Texas Instruments FET simple, MOSFET

Demostración

de 300

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
CSD15380F3 MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR Texas Instruments	6,171 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06632 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	500mA (Ta)	2.8V, 8V	1190mOhm a 100mA, 8V	1.35V a 2.5µA	0.281 nC @ 10 V	10V	10.5 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17483F4 MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	51,249 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08229 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	240mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	1.3 nC @ 4.5 V	12V	190 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	98,640 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09156 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	1.8V, 8V	121mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25481F4 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	17,862 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09177 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	2.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	88mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	0.913 nC @ 4.5 V	-12V	189 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD25310Q2 MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON Texas Instruments	40,428 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14811 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	20A (Ta)	1.8V, 4.5V	23.9mOhm a 5A, 4.5V	1.1V a 250µA	4.7 nC @ 4.5 V	±8V	655 pF @ 10 V	-	2.9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD16301Q2 MOSFET N-CH 25V 5A 6SON Texas Instruments	41,104 En stock	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17550 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	5A (Tc)	3V, 8V	24mOhm a 4A, 8V	1.55V a 250µA	2.8 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	340 pF @ 12.5 V	-	2.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-SON	6-SMD, conductores planos
CSD19538Q2 MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON Texas Instruments	14,279 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19952 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14.4A (Ta)	6V, 10V	59mOhm a 5A, 10V	3.8V a 250µA	5.6 nC @ 10 V	±20V	454 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-WSON (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
CSD19538Q3A MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON Texas Instruments	21,135 En stock	1 : $1.01000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25523 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15 A (Ta)	6V, 10V	59mOhm a 5A, 10V	3.8V a 250µA	4.3 nC @ 10 V	±20V	454 pF @ 50 V	-	2.8W (Ta), 23W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
CSD25402Q3A MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON Texas Instruments	30,532 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.32344 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	76A (Tc)	1.8V, 4.5V	8.9mOhm a 10A, 4.5V	1.15V a 250µA	9.7 nC @ 4.5 V	±12V	1790 pF @ 10 V	-	2.8W (Ta), 69W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
CSD18543Q3A MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON Texas Instruments	149 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.31310 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	60A (Tc)	4.5V, 10V	9.9mOhm a 12A, 10V	2.7V a 250µA	14.5 nC @ 10 V	±20V	1150 pF @ 30 V	-	66W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
CSD18514Q5A MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON Texas Instruments	7,510 En stock	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.32810 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	89A (Tc)	4.5V, 10V	7.9mOhm a 15A, 10V	2.4V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	2680 pF @ 20 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD17308Q3 MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON Texas Instruments	8,096 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.35412 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	14A (Ta), 44A (Tc)	3V, 8V	10.3mOhm a 10A, 8V	1.8V a 250µA	5.1 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	700 pF @ 15 V	-	2.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	8-PowerTDFN
CSD25480F3T MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Texas Instruments	1,635 En stock	1 : $1.35000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48664 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	1.8V, 8V	132mOhm a 400mA, 8V	1.2V a 250µA	0.91 nC @ 10 V	-12V	155 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD17483F4T MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Texas Instruments	10,860 En stock	1 : $1.39000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.50088 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.5A (Ta)	1.8V, 4.5V	240mOhm a 500mA, 8V	1.1V a 250µA	1.3 nC @ 4.5 V	12V	190 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD18537NQ5A MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON Texas Instruments	7,239 En stock	1 : $1.48000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.39624 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	50A (Tc)	6V, 10V	13mOhm a 12A, 10V	3.5V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	1480 pF @ 30 V	-	3.2W (Ta), 75W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD17575Q3 MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Texas Instruments	28,143 En stock	1 : $1.52000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.40946 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	60 A (Ta)	4.5V, 10V	2.3mOhm a 25A, 10V	1.8V a 250µA	30 nC @ 4.5 V	±20V	4420 pF @ 15 V	-	2.8W (Ta), 108W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	8-PowerTDFN
CSD25404Q3 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Texas Instruments	5,075 En stock	1 : $1.58000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.42701 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	104A (Tc)	1.8V, 4.5V	6.5mOhm a 10A, 4.5V	1.15V a 250µA	14.1 nC @ 4.5 V	±12V	2120 pF @ 10 V	-	2.8W (Ta), 96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (3x3.3)	8-PowerVDFN
CSD18534Q5A MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON Texas Instruments	33,486 En stock	1 : $1.63000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.44445 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	13A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	9.8mOhm a 14A, 10V	2.3V a 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	1770 pF @ 30 V	-	3.1W (Ta), 77W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD18511Q5A MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON Texas Instruments	4,573 En stock	1 : $1.64000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.44682 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	159A (Tc)	4.5V, 10V	3.5mOhm a 24A, 4.5V	2.45V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	5850 pF @ 10 V	-	104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD16406Q3 MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON Texas Instruments	885 En stock	1 : $1.65000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.45210 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	19A (Ta), 60A (Tc)	4.5V, 10V	5.3mOhm a 20A, 10V	2.2V a 250µA	8.1 nC @ 4.5 V	+16V, -12V	1100 pF @ 12.5 V	-	2.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	8-PowerTDFN
CSD16340Q3 MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON Texas Instruments	8,095 En stock	1 : $1.68000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.45923 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	21A (Ta), 60A (Tc)	2.5V, 8V	4.5mOhm a 20A, 8V	1.1V a 250µA	9.2 nC @ 4.5 V	+10V, -8V	1350 pF @ 12.5 V	-	3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	8-PowerTDFN
CSD19537Q3 MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON Texas Instruments	5,130 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.48422 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	50A (Ta)	6V, 10V	14.5mOhm a 10A, 10V	3.6V a 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1680 pF @ 50 V	-	2.8W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)	8-PowerTDFN
CSD18504Q5A MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON Texas Instruments	14,036 En stock	1 : $1.87000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.52148 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	15A (Ta), 50A (Tc)	4.5V, 10V	6.6mOhm a 17A, 10V	2.4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	1656 pF @ 20 V	-	3.1W (Ta), 77W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD18533Q5A MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON Texas Instruments	1,857 En stock	1 : $1.90000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.46042 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	17A (Ta), 100A (Tc)	4.5V, 10V	5.9mOhm a 18A, 10V	2.3V a 250µA	36 nC @ 10 V	±20V	2750 pF @ 30 V	-	3.2W (Ta), 116W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN
CSD18563Q5A MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON Texas Instruments	34,324 En stock	1 : $2.03000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.57725 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	100A (Ta)	4.5V, 10V	6.8mOhm a 18A, 10V	2.4V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 30 V	-	3.2W (Ta), 116W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-VSONP (5x6)	8-PowerTDFN

Demostración

de 300

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS