SiCFET (Carburo de silicio) FET simple, MOSFET

Resultados : 622
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesInventchipIXYSLittelfuse Inc.
Serie
-1200C2M™C3M™CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2CoolSIC™ M1E SeriesE-SeriesEasyPACK™G2R™G3R™G3R™, LoRing™NC1M
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoleto
Tipo FET
-Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V700 V750 V900 V1000 V1200 V1.2 kV1700 V3300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3 A (Tc)3.7 A (Tc)4 A (Tc)4A4.6 A (Tc)4.7 A (Tc)4.9 A (Tc)5 A (Tc)5.2 A (Tc)5.3 A (Tc)5.9 A (Tc)6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 18V10V12V12V, 15V15V15V, 18V15V, 20V18V18V, 20V20V-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.7mOhm a 89.9A, 18V8.5mOhm a 146.3A, 18V9.9mOhm a 108A, 18V10.6mOhm a 90.3A, 18V12.2mOhm a 56.7A, 18V13mOhm a 100A, 18V14.2mOhm a 60A, 12V16mOhm a 75A, 15V16mOhm a 80A, 20V16.2mOhm a 50A, 18V16.9mOhm a 58A, 18V17mOhm a 100A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA2.2V a 20mA (típico)2.2V a 2mA (típico)2.2V a 40mA (típico)2.2V a 50mA (típico)2.2V a 5mA2.2V a 5mA (típico)2.2V a 600µA (típico)2.2V a 75mA (típico)2.3V a 2mA2.3V a 5mA2.4V a 10mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5 nC @ 12 V5.3 nC @ 18 V5.9 nC @ 18 V6 nC @ 18 V8 nC @ 12 V8.5 nC @ 18 V9.4 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V9.7 nC @ 18 V10 nC @ 18 V11 nC @ 12 V11 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
-10V, +20V-8V, +19V+15V, -4V+15V, -5V±15V+18V, -15V+18V, -5V+18V, -8V+19V, -10V+19V, -8V+20V, -10V+20V, -2V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
111 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V170 pF @ 800 V182 pF @ 800 V184 pF @ 800 V184 pF @ 1000 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V196 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V
Característica de FET
-Detección de corrienteModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
313mW (Tj)3.7W (Ta), 468W (Tc)3.7W (Ta), 477W (Tc)26W32W35W35W (Tc)38W40.8W (Tc)44W (Tc)50W (Tc)52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-TDFN (8x8)8-DFN (5.2x5.86)8-HPSOF-D2PAK (7-conductores)D2PAK-7D2PAK-7LD3D3PAKDFN8*8H2Pak-2H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNMódulo 22-PowerBSOP-DFN8*8MóduloMódulo D-3MoldeSOT-227-4, miniBLOCTO-220-2
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
7,991
En stock
1 : $5.44000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5 A (Tc)
20V
1.2Ohm a 2A, 20V
5.5V a 500µA
11 nC @ 20 V
+25V, -10V
111 pF @ 1000 V
-
44W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
1,668
En stock
1 : $5.51000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.15528
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5.2 A (Tc)
12V, 15V
1000mOhm a 1A, 15V
5.7V a 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V, -10V
275 pF @ 1000 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
15,132
En stock
1 : $5.56000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.11250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
11 A (Tc)
15V
360mOhm a 7.5A, 15V
3.5V a 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
PG-TO263-7
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Infineon Technologies
938
En stock
1 : $6.21000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.52838
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
7.4 A (Tc)
12V, 15V
650mOhm a 1.5A, 15V
5.7V a 1.7mA
8 nC @ 12 V
+20V, -10V
422 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,252
En stock
1 : $6.52000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22 A (Tc)
15V
192mOhm a 10A, 15V
2.69V a 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,720
En stock
1 : $7.09000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.89428
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
4.7 A (Tc)
-
468mOhm a 2A, 18V
5.7V a 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V, -15V
196 pF @ 800 V
-
65W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,662
En stock
1 : $7.21000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9 A (Tc)
15V
585mOhm a 4A, 15V
2.7V a 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
PG-TO263-7
IMBF170R450M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Infineon Technologies
904
En stock
1 : $7.38000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.17925
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9.8 A (Tc)
