51000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	200 V	1.8 A (Tc)	10V	3Ohm a 900mA, 10V	4V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	170 pF @ 25 V	-	20W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix	4,440 En stock	1 : $1.52000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	10 A (Tc)	10V	550mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4615PBF MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Infineon Technologies	3,779 En stock	1 : $1.53000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	35 A (Tc)	10V	39mOhm a 21A, 10V	5V a 100µA	26 nC @ 10 V	±20V	1750 pF @ 50 V	-	144W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF840PBF MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB Vishay Siliconix	1,202 En stock	1 : $1.66000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	8 A (Tc)	10V	850mOhm a 4.8A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9530PBF MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB Vishay Siliconix	6,637 En stock	1 : $1.74000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	12 A (Tc)	10V	300mOhm a 7.2A, 10V	4V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	28,746 En stock	1 : $1.75000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31 A (Tc)	10V	60mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540PBF MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Vishay Siliconix	20,102 En stock	1 : $1.87000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	28 A (Tc)	10V	77mOhm a 17A, 10V	4V a 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF640PBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Vishay Siliconix	1,821 En stock	1 : $1.90000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18 A (Tc)	10V	180mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF100B201 MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Infineon Technologies	1,424 En stock	1 : $1.92000 Tubo	-	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	192 A (Tc)	10V	4.2mOhm a 115A, 10V	4V a 250µA	255 nC @ 10 V	±20V	9500 pF @ 50 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	7,589 En stock	1 : $1.94000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	23 A (Tc)	10V	117mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3

Demostración

de 4,065

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

TO-220-3 FET simple, MOSFET

TO-220-3 FET simple, MOSFET

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS