TO-220-3 FET simple, MOSFET

Demostración

de 4,158

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Infineon Technologies	43,435 En stock	1 : $1.35000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	19A (Tc)	10V	100mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	14,004 En stock	1 : $1.39000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17A (Tc)	10V	90mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	25,509 En stock	1 : $1.41000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	49A (Tc)	10V	17.5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7545PBF MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Infineon Technologies	16,869 En stock	1 : $1.46000 Tubo	-	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	95A (Tc)	6V, 10V	5.9mOhm a 57A, 10V	3.7V a 100µA	110 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRF9530NPBF MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Infineon Technologies	21,936 En stock	1 : $1.47000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14A (Tc)	10V	200mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Infineon Technologies	18,661 En stock	1 : $1.56000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	30A (Tc)	4V, 10V	35mOhm a 16A, 10V	2V a 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540ZPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	43,639 En stock	1 : $1.69000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	36A (Tc)	10V	26.5mOhm a 22A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	27,960 En stock	1 : $1.74000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18A (Tc)	10V	150mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Infineon Technologies	26,694 En stock	1 : $1.75000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	33A (Tc)	10V	44mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF530PBF MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Vishay Siliconix	13,659 En stock	1 : $1.76000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14A (Tc)	10V	160mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	15,629 En stock	1 : $1.78000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	47A (Tc)	4V, 10V	22mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRL540NPBF MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Infineon Technologies	18,272 En stock	1 : $1.81000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	36A (Tc)	4V, 10V	44mOhm a 18A, 10V	2V a 250µA	74 nC @ 5 V	±16V	1800 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
STP17NF25 MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB STMicroelectronics	7,033 En stock	1 : $1.88000 Tubo	-	STripFET™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	17A (Tc)	10V	165mOhm a 8.5A, 10V	4V a 250µA	29.5 nC @ 10 V	±20V	1000 pF @ 25 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	12,198 En stock	1 : $1.94000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	23A (Tc)	10V	117mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	21,813 En stock	1 : $1.95000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31A (Tc)	10V	60mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF510PBF MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB Vishay Siliconix	20,556 En stock	1 : $2.03000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	5.6A (Tc)	10V	540mOhm a 3.4A, 10V	4V a 250µA	8.3 nC @ 10 V	±20V	180 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF3205PBF MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Infineon Technologies	14,223 En stock	1 : $2.14000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	110A (Tc)	10V	8mOhm a 62A, 10V	4V a 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
STP55NF06 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB STMicroelectronics	28,614 En stock	1 : $2.16000 Tubo	-	STripFET™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	50A (Tc)	10V	18mOhm a 27.5A, 10V	4V a 250µA	60 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
FQP17P10 MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3 onsemi	5,529 En stock	1 : $2.27000 Tubo	-	QFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	16.5A (Tc)	10V	190mOhm a 8.25A, 10V	4V a 250µA	39 nC @ 10 V	±30V	1100 pF @ 25 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
MTP3055VL MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3 onsemi	2,869 En stock 5,600 Fábrica	1 : $2.28000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	12A (Tc)	5V	180mOhm a 6A, 5V	2V a 250µA	10 nC @ 5 V	±15V	570 pF @ 25 V	-	48W (Tc)	-65°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
CSD18533KCS MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3 Texas Instruments	13,680 En stock	1 : $2.30000 Tubo	-	NexFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	72A (Ta), 100A (Tc)	4.5V, 10V	6.3mOhm a 75A, 10V	2.3V a 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	3025 pF @ 30 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
IRLB3813PBF MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Infineon Technologies	10,603 En stock	1 : $2.31000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	260A (Tc)	4.5V, 10V	1.95mOhm a 60A, 10V	2.35V a 150µA	86 nC @ 4.5 V	±20V	8420 pF @ 15 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4227PBF MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB Infineon Technologies	1,951 En stock	1 : $2.51000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	65A (Tc)	10V	24mOhm a 46A, 10V	5V a 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix	5,899 En stock	1 : $2.53000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	10A (Tc)	10V	550mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF3415PBF MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB Infineon Technologies	3,488 En stock	1 : $2.69000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	43A (Tc)	10V	42mOhm a 22A, 10V	4V a 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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