Placa descubierta 8-VDFN FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
MCG50P03-TP P-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	415 En stock	1 : $1.43000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.35338 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	50A	4.5V, 10V	6.2mOhm a 15A, 10V	2.8V a 250µA	111.7 nC @ 10 V	±25V	6464 pF @ 15 V	-	83W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
GAN080-650EBEZ 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE ( Nexperia USA Inc.	2,446 En stock	1 : $7.73000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $3.27500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	29A (Tc)	6V	80mOhm a 8A, 6V	2.5V a 30.7mA	6.2 nC @ 6 V	+7V, -6V	225 pF @ 400 V	-	240W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN8080-8	Placa descubierta 8-VDFN
GS0650306LRMRXUSA1 GS-065-030-6-LR-MR Infineon Technologies	2,238 En stock	1 : $10.92000 Cinta cortada (CT) 250 : $5.16400 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	700 V	40A (Tc)	6V	54mOhm a 5.5A, 6V	2.6V a 7.5mA	6.7 nC @ 6 V	+7V, -10V	235 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PDFN (8x8)	Placa descubierta 8-VDFN
MCG8D8N04YL-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	39,900 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.09501 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	47A (Tc)	4.5V, 10V	8.8mOhm a 35A, 10V	2.5V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	682 pF @ 30 V	-	32W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG35P04-TP P-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	2,908 En stock	1 : $0.73000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.15863 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	35A	4.5V, 10V	25mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	26.6 nC @ 10 V	±20V	1257 pF @ 20 V	-	38W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
GAN190-650EBEZ 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc.	1,543 En stock	1 : $5.78000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.42500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	11.5A (Tc)	6V	190mOhm a 3.9A, 6V	2.5V a 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V, -1.4V	96 pF @ 400 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN8080-8	Placa descubierta 8-VDFN
GS0650182LMRXUSA1 GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies	323 En stock	1 : $8.76000 Cinta cortada (CT) 250 : $4.00436 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	18A (Tc)	6V	110mOhm a 5.5A, 6V	2.6V a 4.8mA	4 nC @ 6 V	+7V, -10V	132 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PDFN (8x8)	Placa descubierta 8-VDFN
GS0650302LMRXUSA1 GS-065-030-2-L-MR Infineon Technologies	496 En stock	1 : $10.91000 Cinta cortada (CT) 250 : $5.15500 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	30A (Tc)	6V	68mOhm a 5.5A, 6V	2.6V a 7.5mA	6.7 nC @ 6 V	+7V, -10V	235 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PDFN (8x8)	Placa descubierta 8-VDFN
MCG20P03-TP P-CHANNEL MOSFET, DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	7,637 En stock	1 : $0.81000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.18093 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	20A	4.5V, 10V	20mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	28.7 nC @ 10 V	±20V	1750 pF @ 15 V	-	21W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG30P03-TP P-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	3,512 En stock	1 : $0.95000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.21823 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	30A (Tc)	4.5V, 20V	13mOhm a 20A, 20V	2.8V a 250µA	43.8 nC @ 10 V	±20V	2450 pF @ 15 V	-	32W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
TPCC8105,L1Q PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO Toshiba Semiconductor and Storage	2,710 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.28041 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	23A (Ta)	4.5V, 10V	7.8mOhm a 11.5A, 10V	2V a 500µA	76 nC @ 10 V	+20V, -25V	3240 pF @ 10 V	-	700mW (Ta), 30W (Tc)	150°C	-	-	Montaje en superficie	8-TSON avanzado (3.3x3.3)	Placa descubierta 8-VDFN
MCG15P10YHE3-TP P-CHANNEL MOSFET, DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	4,473 En stock	1 : $1.33000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.32255 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15A (Tc)	4.5V, 10V	110mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	20.1 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 25 V	-	50W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG53N06A-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	5,000 En stock	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.32696 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	53A	4.5V, 10V	8.2mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 35 V	-	45W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG25P06Y-TP P-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	7,593 En stock	1 : $1.68000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.42846 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	25A	4.5V, 10V	50mOhm a 20A, 10V	2.7V a 250µA	18.7 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 30 V	-	60W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG55P02A-TP P-CHANNEL MOSFET, DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	2,350 En stock	1 : $1.86000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.48357 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	55A	1.8V, 4.5V	8.3mOhm a 15A, 4.5V	1V a 250µA	149 nC @ 10 V	±10V	6358 pF @ 10 V	-	3.2W (Ta), 38W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
TP65H300G4LSGB-TR GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8 Renesas Electronics Corporation	2,997 En stock	1 : $4.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.43750 Cinta y rollo (TR)	-	SuperGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	6.5A (Tc)	6V	312mOhm a 6.5A, 6V	2.8V a 500µA	8.8 nC @ 10 V	±12V	730 pF @ 400 V	-	21W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (8x8)	Placa descubierta 8-VDFN
GAN140-650EBEZ 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc.	2,375 En stock	1 : $8.08000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.23750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	17A (Tc)	6V	140mOhm a 5A, 6V	2.5V a 17.2mA	3.5 nC @ 6 V	+7V, -1.4V	125 pF @ 400 V	-	113W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN8080-8	Placa descubierta 8-VDFN
MCG50N03-TP MOSFET N-CH 30V 50A DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	4,183 En stock	1 : $0.95000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.21823 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	50A (Tc)	4.5V, 10V	6mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	28 nC @ 10 V	±20V	2150 pF @ 15 V	-	30W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG20N04-TP MOSFET N-CH 40V 20A DFN3333-8 MCC (Micro Commercial Components)	6,852 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.25460 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	20A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	750 pF @ 20 V	-	2.34W (Ta), 21W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG35N04HE3-TP N-CHANNEL MOSFET, DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	4,995 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.25700 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	35A (Tc)	4.5V, 10V	8mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 25 V	-	40W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG50N04-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	14,891 En stock	1 : $1.48000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.36861 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	50A	4.5V, 10V	4mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	102 nC @ 20 V	±20V	4645 pF @ 20 V	-	75W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG60N06YHE3-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	9,629 En stock	1 : $1.93000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.50000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	60A (Tc)	4.5V, 10V	6mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	34.5 nC @ 10 V	±20V	1666 pF @ 30 V	-	60W (Tj)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG8D2N06YL-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	10,000 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.10086 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	45A (Tc)	4.5V, 10V	8.2mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	22.4 nC @ 10 V	±20V	1050 pF @ 30 V	-	32.6W	-55°C ~ 175°C	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG5D9N03YL-TP N-CHANNEL MOSFET,DFN3333 MCC (Micro Commercial Components)	4,990 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.13911 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	45A (Tc)	4.5V, 10V	5.9mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	12.4 nC @ 10 V	±20V	594 pF @ 15 V	-	22W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN
MCG35P03A-TP POWER MOSFET MCC (Micro Commercial Components)	6,082 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.18848 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	35A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	54 nC @ 10 V	±20V	2718 pF @ 15 V	-	62.5W (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN3333	Placa descubierta 8-VDFN

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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