Renesas Electronics Corporation FET simple, MOSFET

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1,446Resultados
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Demostración
de 1,446
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
7,308
En stock
1 : $2.48000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.73039
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36A (Tc)
4.5V, 10V
30mOhm a 18A, 10V
-
52 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 56W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
3,113
En stock
1 : $2.55000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.75607
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
36A (Tc)
4V, 10V
31mOhm a 18A, 10V
2.5V a 1mA
63 nC @ 10 V
±20V
3300 pF @ 10 V
-
1W (Ta), 65W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
2,161
En stock
1 : $2.57000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.76276
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
25A (Ta)
4.5V, 10V
14mOhm a 12.5A, 10V
-
15 nC @ 4.5 V
±20V
2030 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
273
En stock
1 : $3.35000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.06500
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
45A (Ta)
4.5V, 10V
3.5mOhm a 22.5A, 10V
-
26 nC @ 4.5 V
±20V
4030 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
0
En stock
1 : $3.66000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.20000
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
25A (Ta)
10V
14mOhm a 12.5A, 10V
-
41 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Renesas Electronics Corporation
406
En stock
1 : $18.99000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)
650 V
46.5A (Tc)
10V
41 mOhm a 30A, 10V
4.8V a 1mA
22 nC @ 0 V
±20V
1500 pF @ 400 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 150°C
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-3P-3, SC-65-3
2SK1317-E
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Renesas Electronics Corporation
1,775
En stock
1 : $20.74000
Tubo
-
-
Tubo
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1500 V
2.5A (Ta)
15V
12Ohm a 2A, 15V
-
-
±20V
990 pF @ 10 V
-
100W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
458
En stock
1 : $32.25000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
93A (Tc)
10V
18mOhm a 60A, 10V
4.8V a 2mA
100 nC @ 10 V
±20V
5218 pF @ 400 V
-
266W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
0
En stock
2,500 : $1.20000
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
40A (Ta)
10V
5.6mOhm a 20A, 10V
-
40 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
65W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
3,527
En stock
1 : $1.52000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.41018
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
12A (Tc)
4V, 10V
130mOhm a 6A, 10V
2.5V a 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 10 V
-
1W (Ta), 23W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
6,448
En stock
1 : $2.09000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.59564
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
75A (Tc)
10V
5.7mOhm a 38A, 10V
4V a 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
1.2W (Ta), 75W (Tc)
175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZP)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
9,334
En stock
1 : $2.12000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.60710
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
15 A (Ta)
4.5V, 10V
40mOhm a 7.5A, 10V
2.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 30W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
6,916
En stock
1 : $2.12000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.60710
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
15 A (Ta)
4.5V, 10V
70mOhm a 7.5A, 10V
2.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 30W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
5,373
En stock
1 : $2.36000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.68659
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
60A (Tc)
4.5V, 10V
7.9mOhm a 30A, 10V
2.5V a 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 25 V
-
1.2W (Ta), 105W (Tc)
175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZP)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8,850
En stock
1 : $2.52000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.74269
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
36A (Tc)
4.5V, 10V
17mOhm a 18A, 10V
2.5V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 56W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
0
En stock
1 : $2.55000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.75607
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
35A (Ta)
4.5V, 10V
7mOhm a 17.5A, 10V
-
14 nC @ 4.5 V
±20V
2010 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
2,879
En stock
1 : $2.59000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.76943
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
20A (Ta)
4.5V, 10V
23mOhm a 10A, 10V
2.5V a 1mA
14 nC @ 4.5 V
±20V
2050 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
4,992
En stock
1 : $2.67000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.79607
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
35A (Ta)
4.5V, 10V
4.7mOhm a 17.5A, 10V
2.5V a 1mA
14 nC @ 4.5 V
±20V
2180 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
157,059
En stock
1 : $3.05000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.93625
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
50A (Tc)
-
16.5mOhm a 25A, 10V
2.5V a 250µA
100 nC @ 10 V
-
5000 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta), 84W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (MP-3ZK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
13,086
En stock
1 : $3.21000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.00500
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
75A (Tc)
5V, 10V
9.7mOhm a 37.5A, 10V
2.5V a 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W (Ta), 138W (Tc)
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-HSON
Placa descubierta 8-SMD con conductor plano
3,693
En stock
1 : $3.24000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.01875
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
20A (Ta)
10V
22mOhm a 10A, 10V
-
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
3,352
En stock
1 : $3.32000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.05000
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
35A (Ta)
4.5V, 10V
7mOhm a 17.5A, 10V
-
29 nC @ 4.5 V
±20V
4100 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
3,816
En stock
1 : $3.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.27500
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
45A (Ta)
4.5V, 10V
4.8mOhm a 22.5A, 10V
2.5V a 1mA
42 nC @ 4.5 V
±20V
6100 pF @ 10 V
-
65W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK
SC-100, SOT-669
1,468
En stock
1 : $5.04000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $1.85000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
16A (Tc)
6V
180mOhm a 10A, 6V
2.8V a 500µA
4.9 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
915
En stock
1 : $5.13000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.89250
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Demostración
de 1,446

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.