SOT-723 FET simple, MOSFET

Demostración

de 69

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	2,794 En stock	1 : $0.22000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03772 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	1.2V, 4.5V	3.8Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	149,220 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03963 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	100mA (Ta)	2.5V, 4V	3.6Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
RUM001L02T2CL MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	260,514 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05293 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	1.2V, 4.5V	3.5Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±8V	7.1 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	192,620 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05876 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 200mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	21,247 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05731 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	51,846 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.06664 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.2V, 4.5V	390mOhm a 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	555,490 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07565 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
NTK3139PT1G MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 onsemi	84,318 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.10003 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	660mA (Ta)	1.5V, 4.5V	480mOhm a 780mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	170 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
NTK3134NT1G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 onsemi	57,130 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.14320 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
SSM3K16FV,L3F PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	10,024 En stock	1 : $0.19000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03193 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	1.5V, 4V	3Ohm a 10mA, 4V	1.1V a 100µA	-	±10V	9.3 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3K35AMFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	62,237 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03350 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	250mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.1Ohm a 150mA, 4.5V	1V a 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3J35MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	48,878 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03350 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	-	8Ohm a 50mA, 4V	-	-	-	12.2 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3J15FV,L3F MOSFET P-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	29,392 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03350 Cinta y rollo (TR)	-	π-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	100mA (Ta)	2.5V, 4V	12Ohm a 10mA, 4V	1.7V a 100µA	-	±20V	9.1 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3J35AMFV,L3F MOSFET P-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	14,521 En stock	1 : $0.21000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03505 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	250mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.4Ohm a 150mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±10V	42 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3K37MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	15,126 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.03963 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	250mA (Ta)	1.5V, 4.5V	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
NTK3139PT5G MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 onsemi	22,065 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.04606 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	660mA (Ta)	1.5V, 4.5V	480mOhm a 780mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	170 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
NTK3043NT5G MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723 onsemi	16,884 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.04606 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	210mA (Ta)	1.65V, 4.5V	3.4Ohm a 10mA, 4.5V	1.3V a 250µA	-	±10V	11 pF @ 10 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
NTK3134NT5G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 onsemi	9,935 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.04546 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	750mA (Ta)	1.5V, 4.5V	350mOhm a 890mA, 4.5V	1.2V a 250µA	-	±6V	120 pF @ 16 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
NTK3043NT1G MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723 onsemi	49,554 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.06250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	210mA (Ta)	1.65V, 4.5V	3.4Ohm a 10mA, 4.5V	1.3V a 250µA	-	±10V	11 pF @ 10 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
SSM3K36MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 500MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	394,303 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05239 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	500mA (Ta)	1.5V, 5V	630mOhm a 200mA, 5V	1V a 1mA	1.23 nC @ 4 V	±10V	46 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
RUM002N05T2L MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	616,796 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05481 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
2N7002KM-TP N-CHANNEL MOSFET SOT-723 MCC (Micro Commercial Components)	7,838 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.06589 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	340mA	4.5V, 10V	4Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-723	SOT-723
RSM002N06T2L MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3 Rohm Semiconductor	6,368 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.06589 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	250mA (Ta)	2.5V, 10V	2.4Ohm a 250mA, 10V	2.3V a 1mA	-	±20V	15 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
SSM3K56MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	37,999 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.06664 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.5V, 4.5V	235mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
2SK3541T2L MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	77,590 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07150 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	100mA (Ta)	2.5V, 4V	8Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	-	±20V	13 pF @ 5 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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