Rohm Semiconductor Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 1,256
Serie
-*OptiMOS®
Embalaje
BandejaBolsaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevosObsoleto
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V20 V30 V40 V45 V50 V60 V80 V100 V150 V190 V200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100mA (Ta)115mA (Ta)150mA (Ta)180mA (Ta)200mA (Ta)210mA (Ta)230mA (Ta)250mA (Ta)300mA (Ta)310mA (Ta)380mA (Ta)400mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0.9V, 4.5V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V1.8V, 4V2.5V, 10V2.5V, 4.5V2.5V, 4V4V, 10V4.5V4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.1mOhm a 90A, 10V1.34mOhm a 90A, 10V1.38mOhm a 90A, 10V1.47mOhm a 90A, 10V1.64mOhm a 90A, 10V1.7mOhm a 35A, 10V1.84mOhm a 90A, 10V1.86mOhm a 50A, 10V1.9mOhm a 32A, 10V2.1mOhm a 32A, 10V2.2mOhm a 30A, 10V2.3mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
800mV a 1mA1V a 100µA1V a 1mA1.2V a 1mA1.3V a 1mA1.5V a 100µA1.5V a 10mA1.5V a 11mA1.5V a 1mA1.5V a 2mA2V a 10µA2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.4 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 5 V1.8 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 5 V2 nC @ 4.5 V2 nC @ 5 V2.1 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 5 V2.1 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V-8V, 0V+5V, -20V+6V, -10V+7V, -0.2V±8V±10V10V±12V12V±20V20V+21V, -4V±21V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V12 pF @ 10 V13 pF @ 5 V15 pF @ 10 V15 pF @ 25 V15 pF @ 30 V18 pF @ 10 V20 pF @ 10 V24 pF @ 10 V25 pF @ 10 V26 pF @ 10 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)150mW (Ta)200mW200mW (Ta)225mW (Ta)300mW (Ta)320mW (Ta)350mW (Ta)350mW (Tc)400mW (Ta)500mW (Ta)540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-WEMT8-HSMT (3.2x3)8-HSOP8-PSOP8-SOIC8-SOP8-SOP-J8-TSST-CPT3DFN1006-3DFN1010-3W
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductores planos3-SMD, sin conductor3-XDFN3-XFDFN6-PowerUDFN6-PowerUFDFN6-PowerWFDFN6-SMD (5 conductores), conductores planos6-SMD, conductores planosPlaca descubierta 6-UDFN8-PowerDFN8-PowerTDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
1,256Resultados
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Demostración
de 1,256
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,246,601
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03406
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 100mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
525,861
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04439
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
739,090
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
1.2V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
607,295
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.05038
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 200mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
895,712
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07616
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
152,691
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.10250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
150mA (Ta)
1.5V, 4.5V
2Ohm a 150mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VML0604
3-XFDFN
RTF025N03FRATL
RTF016N05TL
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
Rohm Semiconductor
1,335
En stock
1 : $0.63000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14491
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
45 V
1.6 A (Ta)
2.5V, 4.5V
190mOhm a 1.6A, 4.5V
1.5V a 1mA
2.3 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TUMT3
3-SMD, conductores planos
TSMT3
RUR040N02TL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Rohm Semiconductor
28,199
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26313
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4 A (Ta)
1.5V, 4.5V
35mOhm a 4A, 4.5V
1.3V a 1mA
8 nC @ 4.5 V
±10V
680 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT3
SC-96
TO-243AA
2SK3065T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Rohm Semiconductor
23,625
En stock
1 : $1.14000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.32776
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2 A (Ta)
2.5V, 4V
320mOhm a 1A, 4V
1.5V a 1mA
-
±20V
160 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
MPT3
TO-243AA
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6L035ATTCR
PCH -60V -3.5A POWER MOSFET - RQ
Rohm Semiconductor
8,399
En stock
1 : $1.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.34522
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.5 A (Ta)
4.5V, 10V
78mOhm a 3.5A, 10V
2.5V a 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 30 V
-
950mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT6 (SC-95)
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
HSOP8
RS1G150MNTB
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Rohm Semiconductor
3,295
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.40301
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
15A (Ta), 43A (Tc)
4.5V, 10V
10.6mOhm a 15A, 10V
2.5V a 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
930 pF @ 20 V
-
3W (Ta), 25W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HSOP
8-PowerTDFN
BA17818FP-E2
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Rohm Semiconductor
9,955
En stock
1 : $2.32000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.67467
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
10 A (Tc)
10V
182mOhm a 5A, 10V
5.25V a 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1400 pF @ 25 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BA17818FP-E2
RD3G07BATTL1
PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
12,149
En stock
1 : $3.11000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.95625
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
70 A (Tc)
4.5V, 10V
7.1mOhm a 70A, 10V
2.5V a 1mA
105 nC @ 10 V
±20V
5550 pF @ 20 V
-
101W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,141
En stock
1 : $3.47000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.10750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
22 A (Ta), 76 A (Tc)
4.5V, 10V
4.1mOhm a 22A, 10V
2.5V a 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HSOP
8-PowerTDFN
8-SOIC
RS3E180ATTB1
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Rohm Semiconductor
4,244
En stock
1 : $3.47000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.10750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Ta)
4.5V, 10V
5.4mOhm a 18A, 10V
2.5V a 5mA
160 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
LPTS
R6020ENJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Rohm Semiconductor
2,781
En stock
1 : $3.76000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.30894
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20 A (Tc)
10V
196mOhm a 9.5A, 10V
4V a 1mA
60 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LPTS
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,635
En stock
1 : $10.02000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
21 A (Tc)
18V
156mOhm a 6.7A, 18V
5.6V a 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V, -4V
460 pF @ 500 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,874
En stock
1 : $11.13000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
18V
208mOhm a 5A, 18V
5.6V a 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V, -4V
398 pF @ 800 V
-
103W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4062KW7HRTL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
276
En stock
1 : $16.59000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $8.81750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
24 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247N
SCT3080KLGC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
414
En stock
1 : $22.50000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
31 A (Tc)
18V
104mOhm a 10A, 18V
5.6V a 5mA
60 nC @ 18 V
+22V, -4V
785 pF @ 800 V
-
165W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
818
En stock
1 : $27.77000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
18V
52mOhm a 20A, 18V
5.6V a 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
-
262W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
490
En stock
1 : $41.32000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
105 A (Tc)
18V
16.9mOhm a 58A, 18V
4.8V a 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
328
En stock
1 : $52.73000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
95 A (Tc)
18V
28.6mOhm a 36A, 18V
5.6V a 18.2mA
178 nC @ 10 V
+22V, -4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
RSC002P03T316
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
47,128
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03571
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
250mA (Ta)
4V, 10V
1.4Ohm a 250mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±20V
30 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
257,479
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03697
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
250mA (Ta)
2.5V, 10V
2.4Ohm a 250mA, 10V
2.3V a 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 1,256

Rohm Semiconductor Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.