Rohm Semiconductor FET simple, MOSFET

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de 1,443

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	276,962 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03985 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 100mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	118,278 En stock	1 : $0.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04408 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	249,631 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04693 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUM001L02T2CL MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	126,374 En stock	1 : $0.30000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05293 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	100mA (Ta)	1.2V, 4.5V	3.5Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 100µA	-	±8V	7.1 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	321,607 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05876 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 200mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
2SK3019TL MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Rohm Semiconductor	89,170 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06795 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	100mA (Ta)	2.5V, 4V	8Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	-	±20V	13 pF @ 5 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3	SC-75, SOT-416
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	6,767 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05731 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	558,032 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07565 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RTF016N05TL MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 Rohm Semiconductor	13,794 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14393 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	45 V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	190mOhm a 1.6A, 4.5V	1.5V a 1mA	2.3 nC @ 4.5 V	±12V	150 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TUMT3	3-SMD, conductores planos
RS1G120MNTB MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP Rohm Semiconductor	14,335 En stock	1 : $0.85000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.20699 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	12A (Ta)	4.5V, 10V	16.2mOhm a 12A, 10V	2.5V a 1mA	9.4 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 20 V	-	3W (Ta), 25W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSOP	8-PowerTDFN
RQ3E120ATTB MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT Rohm Semiconductor	10,653 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.28902 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	12A (Ta)	4.5V, 10V	8mOhm a 12A, 10V	2.5V a 1mA	62 nC @ 10 V	±20V	3200 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSMT (3.2x3)	8-PowerVDFN
RS1E280BNTB MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP Rohm Semiconductor	2,183 En stock	1 : $1.33000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.35042 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	28A (Ta), 80A (Tc)	4.5V, 10V	2.3mOhm a 28A, 10V	2.5V a 1mA	94 nC @ 10 V	±20V	5100 pF @ 15 V	-	3W (Ta), 30W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSOP	8-PowerTDFN
RQ3L070ATTB PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF Rohm Semiconductor	4,819 En stock	1 : $2.02000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.56185 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	25A (Tc)	4.5V, 10V	28mOhm a 7A, 10V	2.5V a 1mA	48 nC @ 10 V	±20V	2850 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSMT (3.2x3)	8-PowerVDFN
RH6G040BGTB1 NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET Rohm Semiconductor	503 En stock	1 : $2.52000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.73061 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	3.6mOhm a 40A, 10V	2.5V a 1mA	25 nC @ 10 V	±20V	1580 pF @ 20 V	-	59W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSMT (3.2x3)	8-PowerVDFN
RD3P130SPFRATL MOSFET P-CH 100V 13A TO252 Rohm Semiconductor	2,664 En stock	1 : $2.62000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.78054 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	13A (Ta)	4V, 10V	200mOhm a 6.5A, 10V	2.5V a 1mA	40 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RSH070P05TB1 MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP Rohm Semiconductor	2,224 En stock	1 : $2.63000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.78276 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	45 V	7A (Ta)	4V, 10V	27mOhm a 7A, 10V	2.5V a 1mA	47.6 nC @ 5 V	±20V	4100 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RD3G07BATTL1 PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3 Rohm Semiconductor	4,129 En stock	1 : $3.10000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.95625 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	70A (Tc)	4.5V, 10V	7.1mOhm a 70A, 10V	2.5V a 1mA	105 nC @ 10 V	±20V	5550 pF @ 20 V	-	101W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RS3G160ATTB1 PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3 Rohm Semiconductor	2,500 En stock	1 : $3.21000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.00250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	16A (Ta)	4.5V, 10V	6.2mOhm a 16A, 10V	2.5V a 1mA	120 nC @ 10 V	±20V	6250 pF @ 20 V	-	1.4W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RS1L151ATTB1 PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF Rohm Semiconductor	4,777 En stock	1 : $3.86000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.28875 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	56A (Tc)	4.5V, 10V	11.3mOhm a 15A, 10V	2.5V a 1mA	130 nC @ 10 V	±20V	6900 pF @ 30 V	-	3W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSOP	8-PowerTDFN
RSJ250P10TL MOSFET P-CH 100V 25A LPTS Rohm Semiconductor	986 En stock	1 : $3.86000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.34723 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	25A (Tc)	4V, 10V	63mOhm a 25A, 10V	2.5V a 1mA	60 nC @ 5 V	±20V	8000 pF @ 25 V	-	50W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	LPTS	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
RS1E260ATTB1 MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP Rohm Semiconductor	1,334 En stock	1 : $3.94000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.32875 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	26A (Ta), 80A (Tc)	4.5V, 10V	3.1mOhm a 26A, 10V	2.5V a 1mA	175 nC @ 10 V	±20V	7850 pF @ 15 V	-	3W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSOP	8-PowerTDFN
SCT2H12NZGC11 SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Rohm Semiconductor	578 En stock	1 : $6.89000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	3.7A (Tc)	18V	1.5Ohm a 1.1A, 18V	4V a 900µA	14 nC @ 18 V	+22V, -6V	184 pF @ 800 V	-	35W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-3PFM	TO-3PFM, SC-93-3
SCT3120ALGC11 SICFET N-CH 650V 21A TO247N Rohm Semiconductor	3,858 En stock	1 : $9.72000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	21A (Tc)	18V	156mOhm a 6.7A, 18V	5.6V a 3.33mA	38 nC @ 18 V	+22V, -4V	460 pF @ 500 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4062KW7HRTL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	3,669 En stock	1 : $12.00000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $8.54999 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT3060ALGC11 SICFET N-CH 650V 39A TO247N Rohm Semiconductor	155 En stock	1 : $15.35000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	39A (Tc)	18V	78mOhm a 13A, 18V	5.6V a 6.67mA	58 nC @ 18 V	+22V, -4V	852 pF @ 500 V	-	165W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3

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de 1,443

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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