SiCFET (Carburo de silicio) FET simple, MOSFET

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de 1,075
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SCT2450KEGC11
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
1,285
En stock
1 : $5.78000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
18V
208mOhm a 5A, 18V
5.6V a 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V, -4V
398 pF @ 800 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
1,253
En stock
1 : $5.88000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.27712
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
7.4 A (Tc)
12V, 15V
650mOhm a 1.5A, 15V
5.7V a 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V, -10V
422 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
2,269
En stock
1 : $6.49000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $2.59675
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
RGCL80TK60GC11
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Rohm Semiconductor
549
En stock
1 : $6.89000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
3.7 A (Tc)
18V
1.5Ohm a 1.1A, 18V
4V a 900µA
14 nC @ 18 V
+22V, -6V
184 pF @ 800 V
-
35W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PFM
TO-3PFM, SC-93-3
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
294
En stock
1 : $6.99000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.86325
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9.8 A (Tc)
12V, 15V
450mOhm a 2A, 15V
5.7V a 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V, -10V
610 pF @ 1000 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
918
En stock
1 : $8.63000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.32688
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
49 A (Tc)
15V, 20V
49mOhm a 22.9A, 18V
5.6V a 4.6mA
28 nC @ 18 V
+23V, -7V
997 pF @ 400 V
-
197W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
866
En stock
1 : $9.18000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
39 A (Tc)
18V
64mOhm a 20.1A, 18V
5.7V a 6mA
33 nC @ 18 V
+23V, -5V
1118 pF @ 400 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
4,120
En stock
1 : $9.77000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
21 A (Tc)
18V
156mOhm a 6.7A, 18V
5.6V a 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V, -4V
460 pF @ 500 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
PG-TO247-4-1
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
561
En stock
1 : $9.88000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
782
En stock
1 : $10.03000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
998
En stock
1 : $10.11000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.33904
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-4 Top
G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
606
En stock
1 : $10.40000
Tubo
-
Tubo
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
-
-
-
-
-
+20V, -10V
-
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,218
En stock
1 : $10.50000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,446
En stock
1 : $10.77000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
NTHL040N120M3S
SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
onsemi
1,288
En stock
130,050
Fábrica
1 : $11.01000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
54 A (Tc)
18V
54mOhm a 20A, 18V
4.4V a 10mA
75 nC @ 18 V
+22V, -10V
1700 pF @ 800 V
-
231W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO263-7
C3M0160120J
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Wolfspeed, Inc.
2,059
En stock
1 : $11.14000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
15V
208mOhm a 8.5A, 15V
3.6V a 2.33mA
24 nC @ 15 V
+15V, -4V
632 pF @ 1000 V
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DW7TL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
3,769
En stock
1 : $12.00000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $8.83000
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
24 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
1,240
En stock
1 : $12.07000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $5.88263
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
-
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
-
18V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
D2PAK-7
NVBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
onsemi
2,185
En stock
147,200
Fábrica
1 : $12.17000
Cinta cortada (CT)
800 : $5.94825
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
19.5 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
33.8 nC @ 20 V
+25V, -15V
678 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
981
En stock
1 : $12.24000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
21 A (Tc)
15V
208mOhm a 12A, 15V
2.7V a 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL060N090SC1
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
onsemi
475
En stock
31,050
Fábrica
1 : $12.42000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
46 A (Tc)
15V
84mOhm a 20A, 15V
4.3V a 5mA
87 nC @ 15 V
+19V, -10V
1770 pF @ 450 V
-
221W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-263-8
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
848
En stock
1 : $12.98000
Cinta cortada (CT)
800 : $9.94005
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
18 A (Tc)
15V
224mOhm a 10A, 15V
2.7V a 5mA
29 nC @ 15 V
+15V, -5V
854 pF @ 1000 V
-
145W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
145
En stock
1 : $13.00000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
47 A (Tc)
18V
34mOhm a 38.3A, 18V
5.7V a 11mA
62 nC @ 18 V
+23V, -5V
2131 pF @ 400 V
-
189W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO263-7-12
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
1,414
En stock
1 : $13.40000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.74218
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
47 A (Tc)
-
63mOhm a 16A, 18V
5.7V a 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V, -15V
1527 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Infineon Technologies
893
En stock
1 : $13.48000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
56 A (Tc)
15V, 18V
40mOhm a 25A, 18V
5.7V a 10mA
63 nC @ 18 V
+23V, -7V
2120 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
Demostración
de 1,075

SiCFET (Carburo de silicio) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.