SiCFET (Cascode SiCJFET) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
UF3C120400B7S SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7 onsemi	964 En stock	1 : $8.65000 Cinta cortada (CT) 800 : $3.80000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	7.6A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	22.5 nC @ 15 V	±25V	739 pF @ 800 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C170400K3S SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 onsemi	69,016 En stock	1 : $9.14000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1700 V	7.6A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	27.5 nC @ 15 V	±25V	740 pF @ 100 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UF3C170400B7S SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7 onsemi	5,193 En stock	1 : $10.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $4.98750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1700 V	7.6A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	23.1 nC @ 15 V	±25V	734 pF @ 1200 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4C075060K4S SICFET N-CH 750V 28A TO247-4 onsemi	497 En stock	1 : $13.35000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	28A (Tc)	-	74mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1422 pF @ 100 V	-	155W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UJ4C075033K4S 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T onsemi	2,996 En stock	1 : $16.06000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	47A (Tc)	12V	41mOhm a 30A, 12V	6V a 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1400 pF @ 400 V	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UJ3C120080K3S SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3 onsemi	4,001 En stock	1 : $16.83000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	33A (Tc)	12V	100mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	254.2W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UF3C120080B7S SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7 onsemi	1,471 En stock	1 : $17.97000 Cinta cortada (CT) 800 : $9.85000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	28.8A (Tc)	-	105mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	23 nC @ 12 V	±25V	754 pF @ 100 V	-	190W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UF3C065040T3S MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3 onsemi	527 En stock	1 : $18.27000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	650 V	54A (Tc)	12V	52mOhm a 40A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	326W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
UJ4C075023B7S 750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE, onsemi	445 En stock	1 : $19.62000 Cinta cortada (CT) 800 : $11.02500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	64A (Tc)	12V	29mOhm a 40A, 12V	6V a 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1400 pF @ 400 V	-	278W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4C075018K3S SICFET N-CH 750V 81A TO247-3 onsemi	5,066 En stock	1 : $19.85000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	81A (Tc)	-	23mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1422 pF @ 100 V	-	385W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UJ4SC075018B7S 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS onsemi	1,113 En stock	1 : $23.10000 Cinta cortada (CT) 800 : $13.57500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	72A (Tc)	12V	23mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1414 pF @ 400 V	-	259W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ3C065030B3 MOSFET N-CH 650V 65A TO263 onsemi	3,703 En stock	1 : $23.62000 Cinta cortada (CT) 800 : $13.96250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	650 V	65A (Tc)	12V	35mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
UF3C065030B3 MOSFET N-CH 650V 65A TO263 onsemi	2,692 En stock	1 : $23.62000 Cinta cortada (CT) 800 : $13.96250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	650 V	65A (Tc)	12V	35mOhm a 40A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	242W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
UJ4C075018K4S SICFET N-CH 750V 81A TO247-4 onsemi	871 En stock	1 : $23.78000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	81A (Tc)	-	23mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	37.8 nC @ 15 V	±20V	1422 pF @ 100 V	-	385W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UJ3C065030T3S MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 onsemi	945 En stock	1 : $23.98000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	650 V	85A (Tc)	12V	35mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
UJ3C065030K3S MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3 onsemi	3,680 En stock	1 : $24.10000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	650 V	85A (Tc)	12V	35mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UF3C120040K4S SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4 onsemi	567 En stock	1 : $27.73000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	65A (Tc)	12V	45mOhm a 40A, 12V	6V a 10mA	43 nC @ 12 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	429W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UJ4SC075010L8S 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL onsemi	1,801 En stock	1 : $29.63000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $18.60000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	106A (Tc)	12V	14.2mOhm a 60A, 12V	5.5V a 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	-	556W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TOLL	8-PowerSFN
UJ4SC075011K4S 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD onsemi	509 En stock	1 : $30.50000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	104A (Tc)	12V	14.2mOhm a 60A, 12V	5.5V a 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	-	357W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UF3SC120040B7S 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST onsemi	3,874 En stock	1 : $31.93000 Cinta cortada (CT) 800 : $20.42500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	47A (Tc)	12V	45mOhm a 35A, 12V	6V a 10mA	43 nC @ 12 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4SC075005L8S SICFET N-CH 750V 120A TOLL onsemi	2,047 En stock	1 : $51.08000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $36.61250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	120A (Tc)	12V	7.2mOhm a 80A, 12V	6V a 10mA	164 nC @ 15 V	±20V	8374 pF @ 400 V	-	1153W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TOLL	8-PowerSFN
UJ4SC075006K4S 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE onsemi	653 En stock	1 : $51.85000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	750 V	120A (Tc)	12V	7.4mOhm a 80A, 12V	6V a 10mA	164 nC @ 15 V	±20V	8374 pF @ 400 V	-	714W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UF3SC120016K3S SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3 onsemi	1,028 En stock	1 : $56.44000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	107A (Tc)	12V	21mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	218 nC @ 15 V	±20V	7824 pF @ 800 V	-	517W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UF3SC065007K4S MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4 onsemi	494 En stock	1 : $73.16000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	650 V	120A (Tc)	12V	9mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	214 nC @ 15 V	±20V	8360 pF @ 100 V	-	789W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
UF3C120400K3S SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 onsemi	122 En stock	1 : $10.33000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1200 V	7.6A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	27 nC @ 15 V	±25V	740 pF @ 100 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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