PowerPAK® 1212-8 FET simple, MOSFET

Resultados : 239
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
239Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 239
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SIS176LDN-T1-GE3
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Vishay Siliconix
2,402
En stock
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14617
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
10 A (Ta), 16 A (Tc)
4.5V, 10V
19mOhm a 9A, 10V
2.2V a 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
3.2W (Ta), 24W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
38,651
En stock
1 : $0.95000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23210
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 7.8A, 10V
2.5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
22,822
En stock
1 : $0.95000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23210
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
18 A (Tc)
4.5V, 10V
9.4mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Vishay Siliconix
19,579
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25612
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
5.2 A (Ta), 14.2 A (Tc)
7.5V, 10V
54mOhm a 4A, 10V
4V a 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3.2W (Ta), 24W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
17,651
En stock
1 : $1.04000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25764
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
20 A (Tc)
4.5V, 10V
5.1mOhm a 10A, 10V
2.2V a 250µA
29 nC @ 10 V
+20V, -16V
1450 pF @ 15 V
-
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
34,832
En stock
1 : $1.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.28279
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
35 A (Tc)
2.5V, 10V
4.4mOhm a 20A, 10V
1.5V a 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS438DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
39,236
En stock
1 : $1.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.31376
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
16 A (Tc)
4.5V, 10V
9.5mOhm a 10A, 10V
2.3V a 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 10 V
-
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,168
En stock
1 : $1.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35034
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
60 A (Tc)
4.5V, 10V
1.4mOhm a 15A, 10V
2.1V a 250µA
26 nC @ 4.5 V
+20V, -16V
2650 pF @ 10 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Vishay Siliconix
17,261
En stock
1 : $1.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35215
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
15.8A (Ta), 52A (Tc)
4.5V, 10V
7.2mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 30 V
-
3.6W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
173,697
En stock
1 : $1.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.31875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
35 A (Tc)
4.5V, 10V
12.3mOhm a 13.9A, 10V
2.5V a 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
10,529
En stock
1 : $1.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.36133
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
4.7 A (Tc)
10V
1.095Ohm a 5A, 10V
3.5V a 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
385 pF @ 75 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
11,842
En stock
1 : $1.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.38053
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
70 V
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
3.3V, 4.5V
10.9mOhm a 10A, 4.5V
1.6V a 250µA
19 nC @ 4.5 V
±12V
1660 pF @ 35 V
-
3.6W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
62,549
En stock
1 : $1.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.38113
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
16 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 12A, 10V
2.5V a 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
24,695
En stock
1 : $1.49000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.39234
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
35 A (Tc)
4.5V, 10V
7.6mOhm a 16.2A, 10V
2.2V a 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3.8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7119DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
30,399
En stock
1 : $1.53000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.40423
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
3.8 A (Tc)
6V, 10V
1.05Ohm a 1A, 10V
4V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
666 pF @ 50 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
11,755
En stock
1 : $1.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.42786
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
35 A (Tc)
4.5V, 10V
4.8mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
3.8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,160
En stock
1 : $1.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.42786
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
28 A (Tc)
4.5V, 10V
33mOhm a 10A, 10V
3V a 250µA
19.5 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SQSA80ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,338
En stock
1 : $1.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.43890
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
18 A (Tc)
4.5V, 10V
21mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1358 pF @ 40 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
19,742
En stock
1 : $1.66000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.44429
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
35 A (Tc)
4.5V, 10V
7mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS476DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
14,016
En stock
1 : $1.72000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.46297
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
40 A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm a 15A, 10V
2.3V a 250µA
77 nC @ 10 V
+20V, -16V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
5,677
En stock
1 : $1.79000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.48619
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
35 A (Tc)
4.5V, 10V
7.2mOhm a 15A, 10V
2.5V a 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7716ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,671
En stock
1 : $1.93000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.53221
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
16 A (Tc)
4.5V, 10V
13.5mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
846 pF @ 15 V
-
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
24,524
En stock
1 : $1.95000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.53793
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
30 A (Tc)
4.5V, 10V
23.5mOhm a 10A, 10V
3V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
27,776
En stock
1 : $2.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.60033
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
35 A (Tc)
4.5V, 10V
11.7mOhm a 15A, 10V
2.3V a 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
9,086
En stock
1 : $2.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.60033
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
30 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 10A, 10V
3V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
±20V
611 pF @ 50 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Demostración
de 239

PowerPAK® 1212-8 FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.