Renesas FET simple, MOSFET

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de 84
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
RQA0005 - N-CHANNEL POWER MOSFET
RQA0005AQS#H1
RQA0005 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Renesas
5,436
Mercado
564 : $0.53000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
-
-
-
-
-
-
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-
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-
-
-
-
-
-
-
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
NP32N055SDE-E1-AZ
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Renesas
3,719
Mercado
281 : $1.07000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
32 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 16A, 10V
2.5V a 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 25 V
-
1.2W (Ta), 66W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
2SK3402-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
2SK3402-AZ
2SK3402-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
Renesas
2,119
Mercado
217 : $1.38000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36 A (Tc)
4V, 10V
15mOhm a 18A, 10V
2.5V a 1mA
61 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 10 V
-
1W (Ta), 40W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3Z)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH
2SJ604-ZJ-E1-AZ
2SJ604-ZJ-E1-AZ - SWITCHING P-CH
Renesas
662
Mercado
129 : $2.34000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
45 A (Tc)
4V, 10V
30mOhm a 23A, 10V
2.5V a 1mA
63 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 10 V
-
1.5W (Ta), 70W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
TO-263
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET
2SK1958-T1-A
2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET
Renesas
69,067
Mercado
4,459 : $0.07000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
16 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 10µA
-
±7V
10 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-MMPAK
8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm de ancho)
INFINFBF799
2SK1581-T1B-A
2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN
Renesas
2,717
Mercado
1,709 : $0.18000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
16 V
200mA (Ta)
2.5V, 4V
5Ohm a 1mA, 4V
1.6V a 10µA
-
±16V
27 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SC-59
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
HAT1096C - P-CHANNEL POWER MOSFE
HAT1096C-EL-E
HAT1096C - P-CHANNEL POWER MOSFE
Renesas
9,000
Mercado
1,343 : $0.22000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
293mOhm a 500µA, 4.5V
1.4V a 1mA
2 nC @ 4.5 V
±12V
155 pF @ 10 V
-
790mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
HAT1093C - P-CHANNEL POWER MOSFE
HAT1093C-EL-E
HAT1093C - P-CHANNEL POWER MOSFE
Renesas
30,000
Mercado
1,200 : $0.25000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
3 A (Ta)
1.8V, 4.5V
54mOhm a 1.5A, 4.5V
1.2V a 1mA
11 nC @ 4.5 V
±8V
940 pF @ 10 V
-
900mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
Renesas
21,000
Mercado
1,200 : $0.25000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.5 A (Ta)
2.5V, 4V
175mOhm a 800mA, 4.5V
1.4V a 1mA
2.6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
HAT2203C-EL-E - SILICON N CHANNE
HAT2203C-EL-E
HAT2203C-EL-E - SILICON N CHANNE
Renesas
9,000
Mercado
1,200 : $0.25000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
90mOhm a 1A, 4.5V
1.4V a 1mA
1.8 nC @ 4.5 V
±12V
165 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
HAT1091C0S - P-CHANNEL POWER MOS
HAT1091C0S-EL-E
HAT1091C0S - P-CHANNEL POWER MOS
Renesas
9,000
Mercado
1,200 : $0.25000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
HAT2196C-EL-E
HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
Renesas
18,000
Mercado
1,086 : $0.28000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
2.5 A (Ta)
2.5V, 4.5V
58mOhm a 1.3A, 4.5V
1.4V a 1mA
2.8 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 10 V
-
850mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE
HAT2205C-EL-E
HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE
Renesas
3,000
Mercado
1,086 : $0.28000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
12 V
3 A (Ta)
1.8V, 4.5V
50mOhm a 1.5A, 4.5V
1.2V a 1mA
6 nC @ 4.5 V
±8V
430 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS
UPA1902TE-T1-AT
UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS
Renesas
111,000
Mercado
999 : $0.30000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
7 A (Ta)
4.5V, 10V
22mOhm a 3.5A, 10V
2.5V a 1mA
8 nC @ 5 V
±20V
780 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SC-95
SC-95
HAT1069C0S - P-CHANNEL POWER MOS
HAT1069C0S-EL-E
HAT1069C0S - P-CHANNEL POWER MOS
Renesas
85,073
Mercado
960 : $0.31000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TEXTISSN74LVC1G00DSF2
HAT2202C-EL-E
HAT2202C-EL-E - SILICON N CHANNE
Renesas
46,797
Mercado
960 : $0.31000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3 A (Ta)
2.5V, 4.5V
40mOhm a 1.5A, 4.5V
1.4V a 1mA
6 nC @ 4.5 V
±12V
520 pF @ 10 V
-
200mW
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-CMFPAK
6-SMD, conductores planos
2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
2SK2109-T1-AZ
2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
Renesas
6,956
Mercado
780 : $0.38000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
500mA (Ta)
4V, 10V
800mOhm a 300mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
111 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SC-62
TO-243AA
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
2SK3447TZ-E
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
Renesas
10,000
Mercado
728 : $0.41000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
1 A (Ta)
4V, 10V
1.95Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
4.5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 10 V
-
900mW (Ta)
150°C
-
-
Orificio pasante
TO-92MOD
TO-226-3, TO-92-3, cuerpo largo
2SK2857-T1-AZ - N-CHANNEL MOSFET
2SK2857-T1-AZ
2SK2857-T1-AZ - N-CHANNEL MOSFET
Renesas
14,621
Mercado
606 : $0.50000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
4 A (Ta)
4V, 10V
150mOhm a 2.5A, 10V
2V a 1mA
10.6 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SC-62
TO-243AA
UPA1759 - SWITCHING N-CHANNEL PO
UPA1759G-E1-A
UPA1759 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Renesas
5,000
Mercado
568 : $0.53000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
5 A (Tc)
4V, 10V
150mOhm a 2.5A, 10V
2.5V a 1mA
8 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-PowerSOP
8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA1808 - N CHANNEL MOSFET
UPA1808GR-9JG-E1-A
UPA1808 - N CHANNEL MOSFET
Renesas
3,000
Mercado
504 : $0.60000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
9.5 A (Ta)
4V, 10V
17mOhm a 5A, 10V
2.5V a 1mA
13 nC @ 10 V
±20V
660 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-Power TSSOP
8-PowerTSSOP (0.173", 4.40mm de ancho)
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
2SK4150TZ-E
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Renesas
19,000
Mercado
475 : $0.63000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
400mA (Ta)
2.5V, 4V
5.7Ohm a 200mA, 4V
1.5V a 1mA
3.7 nC @ 4 V
±10V
80 pF @ 25 V
-
750mW (Ta)
150°C
-
-
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TEXTISREG710NA-2.5/3K
HAT1044M-EL-E
HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE
Renesas
1,808
Mercado
449 : $0.67000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.5 A (Ta)
4.5V, 10V
60mOhm a 3A, 10V
2.5V a 1mA
13 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.05W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO
2SK4178-ZK-E1-AY
2SK4178 - SWITCHING N-CHANNEL PO
Renesas
27,500
Mercado
421 : $0.71000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
48 A (Tc)
4.5V, 10V
9mOhm a 30A, 10V
2.5V a 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 10 V
-
1W (Ta), 33W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
HS54095TZ-E - N-CHANNEL POWER MO
HS54095TZ-E
HS54095TZ-E - N-CHANNEL POWER MO
Renesas
7,500
Mercado
382 : $0.79000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
200mA (Ta)
10V
16.5Ohm a 100mA, 10V
5V a 1mA
4.8 nC @ 10 V
±30V
66 pF @ 25 V
-
750mW (Ta)
150°C
-
-
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Demostración
de 84

Renesas FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.