12V, 15V
450mOhm a 2A, 15V
5.7V a 2.5mA
11 nC @ 12 V
+20V, -10V
610 pF @ 1000 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-13
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,503
En stock
1 : $7.40000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
7.6 A (Tc)
15V
455mOhm a 3.6A, 15V
3.6V a 1mA
19 nC @ 15 V
+15V, -4V
345 pF @ 1000 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
GA20JT12-263
G3R450MT17J-TR
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,504
En stock
1 : $8.04000
Cinta cortada (CT)
800 : $6.08003
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
8 A (Tc)
15V
585mOhm a 4A, 15V
2.7V a 2mA
18 nC @ 15 V
+15V, -5V
454 pF @ 1000 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
TO-247-4
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
onsemi
900
En stock
2,700
Fábrica
1 : $8.50000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17.3 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V, -15V
665 pF @ 800 V
-
111W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
CoolSiC_MOSFET
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Infineon Technologies
1,020
En stock
1 : $8.67000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.78375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
18 A (Tc)
-
189mOhm a 6A, 18V
5.7V a 2.5mA
13.4 nC @ 18 V
+18V, -15V
491 pF @ 800 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,635
En stock
1 : $10.02000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
21 A (Tc)
18V
156mOhm a 6.7A, 18V
5.6V a 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V, -4V
460 pF @ 500 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
14,320
En stock
1 : $10.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
10 A (Tc)
20V
370mOhm a 6A, 20V
2.8V a 1.25mA (típico)
20.4 nC @ 20 V
+25V, -10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Infineon Technologies
652
En stock
1 : $10.21000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
15V, 18V
117mOhm a 8.5A, 18V
5.7V a 3.7mA
21 nC @ 18 V
+23V, -7V
707 pF @ 800 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,796
En stock
1 : $10.50000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
416
En stock
1 : $10.77000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,874
En stock
1 : $11.13000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
18V
208mOhm a 5A, 18V
5.6V a 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V, -4V
398 pF @ 800 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
1,227
En stock
1 : $11.92000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
2,465
En stock
1 : $12.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
4.9 A (Tc)
20V
1.1Ohm a 2A, 20V
4V a 500µA
13 nC @ 20 V
+25V, -10V
191 pF @ 1000 V
-
69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
241
En stock
1 : $12.24000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
21 A (Tc)
15V
208mOhm a 12A, 15V
2.7V a 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
D2PAK-7
NVBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
onsemi
758
En stock
1 : $12.25000
Cinta cortada (CT)
800 : $5.94825
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
19.5 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
33.8 nC @ 20 V
+25V, -15V
678 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
C2D10120D
C3M0120090D
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
818
En stock
1 : $12.26000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
23 A (Tc)
15V
155mOhm a 15A, 15V
3.5V a 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V, -8V
414 pF @ 600 V
-
97W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C2M1000170J
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Wolfspeed, Inc.
917
En stock
1 : $12.78000
Granel
Granel
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
5.3 A (Tc)
20V
1.4Ohm a 2A, 20V
4V a 500µA
13 nC @ 20 V
+25V, -10V
200 pF @ 1000 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK (7-conductores)
TO-263-7 (conductores rectos)
GA20JT12-263
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,418
En stock
1 : $12.98000
Cinta cortada (CT)
800 : $9.94005
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
18 A (Tc)
15V
224mOhm a 10A, 15V
2.7V a 5mA
29 nC @ 15 V
+15V, -5V
854 pF @ 1000 V
-
145W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
Demostración
de 622

SiCFET (Carburo de silicio) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.